在標(biāo)準(zhǔn)狀況下4.48L的NH3氣體質(zhì)量為 g,其中含 個(gè)H
含 molN,將其溶于水配成200mL的溶液,其物質(zhì)的量濃度為 mol/L 。
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科目:高中化學(xué) 來源:2008-2009學(xué)年度三亞市第一中學(xué)第一學(xué)期高一期中考試、化學(xué)試卷 題型:022
在標(biāo)準(zhǔn)狀況下4.48 L的NH3氣體質(zhì)量為________g,其中含________個(gè)H含________mol N,將其溶于水配成200 mL的溶液,其物質(zhì)的量濃度為________mol/L.
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科目:高中化學(xué) 來源:2013屆浙江省杭州市建人高復(fù)學(xué)校高三第二次月考化學(xué)試卷(帶解析) 題型:計(jì)算題
(10分)(1)用CH4催化還原NOx可以消除氮氧化物的污染。例如:
CH4(g)+4NO2(g)=4NO(g)+CO2(g)+2H2O(g) ΔH=-574 kJ·mol-1
CH4(g)+4NO(g)=2N2(g)+CO2(g)+2H2O(g) ΔH=-1160 kJ·mol-1
若用標(biāo)準(zhǔn)狀況下4.48LCH4還原NO2至N2,整個(gè)過程中轉(zhuǎn)移的電子總數(shù)為 (阿伏伽德羅常數(shù)用NA表示),放出的熱量為 kJ。
(2)已知:C3H8(g ) ==== CH4(g)+HC≡CH(g)+H2(g) △H1=156.6kJ·mol-1
CH3CH=CH2(g) ==== CH4(g)+HC≡CH(g) △H2=32.4kJ·mol-1
則相同條件下,反應(yīng)C3H8(g)====CH3CH=CH2 (g)+H2(g)的△H= kJ·mol-1。
(3)甲烷在高溫下與水蒸氣反應(yīng)反應(yīng)方程式為:CH4(g)+H2O(g)=CO(g)+3H2(g)。部分物質(zhì)的燃燒熱數(shù)據(jù)如右表:已知1mol H2O(g)轉(zhuǎn)變?yōu)?mol H2O(l)時(shí)放出44.0 kJ熱量。寫出CH4和H2O在高溫下反應(yīng)的熱化學(xué)方程式 。
物 質(zhì) | 燃燒熱(kJ·mol-1) |
H2(g) | -285.8 |
CO(g) | -283.0 |
CH4(g) | -890.3 |
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科目:高中化學(xué) 來源:2013-2014學(xué)年陜西省西安市高三第四次質(zhì)量檢測(cè)化學(xué)試卷(解析版) 題型:選擇題
在下圖裝置中,若通電一段時(shí)間后乙裝置左側(cè)電極質(zhì)量增加,則下列說法錯(cuò)誤的是
甲 乙 丙
A.當(dāng)甲裝置中共產(chǎn)生標(biāo)準(zhǔn)狀況下4.48 L氣體時(shí),Cu電極上質(zhì)量增加43.2g
B.電解過程中裝置丙的pH無變化
C.向甲中通人適量的HCl氣體,可使溶液恢復(fù)到電解前的狀態(tài)
D.乙中左側(cè)電極反應(yīng)式:Cu2++2e-=Cu
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科目:高中化學(xué) 來源:2014屆云南省昆明市高二9月月考化學(xué)試卷(解析版) 題型:選擇題
一定條件下用甲烷可以消除氮氧化物(NOx)的污染。已知:
①CH4(g)+4NO2(g)===4NO(g)+CO2(g)+2H2O(g) ΔH=-574 kJ·mol-1
②CH4(g)+4NO(g)===2N2(g)+CO2(g)+2H2O(g) ΔH=-1160 kJ·mol-1
下列敘述正確的是
A.CH4(g)+2NO2(g)===N2(g)+CO2(g)+2H2O(l) ΔH=-867 kJ·mol-1
B.CH4催化還原NOx為N2的過程中,若x=1.6,則轉(zhuǎn)移電子3.2 mol
C.若0.2 mol CH4還原NO2至N2,在上述條件下放出的熱量為173.4 kJ
D.若用標(biāo)準(zhǔn)狀況下4.48 L CH4還原NO2至N2,整個(gè)過程中轉(zhuǎn)移電子3.2 mol
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科目:高中化學(xué) 來源:2013屆福建省高二上學(xué)期期中考試化學(xué)試卷 題型:選擇題
(11分)
Ⅰ.(8分)氮化硅(Si3N4)是一種新型陶瓷材料,它可由石英與焦炭在高溫的氮?dú)饬髦,通過以下反應(yīng)制得:
(1)配平上述反應(yīng)的化學(xué)方程式(將化學(xué)計(jì)量數(shù)填在方框內(nèi));
(2)若知上述反應(yīng)每產(chǎn)生2.24LCO氣體(折為標(biāo)準(zhǔn)狀況)放出Q kJ的熱量,則其熱化學(xué)方程式為
(3)用軌道表示式表達(dá)Si 核外電子排布情況
(4)已知Si的電負(fù)性為1.8 ,H的電負(fù)性為2.1,N的電負(fù)性為3.0 ,則SiH4 中硅的化合價(jià)為 ,Si3N4所屬的化合物類型是 (填離子化合物or共價(jià)化合物),在前四周期的元素中,未成對(duì)電子數(shù)最多的元素的電子排布式為
Ⅱ.(3分)用CH4催化還原NOx可以消除氮氧化物的污染。例如:
CH4(g)+4NO2(g)=4NO(g)+CO2(g)+2H2O(g) ΔH=-574 kJ·mol-1
2N2(g)+CO2(g)+2H2O(g)=CH4(g)+4NO(g) ΔH=+1160 kJ·mol-1
若用標(biāo)準(zhǔn)狀況下4.48LCH4還原NO2至N2 ,整個(gè)過程中轉(zhuǎn)移的電子總數(shù)為 (阿伏伽德羅常數(shù)用NA表示),放出的熱量為 kJ。
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