下面的排序不正確的是（　�。�
分析：A．結(jié)構(gòu)和組成相似的分子晶體，相對分子質(zhì)量越大，分子間作用力越大，有氫鍵的熔點變大；
B．影響金屬晶體金屬鍵強弱的因素為電荷和離子半徑；
C．影響原子晶體硬度大小的因素是共價鍵的鍵長；
D．影響離子晶體晶格能大小的因素有電荷因素和半徑因素．
解答：解：A．四種分子晶體的組成和結(jié)構(gòu)相似，分子的相對分子質(zhì)量越大，分子間作用力越大，則晶體的熔沸點越高，但是HF中氫鍵熔點反常，比鹵素的其他氫化物熔點高，所以晶體熔點由低到高：HCl＜HBr＜HI＜HF，故A錯誤；
B．Na、Mg、Al原子半徑依次減小，金屬離子電荷逐漸增多，金屬鍵逐漸增強，則熔點由低到高：Na＜Mg＜Al，故B正確；
C．原子半徑Si＞C，三者都為原子晶體，原子半徑越大，共價鍵的鍵能越小，則硬度越小，故C正確；
D．先比較電荷數(shù)多的晶格能大，而如果電荷數(shù)一樣多比較核間距，核間距大的，晶格能小，故D正確．
故選A．
點評：本題考查晶體的物理性質(zhì)，題目難度中等，注意把握比較角度，學(xué)習(xí)中注意方法的積累．
練習(xí)冊系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

下面的排序不正確的是（　�。�

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

下面的排序不正確的是（　�。�
A、電負(fù)性的大小：Cl＞S＞Al＞MgB、硬度由大到�。航饎偸咎蓟瑁揪w硅C、熔點由高到低：石英＞食鹽＞干冰＞鈉D、晶格能由大到�。篘aF＞NaCl＞NaBr＞NaI

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

下面的排序不正確的是

     A．晶體熔點由低到高：CF4<CCl4<CBr4<CCI4

     B．硬度由大到小：金剛石>碳化硅>晶體硅

     C．熔點由高到低：Na>Mg>Al

     D．晶格能由大到�。篘aF> NaCl> NaBr>NaI

【解析】A中物質(zhì)形成的晶體是分子晶體，其熔點和分子間作用力有關(guān)，相對分子質(zhì)量越大，分子間作用力就越大，A正確。在原子晶體中共價鍵越強，硬度越大。形成共價鍵的原子半徑越小，共價鍵越強，碳原子比較小于硅原子半徑，所以B正確C中物質(zhì)形成的晶體是金屬晶體，金屬晶體中金屬鍵越強，熔點越高。而金屬鍵強弱與金屬陽離子半徑和所帶的電荷數(shù)有關(guān)，陽離子半徑越小，電荷數(shù)越多，金屬鍵越強，所以熔點由高到低是Na＜Mg＜Al，C不正確。D中物質(zhì)全部是離子晶體，形成離子晶體的離子鍵越強，晶格能越大。形成離子鍵的離子半徑越小，所帶電荷數(shù)越多，離子鍵越強，所以D是正確的。答案選C。

 

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科目：高中化學(xué) 來源：2013屆山西省高二下學(xué)期期中考試化學(xué)試卷（解析版） 題型：選擇題

下面的排序不正確的是

     A．晶體熔點由低到高：CF4<CCl4<CBr4<CCI4

     B．硬度由大到�。航饎偸�>碳化硅>晶體硅

     C．熔點由高到低：Na>Mg>Al

     D．晶格能由大到�。篘aF> NaCl> NaBr>NaI

【解析】A中物質(zhì)形成的晶體是分子晶體，其熔點和分子間作用力有關(guān)，相對分子質(zhì)量越大，分子間作用力就越大，A正確。在原子晶體中共價鍵越強，硬度越大。形成共價鍵的原子半徑越小，共價鍵越強，碳原子比較小于硅原子半徑，所以B正確C中物質(zhì)形成的晶體是金屬晶體，金屬晶體中金屬鍵越強，熔點越高。而金屬鍵強弱與金屬陽離子半徑和所帶的電荷數(shù)有關(guān)，陽離子半徑越小，電荷數(shù)越多，金屬鍵越強，所以熔點由高到低是Na＜Mg＜Al，C不正確。D中物質(zhì)全部是離子晶體，形成離子晶體的離子鍵越強，晶格能越大。形成離子鍵的離子半徑越小，所帶電荷數(shù)越多，離子鍵越強，所以D是正確的。答案選C。

 

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