A. | X、M兩種元素只能形成X2M型化合物 | |
B. | 元素Y、Z、W的單質(zhì)晶體屬于同種類型的晶體 | |
C. | 元素W和M的某些單質(zhì)可作為水處理中的消毒劑 | |
D. | 由于W、Z元素的氫氣化物還原性:W>Z |
分析 X、Y、Z、W、M五種短周期元素,Y的單質(zhì)晶體熔點(diǎn)高、硬度大,是一種重要的半導(dǎo)體材料,可知Y為Si;X、Y、Z、W同周期,都處于第三周期,由X+與M2-具有相同的電子層結(jié)構(gòu),可知X為Na、M為O;Z、M同主族,則Z為S;離子半徑Z2->W(wǎng)-,則W為Cl,據(jù)此解答.
解答 解:X、Y、Z、W、M五種短周期元素,Y的單質(zhì)晶體熔點(diǎn)高、硬度大,是一種重要的半導(dǎo)體材料,可知Y為Si;X、Y、Z、W同周期,都處于第三周期,由X+與M2-具有相同的電子層結(jié)構(gòu),可知X為Na、M為O;Z、M同主族,則Z為S;離子半徑Z2->W(wǎng)-,則W為Cl.
A.X、M兩種元素形成的化合物可以形成Na2O、Na2O2,故A錯(cuò)誤;
B.硅晶體屬于原子晶體,硫及氯氣均形成分子晶體,故B錯(cuò)誤;
C.Cl2和O3都具有強(qiáng)氧化性,則可以作為消毒劑,故C正確;
D.非金屬性:Cl>S,元素的非金屬性越強(qiáng),對(duì)應(yīng)的單質(zhì)的氧化性越強(qiáng),則對(duì)應(yīng)氫化物還原性就越弱,故D錯(cuò)誤,
故選C.
點(diǎn)評(píng) 本題考查位置結(jié)構(gòu)性質(zhì)的關(guān)系和應(yīng)用,尋找本題的突破點(diǎn)為Y是解答本題的關(guān)鍵,然后利用元素化合物知識(shí)來解答即可.
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題
A. | HCl | B. | CS2 | C. | H2S | D. | SO2 |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題
A. | 化學(xué)反應(yīng)速率為0.8mol•L-1•s-1,是指在1s時(shí)某物質(zhì)的濃度是0.8mol•L-1 | |
B. | 化學(xué)反應(yīng)速率是指在一段時(shí)間內(nèi)任何一種反應(yīng)物物質(zhì)的量的減少或任何一種生成物物質(zhì)的量的增加 | |
C. | 化學(xué)反應(yīng)速率可以衡量化學(xué)反應(yīng)進(jìn)行的快慢 | |
D. | 對(duì)于任何化學(xué)反應(yīng)來說,反應(yīng)速率越快,反應(yīng)現(xiàn)象越明顯 |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題
A. | ①③ | B. | ③④ | C. | ①②④ | D. | ①③⑤ |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題
A. | 3.2 | B. | 0.2 | C. | $\frac{1}{180}$ | D. | $\frac{4}{45}$ |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:多選題
弱酸的化學(xué)式 | CH3COOH | HCN | H2S |
電離常數(shù)(25℃) | 1.8×10-5 | 4.9×10-10 | K1=1.3×10-7 K2=7.1×10-15 |
A. | 等物質(zhì)的量濃度的各溶液pH關(guān)系為:pH(CH3COONa)>pH(Na2S)>pH(NaCN) | |
B. | NaHS和Na2S的混合溶液中,一定存在c(Na+)+c(H+)=c(OH-)+c(HS-)+2c(S2-) | |
C. | a mol/LHCN溶液與b mol/LNaOH溶液等體積混合,所得溶液中c(Na+)>c(CN-),則a一定小于或等于b | |
D. | 某濃度的NaCN溶液的pH=d,則其中由水電離出的c(OH-)=10-dmol/L |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題
A. | 分子式為C15H13O7 | |
B. | EGC可在強(qiáng)堿的醇溶液中發(fā)生消去反應(yīng) | |
C. | 1molEGC最多消耗6molNaOH | |
D. | 1molEGC加入溴水中,可與4molBr2發(fā)生取代反應(yīng) |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題
A. | 是密置層的一種堆積方式 | B. | 晶胞是六棱柱 | ||
C. | 每個(gè)晶胞內(nèi)含2個(gè)原子 | D. | 每個(gè)晶胞內(nèi)含6個(gè)原子 |
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