A. | 電子排布式1s22s22p63s23p64s3違反了泡利原理 | |
B. | 基態(tài)原子電子排布式1s22s22p63s23p63d5違反了能量最低原理 | |
C. | 根據(jù)構(gòu)造原理,原子核外電子填充順序?yàn)?s2s2p3s3p4s3d4p5s5p4d6s4f5d6p | |
D. | 某主族元素氣態(tài)基態(tài)原子的逐級(jí)電離能分別為738、1451、7733、10540、13630、17995、21703…,當(dāng)它與氯氣反應(yīng)時(shí)生成的陽離子是X2+ |
分析 A.泡利不相容原理:每個(gè)原子軌道上最多只能容納 2個(gè)自旋狀態(tài)相反的電子;
B.根據(jù)4s軌道能量比3d軌道能量還低分析;
C.根據(jù)構(gòu)造原理,原子核外電子填充順序1s2s2p3s3p4s3d4p5s4d5p6s4f5d6p;
D.該元素第三電離能劇增,最外層應(yīng)有2個(gè)電子,表現(xiàn)+2價(jià).
解答 解:A.根據(jù)泡利不相容原理知,4s軌道最多排2個(gè)電子,故A正確;
B.因?yàn)?s軌道能量比3d軌道能量還低,所以基態(tài)原子電子排布式1s22s22p63s23p63d5違反了能量最低原理,應(yīng)該為1s22s22p63s23p63d34s2,故B正確;
C.根據(jù)構(gòu)造原理,原子核外電子填充順序1s2s2p3s3p4s3d4p5s4d5p6s4f5d6p,故C錯(cuò)誤;
D.該元素第三電離能劇增,最外層應(yīng)有2個(gè)電子,表現(xiàn)+2價(jià),當(dāng)它與氯氣反應(yīng)時(shí)最可能生成的陽離子是X2+,故D正確;
故選C.
點(diǎn)評(píng) 本題考查核外電子排布以及電離能的定義和應(yīng)用,比較基礎(chǔ),側(cè)重對基礎(chǔ)知識(shí)鞏固,注意對構(gòu)造原理的全面掌握.
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:解答題
實(shí)驗(yàn)現(xiàn)象 | 解釋原因 |
Cu片上產(chǎn)生了大量氣泡 | Zn、Cu構(gòu)成原電池,H+在Cu片上得電子產(chǎn)生氫氣 |
溫度計(jì)指示的溫度無明顯變化 | 反應(yīng)中的化學(xué)能主要轉(zhuǎn)化成了電能 |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:填空題
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題
A. | 沸點(diǎn):PH3>NH3>H2O | |
B. | CO2分子中的化學(xué)鍵為非極性鍵 | |
C. | NH3分子中N原子的雜化軌道類型是sp2 | |
D. | NH4+為正四面體結(jié)構(gòu),可推測出PH4+也為正四面體結(jié)構(gòu) |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題
A. | W、Y、Z的電負(fù)性大小順序一定是Z>Y>W(wǎng) | |
B. | W、X、Y、Z的原子半徑大小順序可能是W>X>Y>Z | |
C. | Y、Z形成的分子的空間構(gòu)型可能是正四面體 | |
D. | 若有WY2,則WY2分子中σ鍵與π鍵的數(shù)目之比是2:1 |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:填空題
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:填空題
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:解答題
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題
A. | 一定不大于7 | B. | 一定不小于7 | C. | 一定等于7 | D. | 可能大于7 |
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