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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:
A、一定溫度下,反應(yīng)Mg(1)+Cl2(g)=MgCl2(1)的△H<0,△S<0 | ||||||||||||
B、101 kPa時(shí),硫的標(biāo)準(zhǔn)燃燒熱與硫完全燃燒時(shí)物質(zhì)的量有關(guān) | ||||||||||||
C、通常人們把拆開1 mol氣態(tài)物質(zhì)中某種共價(jià)鍵需要吸收的能量看成該共價(jià)鍵的鍵能
| ||||||||||||
D、已知:N2(g)+2O2(g)=2NO2(g)△H=+68kJ?mol-1 2C(s)+O2(g)=2CO(g)△H=-221kJ?mol-1 C(s)+O2(g)=CO2(g)△H=-393.5kJ?mol-1 則4CO(g)+2NO2(g)=4NO2(g)+N2(g)△H=+1200kJ?mol-1 |
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:
化學(xué)鍵 | Si-O | Si-Cl | H-H | H-Cl | Si-Si | Si-C |
鍵能kJ·mol | 460 | 360 | 436 | 431 | 176 | 347 |
請(qǐng)回答下列問(wèn)題:
(1)比較下列物質(zhì)的熔點(diǎn)高低(填“>”或“<”)SiC__________Si。
(2)下圖立方體中心的“●”表示硅晶體中的一個(gè)原子,請(qǐng)?jiān)诹⒎襟w的頂點(diǎn)用“●”表示出與之緊鄰的硅原子。
(3)工業(yè)上高純硅可通過(guò)下列反應(yīng)制取:
SiCl4(g)+2H2(g)Si(s)+4HCl(g)該反應(yīng)的反應(yīng)熱ΔH=____________kJ/mol。
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源:2014屆福建省高二第一次月考化學(xué)試卷(解析版) 題型:選擇題
通常人們把拆開1 mol某化學(xué)鍵所吸收的能量看成該化學(xué)鍵的鍵能。現(xiàn)給出化學(xué)鍵的鍵能(見(jiàn)下表):
化學(xué)鍵 |
H—H |
Cl—Cl |
Cl—H |
鍵能/(kJ·mol-1) |
436 |
243 |
431 |
請(qǐng)計(jì)算H2(g)+Cl2(g)===2HCl(g)的反應(yīng)熱( )
A.+862 kJ·mol-1 B.+679 kJ·mol-1
C.-183 kJ·mol-1 D.+183 kJ·mol-1
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源:2012年人教版高中化學(xué)必修二2.1 化學(xué)能與熱能練習(xí)卷(解析版) 題型:填空題
通常人們把拆開1 mol某化學(xué)鍵所吸收的能量看成該化學(xué)鍵的鍵能。鍵能的大小可以衡量化學(xué)鍵的強(qiáng)弱,也可用于估算化學(xué)反應(yīng)的反應(yīng)熱(ΔH),化學(xué)反應(yīng)的反應(yīng)熱等于反應(yīng)中斷裂舊化學(xué)鍵的鍵能之和與反應(yīng)中形成新化學(xué)鍵的鍵能之和的差。
請(qǐng)回答下列問(wèn)題:
(1)已知Si、SiC、SiO2熔化時(shí)必須斷裂所含化學(xué)鍵, 比較下列兩組物質(zhì)的熔點(diǎn)高低(填“>”或“<”):
SiC_____Si,Si _____ SiO2
(2)工業(yè)上高純硅可通過(guò)下列反應(yīng)制。 SiCl4(g)+2H2 (g) Si(s)+4HCl(g), 則2 mol H2生成高純硅需_____ (填“吸收”或“放出”)能量_____ kJ。
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源:2010年鄭州市高二下學(xué)期期末考試化學(xué)試題 題型:填空題
(8分)通常人們把拆開1 mol某化學(xué)鍵所吸收的能量看成該化學(xué)鍵的鍵能。鍵能的大小可以衡量化學(xué)鍵的強(qiáng)弱,也可用于估算化學(xué)反應(yīng)的反應(yīng)熱(△H),化學(xué)反應(yīng)的△H等于反應(yīng)中斷裂舊化學(xué)鍵的鍵能之和與反應(yīng)中形成新化學(xué)鍵的鍵能之和的差。
化學(xué)鍵 |
Si—O |
Si—Cl |
H—H |
H—Cl |
Si—Si |
Si—C |
鍵能/kJ·mol—1 |
460 |
360 |
436 |
431 |
176 |
347 |
請(qǐng)回答下列問(wèn)題:
(1)比較下列兩組物質(zhì)的熔點(diǎn)高低(填“>”或“<”
SiC Si; SiCl4 SiO2
(2)右圖立方體中心的“●”表示硅晶體中的一個(gè)原子,請(qǐng)?jiān)诹⒎襟w的頂點(diǎn)用“●”表示出與之緊鄰的硅原子。
(3)工業(yè)上高純硅可通過(guò)下列反應(yīng)制。
SiCl4(g) + 2H2(g) 高溫 Si(s) + 4 HCl(g) 該反應(yīng)的反應(yīng)熱△H = kJ/mol.
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