Question

（2012?天津模擬）物質(zhì)A～Z有如圖所示的轉(zhuǎn)化關(guān)系（部分反應(yīng)物與產(chǎn)物已略去）．其中，常溫下B、C為氣體單質(zhì)，Y為固體單質(zhì)，Y是電子工業(yè)中常用的半導(dǎo)體材料．F是具有磁性的黑色晶體．E的水溶液與M混合后得到N，N經(jīng)過干燥脫水可得到一種常用于實驗室和袋裝食品、瓶裝食品等的干燥劑．

請回答：
（1）K的化學式

KSCN

；Z的電子式

；D中存在的化學鍵類型為

離子鍵和共價鍵

；
（2）反應(yīng)①的離子方程式

2Cl^-+2H₂O

電解  .

H₂↑+Cl₂↑+2OH^-

；
反應(yīng)③的化學方程式

Fe₃O₄+8HCl═2FeCl₃+FeCl₂+4H₂O

；
（3）向H的水溶液中加入足量氨水并將溶液露置在空氣中，觀察到的現(xiàn)象是

先有白色沉淀生成，后迅速變?yōu)榛揖G色，最終變?yōu)榧t褐色

；
（4）寫出反應(yīng)⑥的化學方程式

SiO₂+2C

高溫  .

Si+2CO↑

；
該反應(yīng)中每消耗1mol X，轉(zhuǎn)移電子

4

mol．

Answer 1

分析：常溫下B、C為氣體單質(zhì)，Y為固體單質(zhì)，Y是電子工業(yè)中常用的半導(dǎo)體材料，則Y是Si元素；
F是具有磁性的黑色晶體，則F是Fe₃O₄；
E的水溶液與M混合后得到N，N經(jīng)過干燥脫水可得到一種常用于實驗室和袋裝食品、瓶裝食品等的干燥劑，則N是硅酸，X和焦炭反應(yīng)生成硅，則X是二氧化硅，二氧化硅和強堿反應(yīng)生成鹽，電解A的飽和溶液生成強堿，同時生成兩種氣體，則A是氯化鈉，電解時生成氫氣、氯氣和氫氧化鈉，則D是氫氧化鈉；
氫氣和氯氣反應(yīng)生成氯化氫，所以E是氯化氫；鹽酸和四氧化三鐵反應(yīng)生成氯化鐵、氯化亞鐵，G和K反應(yīng)生成紅色溶液，則G是氯化鐵，K是硫氰化鉀，G和B反應(yīng)生成H，氯化亞鐵能被氯氣氧化，所以B是氯氣，C是氫氣，H是氯化亞鐵；硅和氯氣反應(yīng)生成四氯化硅，所以Z是四氯化硅．

解答：解：常溫下B、C為氣體單質(zhì)，Y為固體單質(zhì)，Y是電子工業(yè)中常用的半導(dǎo)體材料，則Y是Si元素；
F是具有磁性的黑色晶體，則F是Fe₃O₄；
E的水溶液與M混合后得到N，N經(jīng)過干燥脫水可得到一種常用于實驗室和袋裝食品、瓶裝食品等的干燥劑，則N是硅酸，X和焦炭反應(yīng)生成硅，則X是二氧化硅，二氧化硅和強堿反應(yīng)生成鹽，電解A的飽和溶液生成強堿，同時生成兩種氣體，則A是氯化鈉，電解時生成氫氣、氯氣和氫氧化鈉，則D是氫氧化鈉；
氫氣和氯氣反應(yīng)生成氯化氫，所以E是氯化氫；鹽酸和四氧化三鐵反應(yīng)生成氯化鐵、氯化亞鐵，G和K反應(yīng)生成紅色溶液，則G是氯化鐵，K是硫氰化鉀，G和B反應(yīng)生成H，氯化亞鐵能被氯氣氧化，所以B是氯氣，C是氫氣，H是氯化亞鐵；硅和氯氣反應(yīng)生成四氯化硅，所以Z是四氯化硅．
（1）通過以上分析知，K是硫氰化鉀，其化學式為：KSCN，Z是四氯化硅，其電子式為：，D是氫氧化鈉，氫氧化鈉中含有離子鍵和共價鍵，故答案為：KSCN，，離子鍵和（極性）共價鍵；
（2）電解氯化鈉飽和溶液生成氯氣、氫氣和氫氧化鈉，離子反應(yīng)方程式為：2Cl^-+2H₂O

電解  .

H₂↑+Cl₂↑+2OH^-，四氧化三鐵和鹽酸反應(yīng)生成氯化鐵、氯化亞鐵和水，反應(yīng)方程式為：Fe₃O₄+8 HCl═2FeCl₃+FeCl₂+4H₂O，故答案為：2Cl^-+2H₂O

電解  .

H₂↑+Cl₂↑+2OH^-，F(xiàn)e₃O₄+8 HCl═2FeCl₃+FeCl₂+4H₂O；
（3）氯化亞鐵和氨水反應(yīng)生成氫氧化亞鐵白色沉淀，氫氧化亞鐵不穩(wěn)定，易被氧氣氧化生成紅棕色沉淀，所以看到的現(xiàn)象是：先有白色沉淀生成，后迅速變?yōu)榛揖G色，最終變?yōu)榧t褐色，
故答案為：先有白色沉淀生成，后迅速變?yōu)榛揖G色，最終變?yōu)榧t褐色；
（4）高溫下，二氧化硅和碳反應(yīng)生成硅和一氧化碳，反應(yīng)方程式為：SiO₂+2 C

高溫  .

 Si+2CO↑，該反應(yīng)中每消耗1mol X，轉(zhuǎn)移電子=1mol（4-0）=4mol，
故答案為：SiO₂+2 C

高溫  .

 Si+2CO↑，4．

點評：本題考查元素化合物的性質(zhì)，正確推斷元素是解本題的關(guān)鍵，注意書寫反應(yīng)方程式時要注明反應(yīng)條件，為易錯點．