Question

短周期元素A、B、C、D的核電荷數(shù)依次增大，最外層電子數(shù)之和為20，A和C、B和D分別屬于同主族元素，C的最外層電子數(shù)是次外層電子數(shù)的一半。下列敘述錯誤的是 
A．A、C的單質和氧化物均為原子晶體              B．A和D可形成直線型分子
C．原子半徑C＞D＞B                            D．B的氫化物的沸點較D的高

Answer 1

A

C的最外層電子數(shù)是次外層電子數(shù)的一半，則C可能是Li或Si，短周期元素A、B、C、D的核電荷數(shù)依次增大，最外層電子數(shù)之和為20，所以C只能是Si，即得A為C，B為O，D為S。
A錯，碳單質有金剛石（原子晶體）、石墨（過渡晶體）、C₆₀（分子晶體）；碳的氧化物有CO、CO₂均為分子晶體；硅單質為原子晶體，二氧化硅為原子晶體；
B正確，A和D可形成CS₂，CS₂的結構與CO₂相同，均為直線形結構。
C正確，同周期從左到右原子半徑逐漸減小，同主族從上到下原子半徑逐漸增大；
D正確，B的氫化物為H₂O，D的氫化物為H₂S，水分子間存在氫鍵，而H₂S分子間不存在氫鍵。