Question

基態(tài)鍺（Ge）原子的電子排布式是

 

．Ge的最高價(jià)氯化物分子式是

 

．該元素可能的性質(zhì)或應(yīng)用有

 

．
A．是一種活潑的金屬元素
B．其電負(fù)性大于硫
C．其單質(zhì)可作為半導(dǎo)體材料
D．其最高價(jià)氯化物的沸點(diǎn)低于其溴化物的沸點(diǎn)．

Answer 1

考點(diǎn)：原子核外電子排布

專題：化學(xué)鍵與晶體結(jié)構(gòu)

分析：鎵是32號(hào)元素，核外有32個(gè)電子，基態(tài)電子排布遵循能量最低原理、泡利不相容原理和洪特規(guī)則，主族元素的最高價(jià)等于最外層電子數(shù)；
A．Ge是一種金屬元素，但最外層電子數(shù)為4，金屬性不強(qiáng)；
B．硫的其電負(fù)性大于硅，硅的電負(fù)性大于鍺； 
C．鍺單質(zhì)是一種半導(dǎo)體材料；  
D．組成和結(jié)構(gòu)相似的分子晶體，相對(duì)分子質(zhì)量越小，熔點(diǎn)越低；

解答： 解：鎵是32號(hào)元素，核外有32個(gè)電子，基態(tài)鍺（Ge）原子原子的電子排布式為1s²2s²2p⁶3s²3p⁶3d¹⁰4s²4p²，Ge的最高價(jià)為+4價(jià)，氯化物分子式是GeCl₄，
A．Ge是一種金屬元素，但最外層電子數(shù)為4，金屬性不強(qiáng)，故A錯(cuò)誤；
B．硫的其電負(fù)性大于硅，硅的電負(fù)性大于鍺，所以鍺的電負(fù)性小于硫，故B錯(cuò)誤；  
C．鍺單質(zhì)是一種半導(dǎo)體材料，故C正確；  
D．氯化鍺和溴化鍺都是分子晶體，但氯化鍺的相對(duì)分子質(zhì)量小于溴化鍺，所以氯化鍺沸點(diǎn)低于溴化鍺的沸點(diǎn)，
故答案為：1s²2s²2p⁶3s²3p⁶3d¹⁰4s²4p²；GeCl₄；CD．

點(diǎn)評(píng)：本題考查了基態(tài)原子核外電子排布式的書寫及性質(zhì)，難度不大，明確能量最低原理、泡利不相容原理和洪特規(guī)則是正確書寫基態(tài)原子核外電子排布式的關(guān)鍵．