四氯化硅還原法是當(dāng)前制備較高純度硅的一種方法，有關(guān)反應(yīng)的化學(xué)方程式為：

SiCl4＋2H24HCl＋Si

下列說法不合理的是

A．反應(yīng)制得的硅可用于制造半導(dǎo)體材料

B．增大壓強有利于加快上述反應(yīng)的化學(xué)反應(yīng)速率

C．四氯化硅可以由粗硅與氯氣通過化合反應(yīng)制得

D．混入少量空氣對上述反應(yīng)無影響

 

【答案】

D

【解析】

試題分析：所給的反應(yīng)是工業(yè)上提煉高純度硅的關(guān)鍵反應(yīng)，A說法合理；增大壓強對于有氣體參加的反應(yīng)能加快反應(yīng)速率，B說法合理；C說法正確；混入空氣后硅和氧氣反應(yīng)使所得產(chǎn)物含有二氧化硅而不純，D說法錯誤。

考點：考查高純度硅的制備及其相關(guān)問題

點評：熟悉工業(yè)上制備高純硅的化學(xué)反應(yīng)原理和技術(shù)問題

 

練習(xí)冊系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

四氯化硅還原法是當(dāng)前制備較高純度硅的一種方法，有關(guān)反應(yīng)的化學(xué)方程式為：SiCl4+2H2
 高溫 
.
 
4HCl+Si下列說法不合理的是（　　）

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

四氯化硅還原法是當(dāng)前制備較高純度硅的一種方法，有關(guān)反應(yīng)的化學(xué)方程式為：SiCl4（g）+2H2（g）
 高溫 
.
 
Si（s）+4HCl（g）．下列說法合理的是（　　）
A、光導(dǎo)纖維的主要成分是硅單質(zhì)
B、減小壓強有利于加快化學(xué)反應(yīng)速率
C、高溫下，氫氣的還原性強于硅
D、混入少量空氣對上述反應(yīng)無影響

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科目：高中化學(xué) 來源：2012-2013學(xué)年黑龍江省牡丹江一中高二上學(xué)期期末化學(xué)試卷（帶解析） 題型：單選題

四氯化硅還原法是當(dāng)前制備較高純度硅的一種方法，有關(guān)反應(yīng)的化學(xué)方程式為：
SiCl4＋2H24HCl＋Si
下列說法不合理的是

A．反應(yīng)制得的硅可用于制造半導(dǎo)體材料
B．增大壓強有利于加快上述反應(yīng)的化學(xué)反應(yīng)速率
C．四氯化硅可以由粗硅與氯氣通過化合反應(yīng)制得
D．混入少量空氣對上述反應(yīng)無影響

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科目：高中化學(xué) 來源：2012-2013學(xué)年黑龍江省牡丹江一中高二（上）期末化學(xué)試卷（解析版） 題型：選擇題

四氯化硅還原法是當(dāng)前制備較高純度硅的一種方法，有關(guān)反應(yīng)的化學(xué)方程式為：SiCl4+2H24HCl+Si下列說法不合理的是（ ）
A．反應(yīng)制得的硅可用于制造半導(dǎo)體材料
B．增大壓強有利于加快上述反應(yīng)的化學(xué)反應(yīng)速率
C．四氯化硅可以由粗硅與氯氣通過化合反應(yīng)制得
D．混入少量空氣對上述反應(yīng)無影響

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