硅的元素符號(hào)為Si，單晶硅是制作電子集成電路的基礎(chǔ)材料用化學(xué)方法可制得高純度硅有關(guān)化學(xué)反應(yīng)方程式為：①SiO2＋2C==Si＋2CO↑�、赟i＋2C12======SiCl4�、跾iCl4＋2H2====Si＋4HCl其中①、③的反應(yīng)類型屬于

[　　]

A．

復(fù)分解反應(yīng)

B．

分解反應(yīng)

C．

置換反

D．

化合反應(yīng)

練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

（1）以基態(tài)硅原子為例，如果電子排布式寫作ls22s22p63s13p3則違反了
能量最低
能量最低
原理，如寫作ls22s22p63s33p1則違反了
泡利
泡利
原理；
（2）已知H、C、Si三種元素的電負(fù)性依次為2.1、2.5、1.8，則CH4、SiH4中C、Si的化合價(jià)依次為
-4
-4
、
+4
+4
；
（3）在我們現(xiàn)今使用的元素周期表中，元素種類最多的族是
ⅢB
ⅢB
族，共
32
32
種元素；元素種類最多的周期是第
六
六
周期，共
32
32
種元素；
（4）熔點(diǎn)：F2
＜
＜
Cl2（填“＜”或“=”“或＞”，下同），沸點(diǎn)：HF
＞
＞
HCl，一定壓強(qiáng)下HF和HCl的混合氣體降溫時(shí)
HF
HF
（填HF或HCl）先液化；
（5）前三周期元素中，基態(tài)原子中未成對(duì)電子數(shù)與其所在周期序數(shù)相同的元素：
H、C、O、P
H、C、O、P
（用元素符號(hào)按原子序數(shù)由小到大排列）．

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

（2009?山東）（化學(xué)-物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)）C和Si元素在化學(xué)中占有極其重要的地位．
（1）寫出Si的基態(tài)原子核外電子排布式
1s22s22p63s23p2
1s22s22p63s23p2
．
從電負(fù)性角度分析，C、Si和O元素的非金屬活潑性由強(qiáng)至弱的順序?yàn)?!--BA-->
O＞C＞Si
O＞C＞Si
．
（2）SiC的晶體結(jié)構(gòu)與晶體硅的相似，其中C原子的雜化方式為
sp3
sp3
，微粒間存在的作用力是
共價(jià)鍵
共價(jià)鍵
．
（3）氧化物MO的電子總數(shù)與SiC的相等，則M為
Mg
Mg
（填元素符號(hào)）．MO是優(yōu)良的耐高溫材料，其晶體結(jié)構(gòu)與NaCl晶體相似．MO的熔點(diǎn)比CaO的高，其原因是
Mg2+半徑比Ca2+小，MgO晶格能大
Mg2+半徑比Ca2+小，MgO晶格能大
．
（4）C、Si為同一主族的元素，CO2和SiO2化學(xué)式相似，但結(jié)構(gòu)和性質(zhì)有很大不同．CO2中C與O原子間形成σ鍵和π鍵，SiO2中Si與O原子間不形成上述π健．從原子半徑大小的角度分析，為何C、O原子間能形成，而Si、O原子間不能形成上述π鍵
Si的原子半徑較大，Si、O原子間距離較大，p-p軌道肩并肩重疊程度較小，不能形成上述穩(wěn)定的π鍵
Si的原子半徑較大，Si、O原子間距離較大，p-p軌道肩并肩重疊程度較小，不能形成上述穩(wěn)定的π鍵
．

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：閱讀理解

（2009?汕頭二模）不同元素的原子在分子內(nèi)吸引電子的能力大小可用數(shù)值表示，該數(shù)值稱為電負(fù)性．一般認(rèn)為：如果兩個(gè)成鍵元素間的電負(fù)性差值大于1.7，原子之間通常形成離子鍵；如果兩個(gè)成鍵元素間的電負(fù)性差值小于1.7，通常形成共價(jià)鍵．下表是某些元素的電負(fù)性值：
元素符號(hào) Li Be B C O F Na Al Si P S Cl
電負(fù)性值 0.98 1.57 2.04 2.55 3.44 3.98 0.93 1.61 1.90 2.19 2.58 3.16
觀察上述數(shù)據(jù)，回答下列問題：
（1）通過分析電負(fù)性值變化規(guī)律，確定Mg元素電負(fù)性值的最小范圍
0.93～1.57
0.93～1.57
；
（2）請(qǐng)歸納元素的電負(fù)性和金屬、非金屬的關(guān)系是
非金屬性越強(qiáng)，電負(fù)性越大，金屬性越強(qiáng)，電負(fù)性越小
非金屬性越強(qiáng)，電負(fù)性越大，金屬性越強(qiáng)，電負(fù)性越小
；
（3）COCl2俗稱光氣，分子中C原子以
sp2
sp2
雜化軌道方式與其它原子成鍵；分子結(jié)構(gòu)中含有C-Cl鍵，其共用電子對(duì)偏向
Cl
Cl
（寫原子名稱）．
（4）氯和硅元素形成的化合物SiCl4為共價(jià)化合物，它與氨氣一起使用可用于海上軍事作戰(zhàn)起煙幕作用，試說明原因并寫出相應(yīng)發(fā)生的化學(xué)反應(yīng)方程式：
因?yàn)樗穆然枧c水發(fā)生反應(yīng)（強(qiáng)烈水解）產(chǎn)生大量的氯化氫氣體，氯化氫與氨氣化合產(chǎn)生大量的白煙，起隱蔽作用；SiCl4+4H2O═4HCl↑+H4SiO4，NH3+HCl=NH4Cl
因?yàn)樗穆然枧c水發(fā)生反應(yīng)（強(qiáng)烈水解）產(chǎn)生大量的氯化氫氣體，氯化氫與氨氣化合產(chǎn)生大量的白煙，起隱蔽作用；SiCl4+4H2O═4HCl↑+H4SiO4，NH3+HCl=NH4Cl
；
（5）從電負(fù)性角度，判斷AlCl3是離子化合物還是共價(jià)化合物？請(qǐng)說出理由（即寫出判斷的方法和結(jié)論）是：
Al元素和Cl元素的電負(fù)性差值為1.55＜1.7，所以形成共價(jià)鍵，為共價(jià)化合物
Al元素和Cl元素的電負(fù)性差值為1.55＜1.7，所以形成共價(jià)鍵，為共價(jià)化合物
；請(qǐng)?jiān)O(shè)計(jì)一個(gè)實(shí)驗(yàn)方案證明上述所得到的結(jié)論：
將氯化鋁加熱到熔融態(tài)，進(jìn)行導(dǎo)電性實(shí)驗(yàn)，如果不導(dǎo)電，說明是共價(jià)化合物
將氯化鋁加熱到熔融態(tài)，進(jìn)行導(dǎo)電性實(shí)驗(yàn)，如果不導(dǎo)電，說明是共價(jià)化合物
．

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：閱讀理解

C和Si元素在化學(xué)中占有極其重要的地位．
（1）寫出Si的基態(tài)原子核外電子排布式
1s22s22p63s23p2
1s22s22p63s23p2
．從電負(fù)性角度分析，C、Si和O元素的非金屬活潑性由強(qiáng)至弱的順序?yàn)?!--BA-->
O＞C＞Si
O＞C＞Si
．
（2）SiC的晶體結(jié)構(gòu)與晶體硅的相似，其中C原子的雜化方式為
sp3
sp3
，微粒間存在的作用力是
共價(jià)鍵
共價(jià)鍵
．
（3）氧化物MO的電子總數(shù)與SiC的相等，則M為
Mg
Mg
（填元素符號(hào)），MO是優(yōu)良的耐高溫材料，其晶體結(jié)構(gòu)與NaCl晶體相似，MO的熔點(diǎn)比CaO的高，其原因是
Ca2+的離子半徑大于Mg2+，MgO的晶格能大
Ca2+的離子半徑大于Mg2+，MgO的晶格能大
．
（4）C、Si為同一主族的元素，CO2和SiO2化學(xué)式相似，但結(jié)構(gòu)和性質(zhì)有很大不同．CO2中C與O原子間形成σ鍵和π鍵，SiO2中Si與O原子間不形成上述π健．從原子半徑大小的角度分析，為何C、O原子間能形成，而Si、O原子間不能形成上述π健
Si、O原子間距離較大，p-p軌道肩并肩重疊程度較小，不能形成上述穩(wěn)定的π鍵
Si、O原子間距離較大，p-p軌道肩并肩重疊程度較小，不能形成上述穩(wěn)定的π鍵
．
（5）有A、B、C三種物質(zhì)，每個(gè)分子中都各有14個(gè)電子，其中A的分子屬于非極性分子，且只有非極性鍵；B的分子也屬于非極性分子，但既有非極性鍵，又有極性鍵；C的分子屬于極性分子．則可推出：A的電子式是
，B的結(jié)構(gòu)式是
H-C≡C-H
H-C≡C-H
．
（6）已知Si-Si鍵能為176kJ/mol，Si-O鍵能為460kJ/mol，O=O鍵能為497.3kJ/mol．則可計(jì)算出1mol硅與足量氧氣反應(yīng)時(shí)將放出
=-990.7
=-990.7
kJ的熱量．

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