(6分)原子序數(shù)小于36的A、B、C、D四種元素,A原子基態(tài)時(shí)最外層電子數(shù)是其內(nèi)層電子數(shù)的2倍,B原子基態(tài)時(shí)2p原子軌道上有3個(gè)未成對(duì)的電子,C的基態(tài)原子中有4個(gè)未成對(duì)電子,D的原子序數(shù)比C大3。
回答下列問(wèn)題:
(1)B的氫化物沸點(diǎn)比A的氫化物沸點(diǎn)高,其主要原因是
(2)元素A的一種氧化物與元素B的一種氧化物互為等電子體(原子個(gè)數(shù)和電子個(gè)數(shù)均 相等的為等電子體),元素B的這種氧化物的分子式是 。
(3)C3+核外電子排布式是
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:
實(shí)驗(yàn)Ⅰ | A(OH)3
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實(shí)驗(yàn)Ⅱ | B(OH)3
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源:2013屆浙江省臺(tái)州中學(xué)高三第一次統(tǒng)練化學(xué)試卷(帶解析) 題型:填空題
(6分)原子序數(shù)小于36的A、B、C、D四種元素,A原子基態(tài)時(shí)最外層電子數(shù)是其內(nèi)層電子數(shù)的2倍,B原子基態(tài)時(shí)2p原子軌道上有3個(gè)未成對(duì)的電子,C的基態(tài)原子中有4個(gè)未成對(duì)電子,D的原子序數(shù)比C大3。
回答下列問(wèn)題:
(1)B的氫化物沸點(diǎn)比A的氫化物沸點(diǎn)高,其主要原因是 。(2)元素A的一種氧化物與元素B的一種氧化物互為等電子體(原子個(gè)數(shù)和電子個(gè)數(shù)均相等的為等電子體),元素B的這種氧化物的分子式是 。
(3)C3+核外電子排布式是
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源:2012-2013學(xué)年浙江省高三第一次統(tǒng)練化學(xué)試卷(解析版) 題型:選擇題
原子序數(shù)小于36的A、B、C、D四種元素,A原子基態(tài)時(shí)最外層電子數(shù)是其內(nèi)層電子數(shù)的2倍,B原子基態(tài)時(shí)2p原子軌道上有3個(gè)未成對(duì)的電子,C的基態(tài)原子中有4個(gè)未成對(duì)電子,D的原子序數(shù)比C大3。
回答下列問(wèn)題:
(1)B的氫化物沸點(diǎn)比A的氫化物沸點(diǎn)高,其主要原因是 。(2)元素A的一種氧化物與元素B的一種氧化物互為等電子體(原子個(gè)數(shù)和電子個(gè)數(shù)均相等的為等電子體),元素B的這種氧化物的分子式是 。
(3)C3+核外電子排布式是
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源:2012-2013學(xué)年浙江省高三第一次月考化學(xué)試卷(解析版) 題型:填空題
(6分)原子序數(shù)小于36的A、B、C、D四種元素,A原子基態(tài)時(shí)最外層電子數(shù)是其內(nèi)層電子數(shù)的2倍,B原子基態(tài)時(shí)2p原子軌道上有3個(gè)未成對(duì)的電子,C的基態(tài)原子中有4個(gè)未成對(duì)電子,D的原子序數(shù)比C大3。
回答下列問(wèn)題:
(1)B的氫化物沸點(diǎn)比A的氫化物沸點(diǎn)高,其主要原因是
(2)元素A的一種氧化物與元素B的一種氧化物互為等電子體(原子個(gè)數(shù)和電子個(gè)數(shù)均 相等的為等電子體),元素B的這種氧化物的分子式是 。
(3)C3+核外電子排布式是
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源:2012-2013學(xué)年浙江省高三第一次統(tǒng)練化學(xué)試卷(解析版) 題型:填空題
(6分)原子序數(shù)小于36的A、B、C、D四種元素,A原子基態(tài)時(shí)最外層電子數(shù)是其內(nèi)層電子數(shù)的2倍,B原子基態(tài)時(shí)2p原子軌道上有3個(gè)未成對(duì)的電子,C的基態(tài)原子中有4個(gè)未成對(duì)電子,D的原子序數(shù)比C大3。
回答下列問(wèn)題:
(1)B的氫化物沸點(diǎn)比A的氫化物沸點(diǎn)高,其主要原因是 。(2)元素A的一種氧化物與元素B的一種氧化物互為等電子體(原子個(gè)數(shù)和電子個(gè)數(shù)均相等的為等電子體),元素B的這種氧化物的分子式是 。
(3)C3+核外電子排布式是
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