ⅥA族的氧、硫、硒(Se)、碲(Te)等元素在化合物中常表現(xiàn)出多種氧化態(tài)，含ⅥA族元素的化合物在研究和生產(chǎn)中有許多重要用途。請回答下列問題：   
 （1）S單質的常見形式為S8，其環(huán)狀結構如下圖所示，S原子采用的軌道雜化方式是_____；
（2）原子的第一電離能是指氣態(tài)電中性基態(tài)原子失去一個電子轉化為氣態(tài)基態(tài)正離子所需要的最低能量，O、S、Se原子的第一電離能由大到小的順序為_______；
（3）Se原子序數(shù)為____，其核外M層電子的排布式為____；
（4）H2Se的酸性比H2S___（填“強”或“弱”）。氣態(tài)SeO3分子的立體構型為____，
SO32-離子的立體構型為______；
（5）H2SeO3的K1和K2分別為2.7×10-3和2.5×10-8，H2SeO4第一步幾乎完全電離，K2為
1.2×10-2，請根據(jù)結構與性質的關系解釋；
①H2SeO4和H2SeO3第一步電離程度大于第二部電離的原因：______；
②H2SeO4和H2SeO3酸性強的原因：____________；
（6）ZnS在熒光體、光導體材料、涂料、顏料等行業(yè)中應用廣泛。立方ZnS晶體結構如下圖所示，其晶胞邊長為540.0 pm，密度為_________g·cm-3（列式并計算），a位置S2-離子與b位置Zn2+離子之間的距離為_____pm（列式表示）。
（1）sp3
（2）O＞S＞Se
（3）34；3s23p63d10
（4）強；平面三角形；三角錐形
（5）①第一步電離后生成的負離子較難進一步電離出帶正電荷的氫離子
②H2SeO4和H2SeO3可表示為(HO)2SeO和(HO)2SeO2。H2SeO3中的Se為+4價，而H2SeO4中的Se為+6價，正電性更高，導致Se-O-H中的O的電子更向Se偏移，越易電離出H+
（6）
練習冊系列答案
相關習題

科目：高中化學 來源： 題型：閱讀理解

ⅥA族的氧、硫、硒（Se）、碲（Te）等元素在化合物中常表現(xiàn)出多種氧化態(tài)，含ⅥA族元素的化合物在研究和生產(chǎn)中有許多重要用途．請回答下列問題：

（1）S單質的常見形式是S8，其環(huán)狀結構如圖1所示，S原子采用的軌道雜化方式是
sp3
sp3
；
（2）原子的第一電離能是指氣態(tài)電中性基態(tài)原子失去一個電子轉化為氣態(tài)基態(tài)正離子所需要的最低能量，O、S、Se原子的第一電離能由大到小的順序為
O＞S＞Se
O＞S＞Se
；
（3）Se的原子序數(shù)為
34
34
，其核外M層電子的排布式為
3s23p63d10
3s23p63d10
；
（4）H2Se的酸性比 H2S
強
強
（填“強”或“弱”）．氣態(tài)SeO3分子的立體構型為
平面三角形
平面三角形
，
SO
2-
3
離子的立體構型為
三角錐形
三角錐形
；
（5）H2SeO3 的K1和K2分別是2.7×10-3和2.5×10-8，H2SeO4的第一步幾乎完全電離，K2是1.2×10-2，請根據(jù)結構與性質的關系解釋：
①H2SeO3和H2SeO4的第一步電離程度大于第二步電離的原因：
第一步電離后生成的負離子較難再進一步電離出帶正電荷的氫離子
第一步電離后生成的負離子較難再進一步電離出帶正電荷的氫離子
；
②H2SeO4比H2SeO3酸性強的原因：
H2SeO3和H2SeO4可表示為（HO）SeO和（HO）SeO2．H2SeO3中Se為+4價，而H2SeO4中Se為+6價，正電性更高．導致Se-O-H中的O原子更向Se偏移，越易電離出H+
H2SeO3和H2SeO4可表示為（HO）SeO和（HO）SeO2．H2SeO3中Se為+4價，而H2SeO4中Se為+6價，正電性更高．導致Se-O-H中的O原子更向Se偏移，越易電離出H+
．
（6）ZnS在熒光體、光導體材料、涂料、顏料等行業(yè)中應用廣泛．立方ZnS晶體結構如圖2所示，其晶胞邊長為540.0pm，密度為
4×(65+32)g?mol-1
6.02×1023mol-1
(540.0×10-10cm)3
=4.1
4×(65+32)g?mol-1
6.02×1023mol-1
(540.0×10-10cm)3
=4.1
g?cm-3（列式并計算），a位置S2-離子與b位置Zn2+離子之間的距離為
270.0
1-cos109°28′
或
135.0×
2
sin
109°28′
2
或135
3
270.0
1-cos109°28′
或
135.0×
2
sin
109°28′
2
或135
3
pm（列式表示）

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科目：高中化學 來源：2013屆江蘇省揚州中學高三12月質量檢測化學試卷（帶解析） 題型：填空題

（12分）ⅥA族的氧、硫、硒(Se)、碲(Te)等元素在化合物中常表現(xiàn)出多種化合價，含ⅥA族元素的化合物在研究和生產(chǎn)中有許多重要用途。請回答下列問題：
（1）氧元素能形成繁多的氧化物，請寫出一個與CO2等電子的化合物         。
（2）把Na2O、 SiO2、P2O5三種氧化物按熔沸點由高到低順序排列         。
（3）原子的第一電離能是指氣態(tài)電中性基態(tài)原子失去一個電子轉化為氣態(tài)基態(tài)正離子所需要的最低能量，O、S、Se原子的第一電離能由大到小的順序為      ；
（4）Se原子基態(tài)核外電子的排布式為                         ；H2Se的沸點：－41.1℃，H2S的沸點：-60.4℃引起兩者沸點差異的主要原因是         ；
（5）SO32-離子中硫原子的雜化方式         ,該離子的立體構型為                 ；
（6）某金屬元素A的氧化物用作玻璃、瓷器的顏料、脫硫劑。其立方晶體的晶胞結構如右圖所示，則該氧化物的化學式為         。

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科目：高中化學 來源：2012-2013學年四川省樂山市高三“一調”考試理綜化學試卷（解析版） 題型：填空題

ⅥA族的氧、硫、硒(Se)、碲(Te)等元素在化合物中常表現(xiàn)出多種化合價，含ⅥA族元素的化合物在研究和生產(chǎn)中有許多重要用途。請回答下列問題：

（1）氧元素能形成繁多的氧化物，請寫出一個與CO2等電子的化合物          。

（2）把Na2O、SiO2、P2O5三種氧化物按熔沸點由高到低順序排列          。

（3）原子的第一電離能是指氣態(tài)電中性基態(tài)原子失去一個電子轉化為氣態(tài)基態(tài)正離子所需要的最低能量，O、S、Se原子的第一電離能由大到小的順序為       ；

（4）Se原子基態(tài)核外電子的排布式為                          ；H2Se的沸點：-41.1℃ ，H2S的沸點：-60.4℃，引起兩者沸點差異的主要原因是          ；

（5）SO32-離子中硫原子的雜化方式          ,該離子的立體構型為                  ；

（6）某金屬元素A的氧化物用作玻璃、瓷器的顏料、脫硫劑。其立方晶體的晶胞結構如右圖所示，

則該氧化物的化學式為          。

 

 

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科目：高中化學 來源：2012-2013學年江蘇省高三12月質量檢測化學試卷（解析版） 題型：填空題

（12分）ⅥA族的氧、硫、硒(Se)、碲(Te)等元素在化合物中常表現(xiàn)出多種化合價，含ⅥA族元素的化合物在研究和生產(chǎn)中有許多重要用途。請回答下列問題：

（1）氧元素能形成繁多的氧化物，請寫出一個與CO2等電子的化合物         。

（2）把Na2O、 SiO2、P2O5三種氧化物按熔沸點由高到低順序排列         。

（3）原子的第一電離能是指氣態(tài)電中性基態(tài)原子失去一個電子轉化為氣態(tài)基態(tài)正離子所需要的最低能量，O、S、Se原子的第一電離能由大到小的順序為      ；

（4）Se原子基態(tài)核外電子的排布式為                         ；H2Se的沸點：－41.1℃，H2S的沸點：-60.4℃引起兩者沸點差異的主要原因是         ；

（5）SO32-離子中硫原子的雜化方式         ,該離子的立體構型為                 ；

（6）某金屬元素A的氧化物用作玻璃、瓷器的顏料、脫硫劑。其立方晶體的晶胞結構如右圖所示，則該氧化物的化學式為         。

 

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科目：高中化學 來源： 題型：

A.ⅥA族的氧、硫、硒(Se)、碲(Te)等元素在化合物中常表現(xiàn)出多種化合價，含ⅥA族元素的化合物在研究和生產(chǎn)中有許多重要用途。請回答下列問題：

（1）氧元素能形成繁多的氧化物，請寫出一個與CO2等電子的化合物　　 ▲　　 。

（2）Se原子基態(tài)核外電子的排布式為　　　　　　 　▲　　 ； O、S、Se原子的第一電離能由大到小的順序為　 ▲　 ；

（3）SO32-離子中硫原子的雜化方式　 ▲ ,該離子的立體構型為　　　 ▲　　　　　 ；

（4）某金屬元素（以A表示）的氧化物用作玻璃、瓷器的顏料、脫硫劑。其立方晶體的晶胞結構如右圖所示，則該氧化物的化學式為　　 ▲　 。

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