Question

4．已知：①單質E可作為半導體材料；②化合物F是不能生成鹽的氧化物；③化合物I能溶于水呈酸性，它能夠跟氧化物A起反應．據(jù)此，請?zhí)羁眨?br />（1）化合物F的化學式為CO，化合物I的化學式為HF，氧化物A的晶體類型為原子晶體．
（2）反應①的化學方程式為SiO₂+2C$\frac{\underline{\;高溫\;}}{\;}$2CO+Si．
（3）氧化物A與燒堿溶液反應的離子方程式為SiO₂+2NaOH=Na₂SiO₃+H₂O．

Answer 1

分析 單質E可作為半導體材料，應為Si，則A應為SiO₂，B為C單質，F(xiàn)是不能生成鹽的氧化物，應為CO，結合轉化關系可知C為H₂O，G為H₂，H為O₂，D為F₂，I為HF，以此解答該題．

解答 解：單質E可作為半導體材料，應為Si，則A應為SiO₂，B為C單質，F(xiàn)是不能生成鹽的氧化物，應為CO，結合轉化關系可知C為H₂O，G為H₂，H為O₂，D為F₂，I為HF，
（1）由以上分析可知F為CO，I為HF，A為SiO₂，為原子晶體，故答案為：CO；HF；原子晶體；
（2）反應①為工業(yè)制備粗硅的反應，化學方程式為SiO₂+2C$\frac{\underline{\;高溫\;}}{\;}$2CO+Si，故答案為：SiO₂+2C$\frac{\underline{\;高溫\;}}{\;}$2CO+Si；
（3）A為SiO₂，與燒堿反應生成硅酸鈉，反應的化學方程式為SiO₂+2NaOH=Na₂SiO₃+H₂O，故答案為：SiO₂+2NaOH=Na₂SiO₃+H₂O．

點評 本題考查無機物的推斷，是一道常規(guī)的框圖推斷題，要求學生在全面系統(tǒng)地掌握元素及化合物性質的基礎上，善于抓住某些元素的特殊性質為解題的突破口和切入點，如本題中的半導體材料、不成鹽氧化物等，難度不大，有利于培養(yǎng)學生良好的科學素養(yǎng)．