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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:
7 |
8 |
C4(NH3)C3(O2) |
C2(N2)C6(H2O) |
C4(NH3)C3(O2) |
C2(N2)C6(H2O) |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:
高溫 |
選項(xiàng) | 投料方式 |
A | n(SiCl4):n(N2):n(H2)=1:1:2 |
B | n(SiCl4):n(N2):n(H2)=1:2:2 |
C | n(SiCl4):n(N2):n(H2)=3:2:2 |
D | n(SiCl4):n(N2):n(H2)=2:1:3 |
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科目:高中化學(xué) 來源:2012-2013學(xué)年北京市房山區(qū)房山中學(xué)高二下學(xué)期期中考試化學(xué)試卷(帶解析) 題型:填空題
碳化硅(SiC) 、氧化鋁(Al2O3) 和氮化硅(Si3N4)是優(yōu)良的高溫結(jié)構(gòu)陶瓷,在工業(yè)生產(chǎn)和科技領(lǐng)域有重要用途。
(1)Al的原子結(jié)構(gòu)示意圖為 ;Al與NaOH溶液反應(yīng)的離子方程式為
。
(2)氮化硅抗腐蝕能力很強(qiáng),但易被氫氟酸腐蝕,氮化硅與氫氟酸反應(yīng)生成四氟化硅和一種銨鹽,其反應(yīng)方程式為 。
(3)工業(yè)上用化學(xué)氣相沉積法制備氮化硅,其反應(yīng)如下:
3SiCl4(g) + 2N2(g) + 6H2(g)Si3N4(s) + 12HCl(g) △H<0
某溫度和壓強(qiáng)條件下,分別將0.3mol SiCl4(g)、0.2mol N2(g)、0.6mol H2(g)充入2L密閉容器內(nèi),進(jìn)行上述反應(yīng),5min達(dá)到平衡狀態(tài),所得Si3N4(s)的質(zhì)量是5.60g。
①H2的平均反應(yīng)速率是 mol/(L·min)。
②平衡時(shí)容器內(nèi)N2的濃度是 mol·L-1。
③SiCl4(g)的轉(zhuǎn)化率是 。
④若按n(SiCl4) : n(N2) : n(H2) =" 3" : 2 : 6的投料配比,向上述容器不斷擴(kuò)大加料,SiCl4(g)的轉(zhuǎn)化率應(yīng) (填“增大”、“減”或“不變”)。
⑤工業(yè)上制備純硅反應(yīng)的熱化學(xué)方程式如下:
SiCl4(g)+2H2(g) Si(s)+4HCl(g);△H=+QkJ·mol-1(Q>0)
某溫度、壓強(qiáng)下,將一定量的反應(yīng)物通入密閉容器進(jìn)行以上的反應(yīng)(此條件下為可逆反應(yīng)),下列敘述正確的是( )
A.反應(yīng)過程中,若增大壓強(qiáng)能提高SiCl4的轉(zhuǎn)化率
B.若反應(yīng)開始時(shí)SiCl4為1mol,則達(dá)到平衡時(shí),吸收熱量為QkJ
C.當(dāng)反應(yīng)吸收熱量為0.025QkJ時(shí),生成的HCl通入100mL1mol·L-1的NaOH恰好反應(yīng)
D.反應(yīng)至4min時(shí),若HCl的濃度為0.12mol·L-1,則H2的反應(yīng)速率為0.03mol/(L·min)
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科目:高中化學(xué) 來源:2012-2013學(xué)年四川成都棠湖中學(xué)外語實(shí)驗(yàn)學(xué)校高二5月月考化學(xué)卷(帶解析) 題型:填空題
碳化硅(SiC) 、氧化鋁(Al2O3) 和氮化硅(Si3N4)是優(yōu)良的高溫結(jié)構(gòu)陶瓷,在工業(yè)生產(chǎn)和科技領(lǐng)域有重要用途。宇宙火箭和導(dǎo)彈中,大量用鈦代替鋼鐵。
(1)Al的離子結(jié)構(gòu)示意圖為 ;
Al與NaOH溶液反應(yīng)的離子方程式為
(2)氮化硅抗腐蝕能力很強(qiáng),但易被氫氟酸腐蝕,氮化硅與氫氟酸反應(yīng)生成四氟化硅和一種銨鹽,
其反應(yīng)方程式為
(3)工業(yè)上用化學(xué)氣相沉積法制備氮化硅,其反應(yīng)如下:
3SiCl4(g) + x N2(g) + 6 H2(g) Si3N4(s) + 12 HCl(g) △H<0
在恒溫、恒容時(shí),分別將0.3mol SiCl4(g)、0.2mol N2(g)、0.6mol H2(g)充入2 L密閉容器內(nèi),進(jìn)行上述反應(yīng),5 min達(dá)到平衡狀態(tài),所得HCl(g)為0.3mol/L、 N2為0.05 mol/L
① H2的平均反應(yīng)速率是
② 反應(yīng)前與達(dá)到平衡時(shí)容器內(nèi)的壓強(qiáng)之比=
③ 系數(shù) x =
(4)已知:TiO2(s)+2Cl2(g)===TiCl4(l)+O2(g) ΔH1=+140 kJ·mol-1
C(s)+O2(g)=== CO(g) ΔH2 =-110 kJ·mol-1
寫出TiO2和焦炭、氯氣反應(yīng)生成TiCl4和CO氣體的熱化學(xué)方程式:
。
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科目:高中化學(xué) 來源:2014屆北京市高二下學(xué)期期中考試化學(xué)試卷(解析版) 題型:填空題
碳化硅(SiC) 、氧化鋁(Al2O3) 和氮化硅(Si3N4)是優(yōu)良的高溫結(jié)構(gòu)陶瓷,在工業(yè)生產(chǎn)和科技領(lǐng)域有重要用途。
(1)Al的原子結(jié)構(gòu)示意圖為 ;Al與NaOH溶液反應(yīng)的離子方程式為
。
(2)氮化硅抗腐蝕能力很強(qiáng),但易被氫氟酸腐蝕,氮化硅與氫氟酸反應(yīng)生成四氟化硅和一種銨鹽,其反應(yīng)方程式為 。
(3)工業(yè)上用化學(xué)氣相沉積法制備氮化硅,其反應(yīng)如下:
3SiCl4(g) + 2N2(g) + 6H2(g)Si3N4(s) + 12HCl(g) △H<0
某溫度和壓強(qiáng)條件下,分別將0.3mol SiCl4(g)、0.2mol N2(g)、0.6mol H2(g)充入2L密閉容器內(nèi),進(jìn)行上述反應(yīng),5min達(dá)到平衡狀態(tài),所得Si3N4(s)的質(zhì)量是5.60g。
①H2的平均反應(yīng)速率是 mol/(L·min)。
②平衡時(shí)容器內(nèi)N2的濃度是 mol·L-1。
③SiCl4(g)的轉(zhuǎn)化率是 。
④若按n(SiCl4) : n(N2) : n(H2) =" 3" : 2 : 6的投料配比,向上述容器不斷擴(kuò)大加料,SiCl4(g)的轉(zhuǎn)化率應(yīng) (填“增大”、“減”或“不變”)。
⑤工業(yè)上制備純硅反應(yīng)的熱化學(xué)方程式如下:
SiCl4(g)+2H2(g) Si(s)+4HCl(g);△H=+QkJ·mol-1(Q>0)
某溫度、壓強(qiáng)下,將一定量的反應(yīng)物通入密閉容器進(jìn)行以上的反應(yīng)(此條件下為可逆反應(yīng)),下列敘述正確的是( )
A.反應(yīng)過程中,若增大壓強(qiáng)能提高SiCl4的轉(zhuǎn)化率
B.若反應(yīng)開始時(shí)SiCl4為1mol,則達(dá)到平衡時(shí),吸收熱量為QkJ
C.當(dāng)反應(yīng)吸收熱量為0.025QkJ時(shí),生成的HCl通入100mL1mol·L-1的NaOH恰好反應(yīng)
D.反應(yīng)至4min時(shí),若HCl的濃度為0.12mol·L-1,則H2的反應(yīng)速率為0.03mol/(L·min)
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