Question

A、B、C、D分別代表四種不同的短周期元素。A元素的原子最外層電子排布為ns1，B元素的原子價電子排布為ns2np2，C元素原子的最外層電子數(shù)是其電子層數(shù)的3倍，D元素原子的M電子層的p能級中有3個電子。

（1）C原子的基態(tài)電子排布式為__________；若A元素的原子最外層電子排布為1s1，則按原子軌道的重疊方式分類，A與C形成的最簡單化合物中的共價鍵屬于__________鍵。

（2）當(dāng)n＝2時，元素A在周期表中的位置是__________，B與C形成的化合物的VSEPR模型名稱為__________形。

（3）當(dāng)n＝3時，B與C形成的晶體類型是__________，此時A、B、C、D四種元素的第一電離能由大到小的順序是__________（用元素符號表示）。

Answer 1

【答案】（1）1s22s22p4； 鍵；（2）第二周期第ⅠA族    直線  （3）原子晶體    O>P>Si>Na。

【解析】

試題分析：（1）由于C元素是短周期元素，原子的最外層電子數(shù)是其電子層數(shù)的3倍，則C是O元素，其基態(tài)電子排布式為1s22s22p4；若A元素的原子最外層電子排布為1s1，則A是H元素，A與C形成的最簡單化合物H2O中的共價鍵屬于極性共價鍵；按原子軌道的重疊方式分類應(yīng)該屬于鍵；（2）當(dāng)n＝2時，元素A是Li,在周期表中的位置是第二周期第ⅠA族;由于 B元素的原子價電子排布為ns2np2，則B是C元素；B與C形成的化合物CO2的VSEPR模型名稱為直線型；（3）當(dāng)n＝3時，由于 B元素的原子價電子排布為ns2np2，則B是Si元素；B與C形成的晶體是SiO2；晶體類型是原子晶體；D元素原子的M電子層的p能級中有3個電子，則D是P元素。元素的非金屬性越強(qiáng)，其第一電離能就越大。同一周期的元素，原子序數(shù)越大，元素的第一電離能就越大；由于此時A、B、C、D四種元素分別是Na、Si、O、P的第一電離能由大到小的順序是  O>P>Si>Na。

考點(diǎn)：考查元素的推斷、元素在周期表中的位置、分子結(jié)構(gòu)、晶體結(jié)構(gòu)及化學(xué)鍵的類型、電離能的比較。