Question

科技日?qǐng)?bào)報(bào)道：輝鉬（MoS₂)在納米電子設(shè)備制造領(lǐng)域比硅或富勒烯（如C₆₀）更有優(yōu)勢(shì)。從不同角度觀察MoS₂的晶體結(jié)構(gòu)見圖。已知：Mo位于第五周期VIB族。

（1）晶體硅中硅原子的軌道雜化類型為______。
（2）電負(fù)性：C______S（填“>”或“<”）。
（3）晶體硅和C₆₀比較，熔點(diǎn)較高的是______。
（4）Mo元素基態(tài)原子的價(jià)電子排布式為____________。
（5）根據(jù)MoS₂的晶體結(jié)構(gòu)回答：
①每個(gè)Mo原子周圍距離最近的S原子數(shù)目為______。
②Mo-S之間的化學(xué)鍵為______（填序號(hào)）。
A極性鍵；B非極性鍵；C配位鍵；D金屬鍵；E范德華力
③MoS₂納米粒子具有優(yōu)異的潤滑性能，其原因是______。

Answer 1

（13分）（1）sp³（1分）
（2）< （2分）
（3）晶體硅（2分）
（4）4d⁴5s¹（2分）
（5）①6（2分）
②AC（2分）
③MoS₂具有層狀結(jié)構(gòu)，Mo與S同層間以共價(jià)鍵結(jié)合，層與層之間通過范德華力結(jié)合，外力作用層與層易發(fā)生相對(duì)滑動(dòng)（2分）

試題分析：（1）晶體硅中以正四面體結(jié)構(gòu)為單元，說明硅原子采取sp³雜化方式；（2）最高價(jià)氧化物對(duì)應(yīng)水化物酸性：H₂CO₃<H₂SO₄，則非金屬性：C<S，所以電負(fù)性：C<S；（3）晶體硅是原子晶體，C₆₀是分子晶體，則熔點(diǎn)：晶體硅>C₆₀；（4）Mo位于第五周期VIB族，由能量最低原理、洪特規(guī)則可知，基態(tài)Mo原子的價(jià)電子排布式為4d⁴5s¹；（5）①讀圖可知，每個(gè)Mo原子周圍距離最近的S由6個(gè)；Mo-S之間的化學(xué)鍵為極性鍵和配位鍵，故AC正確；MoS₂具有層狀結(jié)構(gòu)，Mo與S同層間以共價(jià)鍵結(jié)合，層與層之間通過范德華力結(jié)合，外力作用層與層易發(fā)生相對(duì)滑動(dòng)。