【題目】在給定的條件下,下列選項所示的物質(zhì)間轉(zhuǎn)化均能實現(xiàn)的是( )
A.SiO2 SiCl4 Si
B.FeS2 SO2 H2SO4
C.N2 NH3 NH4Cl(aq)
D.MgCO3 MgCl2(aq) Mg
【答案】C
【解析】解:A.二氧化硅屬于酸性氧化物和鹽酸不反應(yīng),不能一步實現(xiàn)反應(yīng),故A錯誤;
B.二氧化硫和水反應(yīng)生成亞硫酸,亞硫酸被氧化生成硫酸,二氧化硫和水不能一步轉(zhuǎn)化,故B錯誤;
C.氮氣和氫氣在催化劑、高溫高壓條件下反應(yīng)生成氨氣,氨氣是堿性氣體和鹽酸反應(yīng)生成氯化銨,兩步反應(yīng)能一步實現(xiàn),故C正確;
D.碳酸鎂溶于鹽酸生成氯化鎂溶液,氯化鎂溶液電解得到氫氧化鎂,氫氣和氯氣,不能直接得到金屬鎂,應(yīng)是電解熔融狀態(tài)的氯化鎂得到金屬鎂,故D錯誤;
故選C.
A.二氧化硅為酸性氧化物和鹽酸不反應(yīng);
B.FeS2燃燒生成二氧化硫,二氧化硫和水反應(yīng)生成亞硫酸;
C.氮氣和氫氣一定條件下反應(yīng)生成氨氣,氨氣和鹽酸反應(yīng)生成氯化銨;
D.碳酸鎂和鹽酸反應(yīng)生成氯化鎂、二氧化碳和水,氯化鎂溶液電解不能生成金屬鎂.
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【題目】如圖方框中的每一字母各代表一種物質(zhì)或溶液,它們在一定條件下發(fā)生反應(yīng)的關(guān)系如圖1(圖中略去了一些物質(zhì)).已知A、D是兩種常見的金屬,B是紅棕色金屬氧化物,C是一種熔點很高的金屬氧化物.
根據(jù)示意圖回答下列問題:
(1)寫出下列物質(zhì)的化學(xué)式:B , K;
(2)寫出H→G的離子方程式;
(3)寫出N→M化學(xué)方程式;
(4)實驗室在配制H的溶液時,往往要加入少量的D,其作用是 .
(5)檢驗G中的陽離子的常用方法和現(xiàn)象是 .
(6)取圖1中一定量F溶液,向其中逐滴加入NaOH溶液直至過量.如圖2所示示意圖能表示實驗過程中沉淀的質(zhì)量隨NaOH溶液體積變化的是(填序號) .
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【題目】我們飲用的水是由源水凈化所得。已知,明礬能將水中的懸浮物凝聚而沉淀,氯氣可殺菌。家庭飲用水的凈化過程正確的是 ( )。
A.源水→過濾→加氯氣→加明礬→沉淀→凈水
B.源水→加氯氣→過濾→加明礬→沉淀→凈水
C.源水→加明礬→加氯氣→過濾→沉淀→凈水
D.源水→加明礬→沉淀→過濾→加氯氣→凈水
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【題目】20℃時,飽和KCl溶液的密度為1.174gcm﹣3 , 物質(zhì)的量濃度為4.0molL﹣1 , 則下列說法中不正確的是( )
A.20℃時,飽和KCl溶液與等質(zhì)量的水混合后物質(zhì)的量濃度大于2.0molL﹣1
B.20℃時,將29.8 gKCl溶于87.6g水中可得飽和溶液
C.20℃時,密度小于1.174gcm﹣3的KCl溶液是不飽和溶液
D.將此溶液蒸發(fā)部分水,再恢復(fù)到20℃時,溶液中各離子的濃度不變
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【題目】把NaOH、MgCl2、AlCl3三種固體組成的混合物溶于足量水后,產(chǎn)生1.16g白色沉淀,再向所得濁液中逐漸加入1.00mol/LHCl溶液,加入HCl溶液的體積與生成沉淀的關(guān)系如圖所示.
(1)A點的沉淀物的化學(xué)式為 .
(2)寫出A點至B點發(fā)生反應(yīng)的離子方程式: .
(3)原混合物中NaOH的質(zhì)量是g,C點(此時沉淀恰好完全溶解)HCl溶液的體積為mL.
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【題目】某學(xué)生為了探究鋅與鹽酸反應(yīng)過程中的速率變化,他在100mL稀鹽酸中加入足量的鋅粉,用排水集氣法收集反應(yīng)放出的氫氣,實驗記錄如表(累計值):
時間(min) | 1 | 2 | 3 | 4 | 5 |
氫氣體積(mL) | 50 | 120 | 232 | 290 | 310 |
(1)哪一時間段(指0~1、1~2、2~3、3~4、4~5min)反應(yīng)速率最大 , 原因是 .
(2)哪一段時段的反應(yīng)速率最小 , 原因是
(3)求2~3分鐘時間段以鹽酸的濃度變化來表示的該反應(yīng)速率 .
(4)如果反應(yīng)太激烈,為了減緩反應(yīng)速率而又不減少產(chǎn)生氫氣的量,他在鹽酸中分別加入等體積的下列溶液:你認(rèn)為可行的是(填編號). A.蒸餾水 B.NaCl溶液 C.Na2CO3溶液 D.CuSO4溶液.
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【題目】【化學(xué)-選修3:物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)】砷化鎵(GaAs)是優(yōu)良的半導(dǎo)體材料,可用于制作微型激光器或太陽能電池的材料等.回答下列問題:
(1)寫出基態(tài)As原子的核外電子排布式 .
(2)根據(jù)元素周期律,原子半徑GaAs,第一電離能GaAs.(填“大于”或“小于”)
(3)AsCl3分子的立體構(gòu)型為 , 其中As的雜化軌道類型為 .
(4)GaF3的熔點高于1000℃,GaCl3的熔點為77.9℃,其原因是 .
(5)GaAs的熔點為1238℃,密度為ρ gcm﹣3 , 其晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示.
該晶體的類型為 , Ga與As以鍵鍵合.Ga和As的摩爾質(zhì)量分別為MGa gmol﹣1和MAs gmol﹣1 , 原子半徑分別為rGa pm和rAs pm,阿伏伽德羅常數(shù)值為NA , 則GaAs晶胞中原子的體積占晶胞體積的百分率為 .
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【題目】給下列溶液中通入CO2氣體,不可能產(chǎn)生沉淀的是( )
A. 氯化鈣和硝酸鋇的混合液 B. 稀的水玻璃
C. 偏鋁酸鈉溶液 D. 碳酸鈉飽和溶液
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【題目】根據(jù)題意填空
(1)根據(jù)VSEPR模型判斷,下列微粒中所有原子都在同一平面上的一組是 .
A.SO32﹣和NO2﹣
B.NO3﹣和SO3
C.H3O+和ClO3﹣
D.PO43﹣和SO32﹣
(2)CaF2的晶胞如圖所示.
①下列有關(guān)CaF2的表達(dá)正確的是
a.Ca2+與F﹣間僅存在靜電吸引作用
b.F﹣的離子半徑小于Cl﹣ , 則CaF2的熔點高于CaCl2
c.陰、陽離子比為2:1的離子化合物,均與CaF2晶體構(gòu)型相同
d.CaF2中的化學(xué)鍵為離子鍵,因此CaF2在熔融狀態(tài)下能導(dǎo)電
②CaF2難溶于水,但可溶于含Al3+的溶液中,原因是(用離子方程式表示,已知[AlF6]3﹣在溶液中可穩(wěn)定存在).
③晶胞中F﹣的配位數(shù)是 , 與一個Ca2+等距離且最近的Ca2+有個.
(3)銅、鋅兩種元素的第一電離能、第二電離能如表所示
電離能/kJmol﹣1 | I1 | I2 |
銅 | 746 | 1958 |
鋅 | 906 | 1733 |
④寫出Cu原子核外電子排布式;
⑤銅的第一電離能(I1)小于鋅的第一電離能,而銅的第二電離能(I2)卻大于鋅的第二電離能,其主要原因是 .
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