硫元素的化合物在生產(chǎn)、生活中有著廣泛的應(yīng)用。

(1)400℃,1.01× Pa下,容積為1.0L的密閉容器中充入0.5molSO2, (g)和0.3 molO2 (g),發(fā)生反應(yīng)2SO2(g)+O2(g)2SO3(g)  △H=-198kJ/mol。反應(yīng)中n(SO3)和n(O2)隨時(shí)間變化的關(guān)系如右圖所示。反應(yīng)的平衡常數(shù)K=_______;0到10 min內(nèi)用SO2表示的平均反應(yīng)速率_________。根據(jù)圖中信息,判斷下列敘述中正確的是_____(填序號(hào))。

A.a(chǎn)點(diǎn)時(shí)刻的正反應(yīng)速率比b點(diǎn)時(shí)刻的大

B.c點(diǎn)時(shí)刻反應(yīng)達(dá)到平衡狀態(tài)

C.d點(diǎn)和e點(diǎn)時(shí)刻的c(O2)相同

D.若5 00℃,1.01×105Pa下,反應(yīng)達(dá)到平衡時(shí),n( SO3) 比圖中e點(diǎn)時(shí)刻的值大

(2)用NaOH溶液吸收工業(yè)廢氣中的SO2,當(dāng)吸收液失去吸收能力時(shí),25℃時(shí)測(cè)得溶液的pH=5.6,溶液中Na,H, HSO3,SO32離子的濃度由大到小的順序是__________________。

(3)可通過電解法使(2)中的吸收液再生而循環(huán)利用(電極均為石墨電極),其工作示意圖如下:

HSO3在陽(yáng)極室反應(yīng)的電極反應(yīng)式為________________________,陰極室的產(chǎn)物_________________。

 

【答案】

(共12分)(1)(6分)160 (mol·L-1-1(2分); 0.04 mol·L-1·min-1(2分);AC(2分)

(2)(2分)c(Na+)>c(HSO3-)>c(H+)>c(SO32-)

(3)(4分)HSO3-+H2O-2e=SO42-+3H+ (2分)   H2、NaOH(2分)

【解析】

試題分析:(1)根據(jù)圖像可知,反應(yīng)進(jìn)行到10min時(shí)反應(yīng)達(dá)到平衡狀態(tài),平衡時(shí)三氧化硫的物質(zhì)的量是0.4mol,其濃度是0.4mol/L,則

2SO2(g)+O2(g)2SO3(g)

起始濃度(mol/L)   0.5      0.3       0

轉(zhuǎn)化濃度(mol/L)   0.4     0.2        0.4

轉(zhuǎn)化濃度(mol/L)   0.1     0.1        0.4

所以該反應(yīng)的平衡常數(shù)K==160

0到10 min內(nèi)用SO2表示的平均反應(yīng)速率0.4mol/L÷10min=0.04 mol·L-1·min-1

A、a點(diǎn)時(shí)刻反應(yīng)物的濃度大于b點(diǎn)時(shí)刻反應(yīng)物的濃度,所以a點(diǎn)時(shí)刻的正反應(yīng)速率比b點(diǎn)時(shí)刻的大,A正確;

B、c點(diǎn)時(shí)刻正逆反應(yīng)速率不相等,所以反應(yīng)沒有達(dá)到平衡狀態(tài),B不正確;

C、d點(diǎn)和e點(diǎn)時(shí)刻的平衡狀態(tài)都是相同的,所以c(O2)相同,C正確;

    D、正方應(yīng)是放熱反應(yīng),所以升高溫度平衡向逆反應(yīng)方向移動(dòng),所以若5 00℃,1.01×105Pa下,反應(yīng)達(dá)到平衡時(shí),n( SO3) 比圖中e點(diǎn)時(shí)刻的值小,D不正確,答案選AC。

(2)當(dāng)吸收液失去吸收能力時(shí),反應(yīng)中生成亞硫酸氫鈉。25℃時(shí)測(cè)得溶液的pH=5.6,這說明HSO3的電離程度大于HSO3的水解程度,所以溶液中Na,H, HSO3,SO32離子的濃度由大到小的順序是c(Na+)>c(HSO3-)>c(H+)>c(SO32-)。

(3)電解池陽(yáng)極失去電子,發(fā)生氧化反應(yīng)。陰極得到電子,發(fā)生還原反應(yīng)。所以HSO3在陽(yáng)極室反應(yīng)的電極反應(yīng)式為HSO3-+H2O-2e=SO42-+3H+。陰極是溶液中的氫離子得到電子,生成氫氣,同時(shí)破壞陰極周圍水的電離平衡,所以陰極產(chǎn)物是氫氣和氫氧化鈉。

考點(diǎn):考查電離平衡常數(shù)和反應(yīng)速率的有關(guān)計(jì)算;平衡狀態(tài)以及外界條件對(duì)平衡狀態(tài)的影響;溶液中離子濃度大小比較以及電化學(xué)原理的有關(guān)判斷和應(yīng)用等

 

練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

(2013?濟(jì)南二模)硫元素的化合物在生產(chǎn)、生活中有著廣泛的應(yīng)用.
(1)400℃,1.01×105Pa下,容積為1.0L的密閉容器中充入0.5molSO2,(g)和0.3molO2 (g),發(fā)生2SO2(g)+O2(g)?2SO3(g)△H=-198kJ?mol-1反應(yīng)中n(SO3)和n(O2)隨時(shí)間變化的關(guān)系如圖1所示.反應(yīng)的平衡常數(shù)K=
160
160
;0到10min內(nèi)用SO2:表示的平均反應(yīng)速率
0.04mol/(L?min)
0.04mol/(L?min)
.更具圖1中信息,判斷下列敘述中正確的是
AC
AC
(填序號(hào)).

A.a(chǎn)點(diǎn)時(shí)刻的正反應(yīng)速率比b點(diǎn)時(shí)刻的大
B.c點(diǎn)時(shí)刻反應(yīng)達(dá)到平衡狀態(tài)
C.d點(diǎn)和e點(diǎn)時(shí)刻的c(O2)相同
D.若500℃,1.01×105Pa下,反應(yīng)達(dá)到平衡時(shí),n( SO3)比圖中e點(diǎn)時(shí)刻的值大
(2)用NaOH溶液吸收工業(yè)廢氣中的SO2,當(dāng)吸收液失去吸收能力時(shí),25℃時(shí)測(cè)得溶液的pH=5.6,溶液中Na+,H+,SHO3-,SO32-離子的濃度由大到小的順序是
c(Na+)>c(HSO3-)>c(H+)>c(SO32-
c(Na+)>c(HSO3-)>c(H+)>c(SO32-

(3)可通過電解法使(2)中的吸收液再生而循環(huán)利用(電極均為石墨電極),其工作示意圖如圖2:HSO3-在陽(yáng)極室反應(yīng)的電極反應(yīng)式為
HSO3-+H2O-2e-=SO42-+3H+
HSO3-+H2O-2e-=SO42-+3H+
.陰極室的產(chǎn)物
H2、NaOH
H2、NaOH

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:閱讀理解

ⅥA族的氧、硫、硒(Se)、碲(Te)等元素在化合物中常表現(xiàn)出多種氧化態(tài),含ⅥA族元素的化合物在研究和生產(chǎn)中有許多重要用途.請(qǐng)回答下列問題:

(1)S單質(zhì)的常見形式是S8,其環(huán)狀結(jié)構(gòu)如圖1所示,S原子采用的軌道雜化方式是
sp3
sp3
;
(2)原子的第一電離能是指氣態(tài)電中性基態(tài)原子失去一個(gè)電子轉(zhuǎn)化為氣態(tài)基態(tài)正離子所需要的最低能量,O、S、Se原子的第一電離能由大到小的順序?yàn)?!--BA-->
O>S>Se
O>S>Se
;
(3)Se的原子序數(shù)為
34
34
,其核外M層電子的排布式為
3s23p63d10
3s23p63d10
;
(4)H2Se的酸性比 H2S
強(qiáng)
強(qiáng)
(填“強(qiáng)”或“弱”).氣態(tài)SeO3分子的立體構(gòu)型為
平面三角形
平面三角形
,
SO
2-
3
離子的立體構(gòu)型為
三角錐形
三角錐形
;
(5)H2SeO3 的K1和K2分別是2.7×10-3和2.5×10-8,H2SeO4的第一步幾乎完全電離,K2是1.2×10-2,請(qǐng)根據(jù)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的關(guān)系解釋:
①H2SeO3和H2SeO4的第一步電離程度大于第二步電離的原因:
第一步電離后生成的負(fù)離子較難再進(jìn)一步電離出帶正電荷的氫離子
第一步電離后生成的負(fù)離子較難再進(jìn)一步電離出帶正電荷的氫離子

②H2SeO4比H2SeO3酸性強(qiáng)的原因:
H2SeO3和H2SeO4可表示為(HO)SeO和(HO)SeO2.H2SeO3中Se為+4價(jià),而H2SeO4中Se為+6價(jià),正電性更高.導(dǎo)致Se-O-H中的O原子更向Se偏移,越易電離出H+
H2SeO3和H2SeO4可表示為(HO)SeO和(HO)SeO2.H2SeO3中Se為+4價(jià),而H2SeO4中Se為+6價(jià),正電性更高.導(dǎo)致Se-O-H中的O原子更向Se偏移,越易電離出H+

(6)ZnS在熒光體、光導(dǎo)體材料、涂料、顏料等行業(yè)中應(yīng)用廣泛.立方ZnS晶體結(jié)構(gòu)如圖2所示,其晶胞邊長(zhǎng)為540.0pm,密度為
4×(65+32)g?mol-1
6.02×1023mol-1
(540.0×10-10cm)3
=4.1
4×(65+32)g?mol-1
6.02×1023mol-1
(540.0×10-10cm)3
=4.1
g?cm-3(列式并計(jì)算),a位置S2-離子與b位置Zn2+離子之間的距離為
270.0
1-cos109°28′
135.0×
2
sin
109°28′
2
135
3
270.0
1-cos109°28′
135.0×
2
sin
109°28′
2
135
3
pm(列式表示)

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

    VIA族的氧、硫、硒(Se)、碲(Te)等元素在化合物中常表現(xiàn)出多種氧化態(tài),含VIA族元素的化合物在研究和生產(chǎn)中有許多重要用途。請(qǐng)回答下列問題:

    (1)S單質(zhì)的常見形式為S8,其環(huán)狀結(jié)構(gòu)如下圖所示,S原子采用的軌道雜化方式是______;

    (2)原子的第一電離能是指氣態(tài)電中性基態(tài)原子失去一個(gè)電子轉(zhuǎn)化為氣態(tài)基態(tài)正離子所需要的最低能量,O、S、Se原子的第一電離能由大到小的順序?yàn)開_____;

    (3)Se原子序數(shù)為______,其核外M層電子的排布式為______;

    (4)H2Se的酸性比H2S__________(填“強(qiáng)”或“弱”)。氣態(tài)SeO3分子的立體構(gòu)型為______平面三角形,SO32離子的立體構(gòu)型為______三角錐形;

    (5)H2SeO3的K1和K2分別為2.7×103和2.5×108,H2SeO4第一步幾乎完全電離,K2為1.2×102,請(qǐng)根據(jù)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的關(guān)系解釋:

    ①H2SeO3和H2SeO4第一步電離程度大于第二步電離的原因:__________;

    第一步電離后生成的負(fù)離子較難再進(jìn)一步電離出帶正電荷的氫離子;

    ②H2SeO4比H2SeO3酸性強(qiáng)的原因:______;

(6)ZnS在熒光體、光導(dǎo)體材料、涂料、顏料等行業(yè)中應(yīng)用廣泛。立方ZnS晶體結(jié)構(gòu)如下圖所示,其晶胞邊長(zhǎng)為540.0 pm,密度為____________(列式并計(jì)算),a位置S2離子與b位置Zn2離子之間的距離為___________________pm(列式表示)。

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科目:高中化學(xué) 來源:2012-2013學(xué)年四川省樂山市高三“一調(diào)”考試?yán)砭C化學(xué)試卷(解析版) 題型:填空題

ⅥA族的氧、硫、硒(Se)、碲(Te)等元素在化合物中常表現(xiàn)出多種化合價(jià),含ⅥA族元素的化合物在研究和生產(chǎn)中有許多重要用途。請(qǐng)回答下列問題:

(1)氧元素能形成繁多的氧化物,請(qǐng)寫出一個(gè)與CO2等電子的化合物          。

(2)把Na2O、SiO2、P2O5三種氧化物按熔沸點(diǎn)由高到低順序排列          。

(3)原子的第一電離能是指氣態(tài)電中性基態(tài)原子失去一個(gè)電子轉(zhuǎn)化為氣態(tài)基態(tài)正離子所需要的最低能量,O、S、Se原子的第一電離能由大到小的順序?yàn)?u>       ;

(4)Se原子基態(tài)核外電子的排布式為                          ;H2Se的沸點(diǎn):-41.1℃ ,H2S的沸點(diǎn):-60.4℃,引起兩者沸點(diǎn)差異的主要原因是          ;

(5)SO32-離子中硫原子的雜化方式          ,該離子的立體構(gòu)型為                 

(6)某金屬元素A的氧化物用作玻璃、瓷器的顏料、脫硫劑。其立方晶體的晶胞結(jié)構(gòu)如右圖所示,

則該氧化物的化學(xué)式為          。

 

 

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