15．下列過程中化學(xué)鍵沒有被破壞的是（　�。�
A．水沸騰汽化B．水加熱到1500℃開始分解
C．氯化鈉加熱至熔化D．NaOH固體溶于水

分析 化學(xué)變化中化學(xué)鍵一定被破壞，共價(jià)化合物或離子化合物電離時(shí)化學(xué)鍵被破壞，以此來解答．

解答 解：A．水沸騰汽化，分子沒有變化，只破壞分子間作用力，化學(xué)鍵不變，故A選；
B．水加熱分解發(fā)生化學(xué)變化，化學(xué)鍵斷裂，故B不選；
C．熔融的氯化鈉，發(fā)生電離，離子鍵斷裂，故C不選；
D．NaOH溶于水，發(fā)生電離，離子鍵斷裂，故D不選；
故選A．

點(diǎn)評 本題考查化學(xué)鍵，為高頻考點(diǎn)，把握變化過程中化學(xué)鍵是否變化為解答的關(guān)鍵，注意分子晶體的三態(tài)變化只破壞分子間作用力，題目難度不大．

練習(xí)冊系列答案
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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：選擇題

5．氮化鋁（AlN）常用做砂輪及高溫爐襯材料，熔化狀態(tài)下不導(dǎo)電，可知它屬于（　�。�
A．離子晶體B．原子晶體C．分子晶體D．無法判斷

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：多選題

6．下列說法不正確的是（　　）
A．化學(xué)反應(yīng)速率是通過實(shí)驗(yàn)測定的
B．升高溫度，只能增大吸熱反應(yīng)速率，不能增大放熱反應(yīng)速率
C．對于任何反應(yīng)，增大壓強(qiáng)，相當(dāng)于增大反應(yīng)物的濃度，反應(yīng)速率都加快
D．催化劑可降低反應(yīng)所需活化能，提高活化分子百分?jǐn)?shù)，從而提高反應(yīng)速率

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：選擇題

3．元素X最高價(jià)態(tài)的氧化物的水化物為H3XO4，則X的氫化物的化學(xué)式是（　　）
A．XH3B．H2XC．XH3D．XH4

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：選擇題

10．芳香族化合物X的結(jié)構(gòu)如圖所示，下列敘述不正確是（　　）
①X分子中最多可有9個(gè)碳原子共平面 
②X可以發(fā)生取代、加成、消去、聚合等反應(yīng)
③1mol X與足量NaHCO3溶液反應(yīng)所得物質(zhì)的化學(xué)式為C9H7O4Na
④苯環(huán)上的取代基與X完全相同的X的同分異構(gòu)體有5種
⑤與足量NaOH溶液反應(yīng)最多可消耗NaOH的物質(zhì)的量為3mol  
⑥與溴水反應(yīng)最多可消耗Br2的物質(zhì)的量為1mol．
A．①④B．②⑥C．③④D．②⑤

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：填空題

20．第ⅢA、ⅤA原元素組成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半導(dǎo)體材料，其晶體結(jié)構(gòu)與單晶硅相似．Ga原子的電子排布式為1s22s22p63s23p63d104s24p1．在GaN晶體中，每個(gè)Ga原子與4個(gè)N原子相連，與同一個(gè)Ga原子相連的N原子構(gòu)成的空間構(gòu)型為正四面體．在四大晶體類型中，GaN屬于原子晶體．

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：解答題

7．如圖所示2套實(shí)驗(yàn)裝置，分別回答下列問題：

（1）裝置1中的石墨極發(fā)生的電極反應(yīng)式為Fe3++e-═Fe2+．
（2）裝置2中甲燒杯盛放100mL0.2mol/L的NaCl溶液，乙燒杯盛放100mL 0.5mol/L的CuSO4溶液．反應(yīng)一段時(shí)間后，停止通電．取出Cu電極，洗滌、干燥、稱量、電極增重 0.64g．甲、乙兩燒杯中生成的氣體標(biāo)準(zhǔn)狀況下共336mL．

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：選擇題

4．下列離子方程式正確的是（　�。�
A．鋁溶于NaOH溶液：Al+2OH-═AlO2-+H2↑
B．稀硫酸中滴加氫氧化鋇溶液：H++OH-═H2O
C．碳酸鎂中滴加稀鹽酸：CO32-+2H+═CO2↑+H2O
D．鋅與硫酸銅溶液反應(yīng)：Zn+Cu2+═Zn2++Cu

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：選擇題

5．將0.96g銅投入到一定量的濃硝酸中，銅完全溶解，生成的氣體顏色越來越淺，共收集到標(biāo)況下672mL氣體．將盛有此氣體的容器倒扣在水中．通入標(biāo)準(zhǔn)狀況下一定體積的O2恰好使氣體完全溶于水中，則通入的O2的體積是（　　）
A．540 mLB．336 mLC．224 mLD．168 mL

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