下列敘述肯定錯(cuò)誤的是


  1. A.
    某原子K層上的電子數(shù)是L層上的電子數(shù)的2倍
  2. B.
    某離子M層和L層上的電子數(shù)均為K層上的電子數(shù)的4倍
  3. C.
    某原子M層上的電子數(shù)為L層上的電子數(shù)的4倍
  4. D.
    存在核電荷數(shù)與最外層電子數(shù)相等的離子
練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

下列有關(guān)氣體的敘述中，錯(cuò)誤的是（　�。�
A、不同的氣體，若體積不同，則它們所含的分子數(shù)肯定不同B、在標(biāo)準(zhǔn)狀況下，氣體的摩爾體積約為22.4L?mol-1C、當(dāng)分子數(shù)目相同時(shí)，氣體體積的大小主要取決于氣體分子之間的距離D、氣態(tài)物質(zhì)沒有固定的形狀，且容易被壓縮

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科目：高中化學(xué) 來源：黃岡中學(xué)　高一化學(xué)(下冊(cè))、§5.1　原子結(jié)構(gòu)(2) 題型：013

下列敘述肯定錯(cuò)誤的是

A．某原子K層上的電子數(shù)是L層上的電子數(shù)的2倍

B．某離子M層和L層上的電子數(shù)均為K層上的電子數(shù)的4倍

C．某原子M層上的電子數(shù)為L層上的電子數(shù)的4倍

D．存在核電荷數(shù)與最外層電子數(shù)相等的離子

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科目：高中化學(xué) 來源：黃岡中學(xué)　高一化學(xué)(下冊(cè))、§6.1　氧族元素(1) 題型：013

VCD光盤上的光記憶材料有多種，其光記原理為在激光照射下發(fā)生物理變化或化學(xué)變化，從而記錄儲(chǔ)存信號(hào)。碲的某種化合物是常見的一種VCD光盤記錄材料，下列關(guān)于碲及其化合物的敘述中，肯定錯(cuò)誤的是

A．Te元素位于周期表中第四周期ⅥA族

B．Te的常見氧化物的水化物有兩種

C．的酸性比弱

D．比穩(wěn)定

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科目：高中化學(xué) 來源：2013-2014學(xué)年上海市靜安區(qū)高三上學(xué)期期末考試化學(xué)試卷（解析版） 題型：選擇題

主族元素A、B形成的陰離子如圖所示，其中A、B原子最外層都已達(dá)到8電子穩(wěn)定結(jié)構(gòu)，則下列關(guān)于該離子的敘述肯定錯(cuò)誤的是

A．n=2                      B．A是第ⅡA族元素

C．A為-2價(jià)，B為+2價(jià)       D．該離子沒有還原性

 

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