下列各晶體熔沸點(diǎn)高低的比較,正確的是(  )
分析:比較晶體的熔沸點(diǎn)高低注意以下角度:
一、不同類型晶體熔沸點(diǎn)高低的比較
一般來說,原子晶體>離子晶體>分子晶體;金屬晶體(除少數(shù)外)>分子晶體.例如:SiO2>NaCL>CO2(干冰)金屬晶體的熔沸點(diǎn)有的很高,如鎢、鉑等;有的則很低,如汞、鎵、銫等.
二、同類型晶體熔沸點(diǎn)高低的比較
同一晶體類型的物質(zhì),需要比較晶體內(nèi)部結(jié)構(gòu)粒子間的作用力,作用力越大,熔沸點(diǎn)越高.影響分子晶體熔沸點(diǎn)的是晶體分子中分子間的作用力,包括范德華力和氫鍵.
1.同屬分子晶體
①組成和結(jié)構(gòu)相似的分子晶體,一般來說相對(duì)分子質(zhì)量越大,分子間作用力越強(qiáng),熔沸點(diǎn)越高.例如:I2>Br2>Cl2>F2
②組成和結(jié)構(gòu)相似的分子晶體,如果分子之間存在氫鍵,則分子之間作用力增大,熔沸點(diǎn)出現(xiàn)反常.有氫鍵的熔沸點(diǎn)較高.例如,熔點(diǎn):HI>HBr>HF>HCl;沸點(diǎn):HF>HI>HBr>HCl.
2.同屬原子晶體
原子晶體熔沸點(diǎn)的高低與共價(jià)鍵的強(qiáng)弱有關(guān).一般來說,半徑越小形成共價(jià)鍵的鍵長越短,鍵能就越大,晶體的熔沸點(diǎn)也就越高.例如:金剛石(C-C)>二氧化硅(Si-O)>碳化硅(Si-C)晶體硅(Si-Si).
3.同屬離子晶體
離子的半徑越小,所帶的電荷越多,則離子鍵越強(qiáng),熔沸點(diǎn)越高.例如:MgO>MgCl2,NaCl>CsCl.
解答:解:A、三種晶體都為原子晶體,原子晶體熔沸點(diǎn)的高低與共價(jià)鍵的強(qiáng)弱有關(guān).一般來說,半徑越小形成共價(jià)鍵的鍵長越短,鍵能就越大,晶體的熔沸點(diǎn)也就越高,原子半徑大小順序?yàn)?BR>Si>C>O,熔沸點(diǎn)高低順序?yàn)椋航饎偸臼⑸埃竟,故A錯(cuò)誤;
B、三種晶體都為離子晶體,離子的半徑越小,則離子鍵越強(qiáng),熔沸點(diǎn)越高,正確順序應(yīng)為:NaCl>KCl>CsCl,故B錯(cuò)誤;
C、三種晶體中,SiO2為原子晶體,熔沸點(diǎn)最高,CO2為分子晶體,CO2熔沸點(diǎn)最低,正確順序?yàn)椋篠iO2>Hg>CO2,故C錯(cuò)誤.
D、H2O和NH3都存在氫鍵,熔沸點(diǎn)高于氫氣,但O的原子半徑比N原子半徑小,非金屬性更強(qiáng),H2O分子間的氫鍵作用力更強(qiáng),故D正確.
故選D.
點(diǎn)評(píng):本題考查不同晶體熔沸點(diǎn)高低的比較,題目難度不大,注意同種晶體和不同晶體熔沸點(diǎn)高低比較的方法和角度.
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科目:高中化學(xué) 來源:不詳 題型:單選題

下列各晶體熔沸點(diǎn)高低的比較,正確的是( 。
A.硅>金剛石>石英砂B.CsCl>KCl>NaCl
C.SiO2>CO2>HgD.H2O>NH3>H2

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科目:高中化學(xué) 來源:2010年四川省宜賓市江安中學(xué)高考化學(xué)一模試卷(解析版) 題型:選擇題

下列各晶體熔沸點(diǎn)高低的比較,正確的是( )
A.硅>金剛石>石英砂
B.CsCl>KCl>NaCl
C.SiO2>CO2>Hg
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