A、①②③ | B、③②① | C、②①③ | D、②③① |
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科目:高中化學(xué) 來源:2012-2013學(xué)年上海市上海理工大學(xué)附屬中學(xué)高一上期末考試化學(xué)試卷(帶解析) 題型:單選題
對(duì)于①干冰②金剛石③氯化鈉三種物質(zhì)的熔沸點(diǎn)由高到低排列順序正確的是
A.①②③ | B.③②① | C.②①③ | D.②③① |
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科目:高中化學(xué) 來源:2015屆上海市高一上期末考試化學(xué)試卷(解析版) 題型:選擇題
對(duì)于①干冰②金剛石③氯化鈉三種物質(zhì)的熔沸點(diǎn)由高到低排列順序正確的是
A.①②③ B.③②① C.②①③ D.②③①
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:單選題
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科目:高中化學(xué) 來源:2011-2012年福建漳州薌城中學(xué)高二下學(xué)期期中考試?yán)砜苹瘜W(xué)試卷(解析版) 題型:選擇題
下列物質(zhì)的熔、沸點(diǎn)高低順序正確的是( )
A.金剛石>晶體硅>二氧化硅>碳化硅 B.CI4>CBr4>CCl4>CF4
C.K2O>Na2O>O2>N2 D.干冰 >二氧化硅>氯化鈉>鈉
【解析】一般情況下原子晶體的熔沸點(diǎn)最高,其次是離子晶體(或金屬晶體),分子晶體的熔沸點(diǎn)最低。A全部是原子晶體,形成原子晶體共價(jià)鍵的原子半徑越小,共價(jià)鍵越強(qiáng),原子半徑是Si>C>O,所以應(yīng)該是金剛石>碳化硅>二氧化硅>晶體硅,A不正確。B中全部是分子晶體,對(duì)于組成和結(jié)構(gòu)相似的分子晶體來講,相對(duì)分子質(zhì)量越大,熔沸點(diǎn)越高,因此B正確。形成離子晶體的離子鍵越強(qiáng),熔沸點(diǎn)越高。形成離子鍵的離子半徑越小,所帶電荷數(shù)越多,離子鍵越強(qiáng),所以C中的正確順序?yàn)镹a2O> K2O >O2>N2,C錯(cuò)誤。D中應(yīng)為二氧化硅>氯化鈉>鈉>干冰,所以正確的答案是B。
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