現(xiàn)有下列晶體, 請按要求回答相應(yīng)問題。(前六個小題用編號填空)
A.干冰 B.晶體硅 C.氬 D.二氧化硅 E.氯化銨
(1)通過非極性鍵形成的晶體是 。
(2)屬于非電解質(zhì)且熔化時只需破壞分子間作用力的是 。
(3)屬于分子晶體,且分子為直線型結(jié)構(gòu)的是 。
(4)不含任何化學(xué)鍵的晶體是 。
(5)固態(tài)時不導(dǎo)電,熔融狀態(tài)下能導(dǎo)電的是 。
(6)含有離子鍵、共價(jià)鍵、配位鍵的化合物是 。
(7)已知石墨在一定條件下可將D還原成B,反應(yīng)方程式為SiO2+2C======Si+2CO,若石墨中C—C的鍵能為a,SiO2中Si—O的鍵能為b,晶體硅中Si—Si的鍵能為c,CO的鍵能為d,請用a、b、c、d表示生成晶體硅時的反應(yīng)熱△H= 。O
年級 | 高中課程 | 年級 | 初中課程 |
高一 | 高一免費(fèi)課程推薦! | 初一 | 初一免費(fèi)課程推薦! |
高二 | 高二免費(fèi)課程推薦! | 初二 | 初二免費(fèi)課程推薦! |
高三 | 高三免費(fèi)課程推薦! | 初三 | 初三免費(fèi)課程推薦! |
科目:高中化學(xué) 來源:福建省泉州七中2009-2010學(xué)年高二下學(xué)期期中考試化學(xué)試題 題型:022
現(xiàn)有下列晶體,請按要求回答相應(yīng)問題.(前六個小題用編號填空)
A.干冰 B.晶體硅 C.氬 D.二氧化硅 E.氯化銨
(1)通過非極性鍵形成的晶體是________.
(2)屬于非電解質(zhì)且熔化時只需破壞分子間作用力的是________.
(3)屬于分子晶體,且分子為直線型結(jié)構(gòu)的是________.
(4)不含任何化學(xué)鍵的晶體是________.
(5)固態(tài)時不導(dǎo)電,熔融狀態(tài)下能導(dǎo)電的是________.
(6)含有離子鍵、共價(jià)鍵、配位鍵的化合物是________.
(7)已知石墨在一定條件下可將D還原成B,反應(yīng)方程式為SiO2+2CSi+2CO,若石墨中C-C的鍵能為a,SiO2中Si-O的鍵能為b,晶體硅中Si-Si的鍵能為c,CO的鍵能為d,請用a、b、c、d表示生成晶體硅時的反應(yīng)熱ΔH=________.
查看答案和解析>>
科目:高中化學(xué) 來源:2009-2010泉州七中學(xué)年度下學(xué)期高二年期中考試化學(xué)卷 題型:填空題
(8分) 現(xiàn)有下列晶體, 請按要求回答相應(yīng)問題。(前六個小題用編號填空)
A.干冰 B.晶體硅 C.氬 D.二氧化硅 E.氯化銨
(1)通過非極性鍵形成的晶體是 。
(2)屬于非電解質(zhì)且熔化時只需破壞分子間作用力的是 。
(3)屬于分子晶體,且分子為直線型結(jié)構(gòu)的是 。
(4)不含任何化學(xué)鍵的晶體是 。
(5)固態(tài)時不導(dǎo)電,熔融狀態(tài)下能導(dǎo)電的是 。
(6)含有離子鍵、共價(jià)鍵、配位鍵的化合物是 。
(7)已知石墨在一定條件下可將D還原成B,反應(yīng)方程式為SiO2+2C======Si+2CO,若石墨中C—C的鍵能為a,SiO2中Si—O的鍵能為b,晶體硅中Si—Si的鍵能為c,CO的鍵能為d,請用a、b、c、d表示生成晶體硅時的反應(yīng)熱△H= 。
查看答案和解析>>
科目:高中化學(xué) 來源: 題型:
(8分) 現(xiàn)有下列晶體, 請按要求回答相應(yīng)問題。(前六個小題用編號填空)
A.干冰 B.晶體硅 C.氬 D.二氧化硅 E.氯化銨
(1)通過非極性鍵形成的晶體是 。
(2)屬于非電解質(zhì)且熔化時只需破壞分子間作用力的是 。
(3)屬于分子晶體,且分子為直線型結(jié)構(gòu)的是 。
(4)不含任何化學(xué)鍵的晶體是 。
(5)固態(tài)時不導(dǎo)電,熔融狀態(tài)下能導(dǎo)電的是 。
(6)含有離子鍵、共價(jià)鍵、配位鍵的化合物是 。
(7)已知石墨在一定條件下可將D還原成B,反應(yīng)方程式為SiO2+2C======Si+2CO,若石墨中C—C的鍵能為a,SiO2中Si—O的鍵能為b,晶體硅中Si—Si的鍵能為c,CO的鍵能為d,請用a、b、c、d表示生成晶體硅時的反應(yīng)熱△H= 。
查看答案和解析>>
科目:高中化學(xué) 來源:2009—2010泉州七中學(xué)年度下學(xué)期高二年期中考試化學(xué)卷 題型:填空題
(8分) 現(xiàn)有下列晶體, 請按要求回答相應(yīng)問題。(前六個小題用編號填空)
A.干冰 | B.晶體硅 | C.氬 | D.二氧化硅 E.氯化銨 |
查看答案和解析>>
湖北省互聯(lián)網(wǎng)違法和不良信息舉報(bào)平臺 | 網(wǎng)上有害信息舉報(bào)專區(qū) | 電信詐騙舉報(bào)專區(qū) | 涉歷史虛無主義有害信息舉報(bào)專區(qū) | 涉企侵權(quán)舉報(bào)專區(qū)
違法和不良信息舉報(bào)電話:027-86699610 舉報(bào)郵箱:58377363@163.com