已知A、B、C、D、E、F、G、H可以發(fā)生如圖所示的轉(zhuǎn)化，反應(yīng)中部分生成物已略去。其中，A、G為同一主族元素的單質(zhì)，B、C、H在通常情況下為氣體，化合物C是一種形成酸雨的大氣污染物。

請(qǐng)完成以下填空：
（1）H的名稱是________。
（2）E的兩種用途是________、________。
（3）反應(yīng)③的化學(xué)方程式是________。
（4）反應(yīng)④的離子方程式是________。

（1）一氧化碳
（2）生產(chǎn)玻璃　制粗硅（其他合理答案均可）
（3）C＋2H2SO4（濃） CO2↑＋2SO2↑＋2H2O
（4）SiO32-＋CO2＋H2O=H2SiO3↓＋CO32-

解析

練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中化學(xué) 來源： 題型：填空題

某含氯化合物A由兩種短周期元素組成，常溫下該物質(zhì)為氣態(tài)，測得該氣體對(duì)空氣的相對(duì)密度為3.0，A溶于水可得只含單一溶質(zhì)B的弱酸性溶液，B溶液在放置過程中其酸性會(huì)增強(qiáng)。常溫下，氣體A與NH3反應(yīng)生成離子晶體C、氣體單質(zhì)D和常見液體E，D為空氣中含量最多的物質(zhì)。氣體A可用某一氣體單質(zhì)與潮濕的Na2CO3反應(yīng)制得，同時(shí)生成兩種鈉鹽。請(qǐng)回答下列問題：
（1）氣體A的化學(xué)式為                 ，氣體單質(zhì)D對(duì)應(yīng)元素在周期表中的位置為              。
（2）用化學(xué)方程式表示B溶液酸性增強(qiáng)的原因              。
（3）氣體A與NH3反應(yīng)的化學(xué)方程式為   ，該反應(yīng)體現(xiàn)氣體A具有          性。
（4）試寫出制取氣體A的化學(xué)方程式為                        。
（5）設(shè)計(jì)實(shí)驗(yàn)探究離子晶體C的成分為                        。

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：填空題

某同學(xué)對(duì)Cl2與KI溶液的反應(yīng)進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)探究。反應(yīng)裝置如下：

通入氯氣一段時(shí)間，KI溶液變?yōu)辄S色。繼續(xù)通入氯氣一段時(shí)間后，溶液黃色褪去，變?yōu)闊o色。繼續(xù)通入氯氣，最后溶液變?yōu)闇\黃綠色。
（1）已知I2＋I(xiàn)－ I3－ ，I2、I3－在水中均呈黃色。為確定黃色溶液的成分，進(jìn)行了以下實(shí)驗(yàn)。

 
操作
實(shí)驗(yàn)現(xiàn)象
a
取2~3 mL黃色溶液，加入足量CCl4， 振蕩靜置。
CCl4層呈紫紅色， 水層顯淺黃色。
b
取2~3 mL飽和碘水，加入足量CCl4， 振蕩靜置。
CCl4層呈紫紅色，水層幾近無色。
 
① 實(shí)驗(yàn)b的目的是                                          。
② 根據(jù)實(shí)驗(yàn)a中，水層中含有的粒子有                         。
③ 實(shí)驗(yàn)a中水溶液顏色變淺的原因是                                 。
④ 為保證實(shí)驗(yàn)的嚴(yán)謹(jǐn)性，在實(shí)驗(yàn)a、b的基礎(chǔ)上，需補(bǔ)充一個(gè)實(shí)驗(yàn)，該實(shí)驗(yàn)為       。
（2）通入氯氣，溶液由黃色變?yōu)闊o色，是因?yàn)槁葰鈱2氧化。已知1 mol Cl2可氧化0．2 mol I2，該反應(yīng)的化學(xué)方程式是                                 。
（3） 根據(jù)上述實(shí)驗(yàn)，請(qǐng)預(yù)測向淀粉-KI溶液中持續(xù)通入氯氣，可能觀察到的現(xiàn)象為               。

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：填空題

某研究性學(xué)習(xí)小組設(shè)計(jì)兩套實(shí)驗(yàn)方案制備氨氣并探究其還原性(部分夾持裝置已省略)。
甲方案：如圖所示。

乙方案：如圖所示。

根據(jù)方案回答下列問題：
(一)甲方案
(1)B裝置盛裝堿石灰，A裝置中藥品可以是       。
a．氯化銨固體和燒堿  b．碳酸氫銨固體
c．氯化銨固體  d．硫酸銨和熟石灰
(2)實(shí)驗(yàn)完畢后，設(shè)計(jì)簡單實(shí)驗(yàn)檢驗(yàn)D試管收集到的物質(zhì)(簡述操作過程、現(xiàn)象和結(jié)論)       。
(3)寫出C中發(fā)生反應(yīng)的化學(xué)方程式       。
(二)乙方案
(4)A為濃氨水，B為生石灰，簡述實(shí)驗(yàn)原理：       。E裝置里盛裝的藥品是       。
(5)能證明氨氣具有還原性的實(shí)驗(yàn)現(xiàn)象       。(任寫兩條)
(6)銅有＋2價(jià)、＋1價(jià)、0價(jià)，根據(jù)氧化還原反應(yīng)原理，D玻璃管里還原產(chǎn)物除銅外，還可能有       ，假設(shè)有銅以外的還原產(chǎn)物生成，寫出D中發(fā)生反應(yīng)的化學(xué)方程式：                                          。

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：填空題

組同學(xué)發(fā)現(xiàn)84消毒液與潔廁劑(主要成分為鹽酸)室溫下混和有Cl2生成，于是嘗試在實(shí)驗(yàn)室利用該反應(yīng)原理制取Cl2。
（1）若用次氯酸鈣、濃鹽酸為原料，利用下圖裝置制取Cl2。裝置中儀器a的名稱為       。甲同學(xué)想證明Cl2溶于水有酸性物質(zhì)生成，將發(fā)生裝置產(chǎn)生的氣體直接通入適量水中，并加入NaHCO3粉末，有無色氣泡產(chǎn)生。乙同學(xué)認(rèn)為不合理，理由是            。又知：室溫下H2CO3的電離常數(shù)K1=4．2×10-7，K2=5．6×10-11，則pH為8．0的NaHCO3溶液中[CO32-]：[HCO3-]=       。

（2）經(jīng)查閱資料得知：無水FeCl3在空氣中易潮解，加熱易升華。設(shè)計(jì)如下裝置制備無水FeCl3。

①下列操作步驟的正確排序?yàn)?u>        (填字母)。

A．體系冷卻后，停止通入Cl2 
B．通入干燥的Cl2趕盡裝置中的空氣 
C．在鐵屑下方加熱至反應(yīng)完成 
D．用干燥的H2趕盡Cl2 
E．檢驗(yàn)裝置的氣密性
②該實(shí)驗(yàn)裝置存在的明顯缺陷是                 。
（3）世界環(huán)保聯(lián)盟要求ClO2逐漸取代Cl2作為自來水消毒劑。
已知：NaCl+3H2ONaClO3+3H2，
2NaClO3+4HCl=2C1O2+Cl2+2NaCl+2H2O。
有關(guān)物質(zhì)性質(zhì)：
物質(zhì)
 		熔點(diǎn)／℃
 		沸點(diǎn)／℃
 
C1O2
 		-59
 		11
 
Cl2
 		-107
 		-34.6
 
 
ClO2的生產(chǎn)流程示意圖：

該工藝中，需要補(bǔ)充的物質(zhì)X為   (填化學(xué)式)，能參與循環(huán)的物質(zhì)是      (填化學(xué)式)。從ClO2發(fā)生器中分離出ClO2可采用的方法是            。

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：填空題

獲取知識(shí)和信息是現(xiàn)代人不可缺少的素質(zhì)，信息產(chǎn)業(yè)的飛速發(fā)展離不開材料科學(xué)的推動(dòng)。信息產(chǎn)業(yè)的核心材料是高純度的硅，單晶硅可用來制作大規(guī)模集成電路、整流器等，硅純度越高，大規(guī)模集成電路的性能就越好。高純度的單晶硅生產(chǎn)方法有：
方法一：三氯甲硅烷(SiHCl3)還原法是當(dāng)前制備高純硅的主要方法，生產(chǎn)過程示意圖如下：

方法二：用金屬硅化物(Mg2Si)與鹽酸作用制得硅烷，再熱分解硅烷可得高純硅。
根據(jù)上述信息回答以下問題：
(1)從方法一生產(chǎn)單晶硅的過程看，由焦炭還原得到的硅為何還要進(jìn)一步處理？_________________________________________________________。
(2)寫出方法二中生產(chǎn)高純硅的兩個(gè)化學(xué)方程式：
①____________________________________________________________；
②__________________________________________________________。
(3)寫出由純SiHCl3制備高純硅的化學(xué)方程式：____________________________________。
(4)在方法一中，整個(gè)制備過程必須嚴(yán)格控制無水無氧。SiHCl3遇水劇烈反應(yīng)生成H2SiO3、HCl和另一種物質(zhì)，寫出配平的化學(xué)反應(yīng)方程式：________________；H2還原SiHCl3過程中若混入O2，可能引起的后果是_____________________________________________________。
(5)比較方法一和方法二，分析一下各自的優(yōu)缺點(diǎn)____________________________________。

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：填空題

硅在地殼中的含量較高，硅及其化合物的開發(fā)由來已久，在現(xiàn)代生活中有廣泛應(yīng)用。回答下列問題：
（1）陶瓷、水泥和玻璃是常用的傳統(tǒng)的無機(jī)非金屬材料，其中生產(chǎn)普通玻璃的主要原料有                     。
（2）高純硅是現(xiàn)代信息、半導(dǎo)體和光伏發(fā)電等產(chǎn)業(yè)都需要的基礎(chǔ)材料。工業(yè)上提純硅有多種路線，其中一種工藝流程示意圖及主要反應(yīng)如下：

①工業(yè)上用石英砂和焦炭在電弧爐中高溫加熱到1600℃-1800℃除生成粗硅外，也可以生產(chǎn)碳化硅，則在電弧爐內(nèi)可能發(fā)生的反應(yīng)的化學(xué)方程式為                       。
②在流化床反應(yīng)的產(chǎn)物中，SiHCl3大約占85%，還有SiCl4、SiH2Cl2、SiH3Cl等，粗硅生成SiHCl3的化學(xué)反應(yīng)方程式                              。
（3）有關(guān)物質(zhì)的沸點(diǎn)數(shù)據(jù)如下表，提純SiHCl3的主要工藝操作依次是沉降、冷凝和       ；SiHCl3極易水解，其完全水解的產(chǎn)物為       。

物質(zhì)
Si
SiCl4
SiHCl3
SiH2Cl2
SiH3Cl
HCl
SiH4
沸點(diǎn)/℃
2355
57.6
31.8
8.2
-30.4
-84.9
-111.9
 
（4）還原爐中發(fā)生的化學(xué)反應(yīng)為：                                。
（5）氯堿工業(yè)可為上述工藝生產(chǎn)提供部分原料，這些原料是       。

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：填空題

某試劑廠用銀（含雜質(zhì)銅）和硝酸（含雜質(zhì)Fe3+）反應(yīng)制取硝酸銀。步驟如下

依據(jù)上述步驟，完成下列填空：
（1）溶解銀的硝酸應(yīng)該用________硝酸（填“濃”或“稀”）。原因是________ （填序號(hào)，下同）
a.減少過程中產(chǎn)生NOx的量
b.減少原料銀的消耗量
c.節(jié)省硝酸的物質(zhì)的量
（2）步驟B加熱保溫的作用是________。
a.有利于加快反應(yīng)速率
b.有利于未反應(yīng)的硝酸揮發(fā)
c.有利于硝酸充分反應(yīng)，降低溶液中c（H+）
（3）步驟C中是為了除去Fe3+、Cu2+等雜質(zhì)，沖稀靜置時(shí)發(fā)生的化學(xué)反應(yīng)是________。
a.置換反應(yīng)
b.水解反應(yīng)
c.氧化還原反應(yīng)
產(chǎn)生的沉淀物化學(xué)式________。

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：填空題

工業(yè)上利用氨催化氧化后，經(jīng)過一系列反應(yīng)可以制備硝酸。
（1）氨氣催化氧化的化學(xué)方程式為      _                  
（2）某工廠排出的尾氣中NOx的含量為0．56%（體積分?jǐn)?shù)），用氨氣可以將其轉(zhuǎn)化為無害氣體，發(fā)生的反應(yīng)為：6NOx+4xNH3=（3+2x）N2+6xH2O 若處理1×L（標(biāo)準(zhǔn)狀況）該尾氣需42.5gNH3，則x=    _     。
（3）NO和CO都是汽車尾氣中的有害物質(zhì)，必須進(jìn)行處理。為避免污染，常給汽車安裝尾氣凈化裝置。凈化裝置里裝有催化劑，氣體在催化劑表面吸附與解吸作用的機(jī)理如圖所示。寫出凈化過程中的總化學(xué)反應(yīng)方程式：        。

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同步練習(xí)冊(cè)答案