Question

如圖是元素周期表的一部分，表中所列字母分別代表一種元素．

試回答下列問題：
（1）以上元素中，屬于d區(qū)元素的是

 

（填元素符號），h在周期表的位置是

 

，元素k的基態(tài)原子電子排布式為

 

．
（2）畫出c的核外電子排布圖：

 

，這樣排布遵循了構(gòu)造原理、

 

原理和

 

規(guī)則．
（3）元素b的電負(fù)性

 

元素g的電負(fù)性（填“＞”、“=”、“＜”），元素b、c、e的第一電離能由大到小的順序是

 

（用元素符號表示）；第三周期元素最高價(jià)氧化物對應(yīng)的水化物中，酸性最強(qiáng)的是

 

（填化合物的化學(xué)式，下同），堿性最強(qiáng)的是

 

．
（4）由b原子跟g原子以1：1相互交替結(jié)合而形成的晶體，其晶型與晶體g相同．兩者相比熔點(diǎn)更高的是

 

（填化學(xué)式），1 mol該晶體中含有

 

mol b-g共價(jià)鍵．

Answer 1

考點(diǎn)：元素周期律和元素周期表的綜合應(yīng)用

專題：元素周期律與元素周期表專題

分析：由元素在周期表中位置，可知a為H、b為C、c為N、e為O、f為Na、g為Si、h為Cl、j為Ti、k為Fe．
（1）d區(qū)元素包含ⅢB族～ⅦB族、第Ⅷ族元素，即3～10列元素（鑭系元素、錒系元素除外）；根據(jù)h的位置確定在周期表中位置；根據(jù)能量最低原理書寫Fe元素基態(tài)原子電子排布式；
（2）c的核外電子排布式為1s²2s²2p³，遵循構(gòu)造原理、泡利原理與洪特規(guī)則；
（3）同主族自上而下電負(fù)性減小；同周期自左而右第一電離能呈增大趨勢，元素原子各軌道處于半滿、全滿、全空時(shí)，能量較低，第一電離能高于同周期相鄰元素；
非金屬性越強(qiáng)，最高價(jià)含氧酸的酸性越強(qiáng)，金屬性越強(qiáng)，最高氧化物對應(yīng)水化物的堿性越強(qiáng)；
（4）由b原子跟g原子以1：1相互交替結(jié)合而形成SiC晶體，其晶型與晶體Si相同，都屬于原子晶體，鍵長越短，共價(jià)鍵越穩(wěn)定，熔點(diǎn)越高；晶體中每個(gè)Si原子與周圍的4個(gè)C原子形成4個(gè)Si-C鍵．

解答： 解：由元素在周期表中位置，可知a為H、b為C、c為N、e為O、f為Na、g為Si、h為Cl、j為Ti、k為Fe．
（1）d區(qū)元素包含ⅢB族～ⅦB族、第Ⅷ族元素，即3～10列元素（鑭系元素、錒系元素除外），上述元素中Ti、Fe屬于d區(qū)元素；根據(jù)h的位置，可知其處于第三周期第ⅦA族；Fe元素基態(tài)原子電子排布式為：1s²2s²2p⁶3s²3p⁶3d⁶4s²，
故答案為：Ti、Fe；第三周期第ⅦA族；1s²2s²2p⁶3s²3p⁶3d⁶4s²；
（2）c的核外電子排布式為1s²2s²2p³，核外電子排布圖：，遵循構(gòu)造原理、泡利原理與洪特規(guī)則，
故答案為：；泡利；洪特；
（3）同主族自上而下電負(fù)性減小，故電負(fù)性C＞Si；同周期自左而右第一電離能呈增大趨勢，N元素原子2p軌道容納3個(gè)電子，為半滿穩(wěn)定狀態(tài)，能量較低，第一電離能高于同周期相鄰元素，故第一電離能N＞O＞C，
第三周期元素中Cl的非金屬性最強(qiáng)，Na的金屬性最強(qiáng)，最高價(jià)氧化物對應(yīng)的水化物中，酸性最強(qiáng)的是HClO₄，堿性最強(qiáng)的是 NaOH，
故答案為：＞；N＞O＞C；HClO₄；NaOH；
非金屬性越強(qiáng)，最高價(jià)含氧酸的酸性越強(qiáng)，金屬性越強(qiáng)，最高氧化物對應(yīng)水化物的堿性越強(qiáng)；
（4）由b原子跟g原子以1：1相互交替結(jié)合而形成SiC晶體，其晶型與晶體Si相同，都屬于原子晶體，鍵長：Si-C鍵＜Si-Si鍵，故Si-C鍵更穩(wěn)定，熔點(diǎn)SiC＞晶體Si，晶體中每個(gè)Si原子與周圍的4個(gè)C原子形成4個(gè)Si-C鍵，故1 mol該晶體中含有4mol Si-C共價(jià)鍵，
故答案為：SiC；4．

點(diǎn)評：本題是對物質(zhì)結(jié)構(gòu)的考查，涉及元素周期表、核外電子排布、電負(fù)性、電離能、晶體類型與性質(zhì)、晶體結(jié)構(gòu)等，側(cè)重對主干知識的考查，需要學(xué)生具備扎實(shí)的基礎(chǔ)，理解同周期中第一電離能異常原因，難度中等．