Question

下列離子方程式書寫正確的是（　�。�

• A、用氯化鐵溶液腐蝕電路板：Fe³⁺+Cu=Fe²⁺+Cu²⁺
• B、實(shí)驗(yàn)室吸收氯氣：Cl₂+2OH^-=Cl^-+ClO^-+H₂O
• C、NH₄HCO₃溶液與過量的NaOH溶液反應(yīng)：N

  H

  + 4

  +OH-=NH3↑+H2O
• D、銅片溶于稀硝酸中：Cu+4H++2N

  O

  - 3

  =Cu2++2NO2↑+2H2O

Answer 1

考點(diǎn)：離子方程式的書寫

專題：離子反應(yīng)專題

分析：A．電荷不守恒；
B．反應(yīng)生成氯化鈉、次氯酸鈉和水；
C．漏寫碳酸氫根離子與堿的反應(yīng)；
D．反應(yīng)生成NO．

解答： 解：A．用氯化鐵溶液腐蝕電路板的離子反應(yīng)為2Fe³⁺+Cu=2Fe²⁺+Cu²⁺，故A錯(cuò)誤；
B．實(shí)驗(yàn)室吸收氯氣的離子反應(yīng)為Cl₂+2OH^-=Cl^-+ClO^-+H₂O，故B正確；
C．NH₄HCO₃溶液與過量的NaOH溶液反應(yīng)的離子反應(yīng)為HCO₃^-+NH₄⁺+2OH^-=NH₃．H₂O+H₂O+CO₃^2-，故C錯(cuò)誤；
D．銅片溶于稀硝酸中的離子反應(yīng)為3Cu+8H⁺+2NO₃^-=3Cu²⁺+2NO↑+4H₂O，故D錯(cuò)誤；
故選B．

點(diǎn)評(píng)：本題考查離子方程式的書寫，明確發(fā)生的化學(xué)反應(yīng)是解答本題的關(guān)鍵，注意量對(duì)反應(yīng)的影響即可解答，選項(xiàng)C為易錯(cuò)點(diǎn)，題目難度不大．