下列物質(zhì)晶體屬離子晶體的是………………………………( 

A. Na2O2                  B. NaOH

C. H2O2                   D. NH3·H2O

 

練習(xí)冊(cè)系列答案
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:

(2011?新余二模)化學(xué)--選修物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)
已知:A、B、C、D、E、F五種元素核電荷數(shù)依次增大,屬周期表中前四周期的元素.其中A原子核外有三個(gè)未成對(duì)電子;化合物B2E的晶體為離子晶體,E原子核外的M層中只有兩對(duì)成對(duì)電子;C元素是地殼中含量最高的金屬元素;D單質(zhì)的熔點(diǎn)在同周期元素形成的單質(zhì)中是最高的;F原子核外最外層電子數(shù)與B相同,其余各層均充滿.請(qǐng)根據(jù)以上信息,回答下列問(wèn)題:
(1)A、B、C、D的第一電離能由小到大的順序?yàn)?!--BA-->
Na<Al<Si<N
Na<Al<Si<N
.(用元素符號(hào)表示)
(2)B的氯化物的熔點(diǎn)比D的氯化物的熔點(diǎn)
(填高或低),理由是
NaCl為離子晶體而SiCl4為分子晶體
NaCl為離子晶體而SiCl4為分子晶體

(3)E的最高價(jià)氧化物分子的空間構(gòu)型是
平面正三角形
平面正三角形

(4)F的核外電子排布式是
1s22s22p63s23p63d104s1(或[Ar]3d104s1
1s22s22p63s23p63d104s1(或[Ar]3d104s1
,F(xiàn)的高價(jià)離子與A的簡(jiǎn)單氫化物形成的配離子的化學(xué)式為
[Cu(NH34]2+
[Cu(NH34]2+

(5)A、F形成某種化合物的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示,則其化學(xué)式為
Cu3 N
Cu3 N
;(黑色球表示F原子)
(6)A、C形成的化合物具有高沸點(diǎn)和高硬度,是一種新型無(wú)機(jī)非金屬材料,其晶體中所含的化學(xué)鍵類(lèi)型為
共價(jià)鍵
共價(jià)鍵

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科目:高中化學(xué) 來(lái)源:2011年黑龍江省雞西一中高考化學(xué)二模試卷(解析版) 題型:解答題

化學(xué)--選修物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)
已知:A、B、C、D、E、F五種元素核電荷數(shù)依次增大,屬周期表中前四周期的元素.其中A原子核外有三個(gè)未成對(duì)電子;化合物B2E的晶體為離子晶體,E原子核外的M層中只有兩對(duì)成對(duì)電子;C元素是地殼中含量最高的金屬元素;D單質(zhì)的熔點(diǎn)在同周期元素形成的單質(zhì)中是最高的;F原子核外最外層電子數(shù)與B相同,其余各層均充滿.請(qǐng)根據(jù)以上信息,回答下列問(wèn)題:
(1)A、B、C、D的第一電離能由小到大的順序?yàn)開(kāi)_____.(用元素符號(hào)表示)
(2)B的氯化物的熔點(diǎn)比D的氯化物的熔點(diǎn)______(填高或低),理由是______.
(3)E的最高價(jià)氧化物分子的空間構(gòu)型是______.
(4)F的核外電子排布式是______,F(xiàn)的高價(jià)離子與A的簡(jiǎn)單氫化物形成的配離子的化學(xué)式為_(kāi)_____.
(5)A、F形成某種化合物的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示,則其化學(xué)式為_(kāi)_____;(黑色球表示F原子)
(6)A、C形成的化合物具有高沸點(diǎn)和高硬度,是一種新型無(wú)機(jī)非金屬材料,其晶體中所含的化學(xué)鍵類(lèi)型為_(kāi)_____.

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科目:高中化學(xué) 來(lái)源:2009年江蘇省淮安市淮陰中學(xué)高考化學(xué)模擬試卷(三)(解析版) 題型:解答題

化學(xué)--選修物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)
已知:A、B、C、D、E、F五種元素核電荷數(shù)依次增大,屬周期表中前四周期的元素.其中A原子核外有三個(gè)未成對(duì)電子;化合物B2E的晶體為離子晶體,E原子核外的M層中只有兩對(duì)成對(duì)電子;C元素是地殼中含量最高的金屬元素;D單質(zhì)的熔點(diǎn)在同周期元素形成的單質(zhì)中是最高的;F原子核外最外層電子數(shù)與B相同,其余各層均充滿.請(qǐng)根據(jù)以上信息,回答下列問(wèn)題:
(1)A、B、C、D的第一電離能由小到大的順序?yàn)開(kāi)_____.(用元素符號(hào)表示)
(2)B的氯化物的熔點(diǎn)比D的氯化物的熔點(diǎn)______(填高或低),理由是______.
(3)E的最高價(jià)氧化物分子的空間構(gòu)型是______.
(4)F的核外電子排布式是______,F(xiàn)的高價(jià)離子與A的簡(jiǎn)單氫化物形成的配離子的化學(xué)式為_(kāi)_____.
(5)A、F形成某種化合物的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示,則其化學(xué)式為_(kāi)_____;(黑色球表示F原子)
(6)A、C形成的化合物具有高沸點(diǎn)和高硬度,是一種新型無(wú)機(jī)非金屬材料,其晶體中所含的化學(xué)鍵類(lèi)型為_(kāi)_____.

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科目:高中化學(xué) 來(lái)源:2011年江西省新余市高考化學(xué)二模試卷(解析版) 題型:解答題

化學(xué)--選修物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)
已知:A、B、C、D、E、F五種元素核電荷數(shù)依次增大,屬周期表中前四周期的元素.其中A原子核外有三個(gè)未成對(duì)電子;化合物B2E的晶體為離子晶體,E原子核外的M層中只有兩對(duì)成對(duì)電子;C元素是地殼中含量最高的金屬元素;D單質(zhì)的熔點(diǎn)在同周期元素形成的單質(zhì)中是最高的;F原子核外最外層電子數(shù)與B相同,其余各層均充滿.請(qǐng)根據(jù)以上信息,回答下列問(wèn)題:
(1)A、B、C、D的第一電離能由小到大的順序?yàn)開(kāi)_____.(用元素符號(hào)表示)
(2)B的氯化物的熔點(diǎn)比D的氯化物的熔點(diǎn)______(填高或低),理由是______.
(3)E的最高價(jià)氧化物分子的空間構(gòu)型是______.
(4)F的核外電子排布式是______,F(xiàn)的高價(jià)離子與A的簡(jiǎn)單氫化物形成的配離子的化學(xué)式為_(kāi)_____.
(5)A、F形成某種化合物的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示,則其化學(xué)式為_(kāi)_____;(黑色球表示F原子)
(6)A、C形成的化合物具有高沸點(diǎn)和高硬度,是一種新型無(wú)機(jī)非金屬材料,其晶體中所含的化學(xué)鍵類(lèi)型為_(kāi)_____.

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科目:高中化學(xué) 來(lái)源:2011年寧夏銀川一中高考化學(xué)一模試卷(解析版) 題型:解答題

化學(xué)--選修物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)
已知:A、B、C、D、E、F五種元素核電荷數(shù)依次增大,屬周期表中前四周期的元素.其中A原子核外有三個(gè)未成對(duì)電子;化合物B2E的晶體為離子晶體,E原子核外的M層中只有兩對(duì)成對(duì)電子;C元素是地殼中含量最高的金屬元素;D單質(zhì)的熔點(diǎn)在同周期元素形成的單質(zhì)中是最高的;F原子核外最外層電子數(shù)與B相同,其余各層均充滿.請(qǐng)根據(jù)以上信息,回答下列問(wèn)題:
(1)A、B、C、D的第一電離能由小到大的順序?yàn)開(kāi)_____.(用元素符號(hào)表示)
(2)B的氯化物的熔點(diǎn)比D的氯化物的熔點(diǎn)______(填高或低),理由是______.
(3)E的最高價(jià)氧化物分子的空間構(gòu)型是______.
(4)F的核外電子排布式是______,F(xiàn)的高價(jià)離子與A的簡(jiǎn)單氫化物形成的配離子的化學(xué)式為_(kāi)_____.
(5)A、F形成某種化合物的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示,則其化學(xué)式為_(kāi)_____;(黑色球表示F原子)
(6)A、C形成的化合物具有高沸點(diǎn)和高硬度,是一種新型無(wú)機(jī)非金屬材料,其晶體中所含的化學(xué)鍵類(lèi)型為_(kāi)_____.

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