Question

【題目】（1）如圖為4s和3d電子云的徑向分布圖，3d軌道離原子核更近，但是根據(jù)鮑林的軌道近似能級(jí)圖填充電子時(shí)，先填4s電子，而后填3d電子，試簡單寫出理由______。

（2）寫出臭氧的Lewis結(jié)構(gòu)式______只需要寫出一種共振式即可。

（3）根據(jù)堆積原理，可以將等徑球的密堆積分為、、、堆積，其中堆積形成抽出立方面心晶胞，又叫面心立方最密堆積，其構(gòu)成的晶胞中含有4個(gè)球，寫出它們的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為______。

（4）關(guān)于是一個(gè)特殊的物質(zhì)，高溫下順磁性，低溫下抗磁性，主要是因?yàn)?/span>與可以相互轉(zhuǎn)化，低溫時(shí)主要以雙聚分子形式存在，高溫時(shí)主要以單分子形式存在，同時(shí)在高溫時(shí)分子中存在離域鍵的存在，使得氧原子沒有成單電子，寫出中存在離域鍵為______。

（5）在相同的雜化類型和相同的孤對(duì)電子對(duì)數(shù)目時(shí)，分子的鍵角也會(huì)不相同，試比較和中鍵角的大小，______填“大于”或“小于”或“等于”。

（6）已知飽和硫化氫的濃度為，硫化氫的離解常數(shù)為，，計(jì)算飽和硫化氫溶液中氫離子的濃度為______。

Answer 1

【答案】4s軌道3d軌道鉆得深，可以更好地回避其它電子的屏蔽 、、、 大于

【解析】

（1）軌道3d軌道鉆得深，可以更好地回避其它電子的屏蔽，據(jù)此進(jìn)行分析；

（2）整個(gè)分子是V形，中心O是雜化，分子中含一個(gè)3，4大鍵；

（3）據(jù)面心立方最密堆積，進(jìn)行分析；

（4）中心原子N采取雜化，其中一個(gè)雜化軌道上填有氮的一個(gè)單電子而不是孤對(duì)電子，從而此分子中的離域鍵是，據(jù)此進(jìn)行分析；

（5）成鍵電子對(duì)間的距離越遠(yuǎn)，成鍵電子對(duì)間的排斥力越��；

（6），據(jù)此進(jìn)行計(jì)算。

（1）軌道離原子核更近，但是根據(jù)鮑林的軌道近似能級(jí)圖填充電子時(shí)，先填4s電子，而后填3d電子，原因是4s軌道3d軌道鉆得深，可以更好地回避其它電子的屏蔽；

（2）整個(gè)分子是V形，中心O是雜化，分子中含一個(gè)3，4大鍵，故臭氧的Lewis結(jié)構(gòu)式為；

（3）面心立方最密堆積，則晶胞中含有4個(gè)球，它們的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為、、和；

（4）中心N原子采取雜化，其中一個(gè)雜化軌道上填有氮的一個(gè)單電子而不是孤對(duì)電子，從而此分子中的離域鍵是；

（5）氟的電負(fù)性大于氫，因此用于成鍵的電子對(duì)更偏向氟或離氮原子核較遠(yuǎn)，氮周圍電子密度減小或成鍵電子對(duì)間的“距離”較遠(yuǎn)，斥力較小，因而鍵角較小，故，大于；

（6）。