下列說(shuō)法正確的是（      ）

A．1 mol Cl2參加反應(yīng)轉(zhuǎn)移電子數(shù)一定為2NA
B．在反應(yīng)KClO3＋6HCl=KCl＋3Cl2＋3H2O中，每生成3 mol Cl2轉(zhuǎn)移電子數(shù)為6NA
C．SiO2與燒堿反應(yīng)只生成鹽和水，屬于酸性氧化物
D．Cl2的水溶液具有酸性，Cl2通入紫色石蕊溶液中，溶液只變紅

C

解析試題分析：A、看具體反映，在氯氣與水的反應(yīng)中就只轉(zhuǎn)移了NA，錯(cuò)誤；B、轉(zhuǎn)移電子5NA，錯(cuò)誤；C、正確；D、如果量少，也可能是紫色，錯(cuò)誤。
考點(diǎn)：氯元素、二氧化硅。

練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：單選題

下列關(guān)于濃硝酸和濃硫酸的敘述中正確的是

A．常溫下均可用鋁制容器運(yùn)輸
B．露置在空氣中，容器內(nèi)酸液質(zhì)量都減小
C．常溫下均能與銅較快反應(yīng)
D．露置在空氣中，容器內(nèi)酸液質(zhì)量都增大

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：單選題

由二氧化硅制高純硅的流程如下，下列判斷中錯(cuò)誤的是

A．①②③均屬于氧化還原反應(yīng) B．H2和HCl均可循環(huán)利用
C．SiO2是一種堅(jiān)硬難熔的固體 D．SiHCl3摩爾質(zhì)量為135.5g

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：單選題

將SO2通入BaCl­2溶液至飽和，未見(jiàn)有沉淀，繼續(xù)通入另一種氣體X仍無(wú)沉淀，則X可能是:

A．CO2B．NH3　 　C．NO2　　D．H2S

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：單選題

常溫下，往溶液中滴加少量溶液，可發(fā)生如下兩個(gè)反應(yīng)：，下列說(shuō)法正確的是

A．在分解過(guò)程中，和的總量保持不變
B．的氧化性比強(qiáng)，其還原性比弱
C．在分解過(guò)程中，溶液的逐漸下降
D．生產(chǎn)過(guò)程中加入少量可以提高產(chǎn)率

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：單選題

如圖：A處通入氯氣，關(guān)閉B閥時(shí)，C處濕潤(rùn)紅色布條無(wú)變化，打開(kāi)B閥時(shí)，C處濕潤(rùn)的紅色布條褪色。則D中可以盛放足量的 （   ）

A．濃硫酸 B．氫氧化鈉溶液 C．水 D．飽和食鹽水

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：單選題

將51.2gCu完全溶于適量濃硝酸中，收集到氮的氧化物（含NO、N2O4、NO2）的混合物共0.8mol，這些氣體恰好能被500ml 2mol/LNaOH溶液完全吸收，生成含NaNO3和NaNO2的鹽溶液，則原混合氣體中NO的物質(zhì)的量為 （    ）

A．0.3mol B．0.4mol C．0.5mol D． 0.6mol

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：單選題

下列變化過(guò)程中不能直接實(shí)現(xiàn)的是（  ）
①HCl      ②Cl2     ③Ca(ClO)2     ④HClO     ⑤CO2

A．④→⑤ B．①→② C．③→④ D．②→③

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：單選題

單晶硅是制作電子集成電路的基礎(chǔ)材料�？茖W(xué)家預(yù)計(jì)，到2014年一個(gè)電腦芯片上將會(huì)集成100億個(gè)晶體管，其功能遠(yuǎn)比我們想象的要大的多，這對(duì)硅的純度要求很高。用化學(xué)方法可制得高純度硅，其化學(xué)方程式為 ： 
①SiO2 + 2CSi  + 2CO
②Si + 2Cl2SiCl4
③SiCl4 + 2H2 Si + 4HCl
其中，反應(yīng)①和③屬于

A．化合反應(yīng)B．分解反應(yīng)C．置換反應(yīng)D．復(fù)分解反應(yīng)o

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同步練習(xí)冊(cè)答案