已知CO和H2的混合氣體稱為水煤氣,可由碳(C)與水蒸氣(H2O)在高溫下反應生成.如下圖:

已知:單質(zhì)E可作為半導體材料,化合物F是有毒的氧化物,C為液態(tài).據(jù)此,請?zhí)羁眨?BR>(1)氧化物A是
SiO2
SiO2

(2)化合物F是
CO
CO

(3)反應①的化學方程式是
2C+SiO2
 高溫 
.
 
2CO+Si
2C+SiO2
 高溫 
.
 
2CO+Si

(4)反應②的化學方程式是
C+H2O
 高溫 
.
 
CO+H2
C+H2O
 高溫 
.
 
CO+H2

(5)反應③的化學方程式是
2H2+O2
 點燃 
.
 
2H2O
2H2+O2
 點燃 
.
 
2H2O
分析:先根據(jù)題意中信息判斷單質(zhì)和化合物的成分,再根據(jù)要求解題.
根據(jù)單質(zhì)E可作為半導體材料,所以E是硅;C為液態(tài)的氧化物,常溫下呈液態(tài)的氧化物只有水,所以C是水;單質(zhì)G和H反應生成水,所以單質(zhì)G和H,所以兩種單質(zhì)中一個是氧氣和一個是氫氣;氧化物A和單質(zhì)B反應生成硅和氧化物F,根據(jù)元素守恒知,A是二氧化硅;
二氧化硅和單質(zhì)B反應生成硅和化合物,且F是有毒的氧化物,有毒的氧化物有一氧化碳、一氧化氮、二氧化氮、二氧化硫,且單質(zhì)B和水能反應生成氧化物F和單質(zhì)G,結(jié)合元素守恒知,B是碳,F(xiàn)是一氧化碳,G是氫氣,H是氧氣.
解答:解:根據(jù)單質(zhì)E可作為半導體材料,所以E是硅;C為液態(tài)的氧化物,常溫下呈液態(tài)的氧化物只有水,所以C是水;單質(zhì)G和H反應生成水,所以單質(zhì)G和H,所以兩種單質(zhì)中一個是氧氣和一個是氫氣;氧化物A和單質(zhì)B反應生成硅和氧化物F,根據(jù)元素守恒知,A是二氧化硅;
二氧化硅和單質(zhì)B反應生成硅和化合物,且F是有毒的氧化物,有毒的氧化物有一氧化碳、一氧化氮、二氧化氮、二氧化硫,且單質(zhì)B和水能反應生成氧化物F和單質(zhì)G,結(jié)合元素守恒知,B是碳,F(xiàn)是一氧化碳,G是氫氣,H是氧氣.
(1)通過以上分析知,A是SiO2,故答案為:SiO2;
(2)通過以上分析知,F(xiàn)是CO,故答案為:CO;
(2)碳和二氧化硅在高溫下反應生成一氧化碳和硅,故答案為:2C+SiO2
 高溫 
.
 
2CO+Si;   
(3)碳和水蒸氣在高溫下反應生成一氧化碳和氫氣,故答案為:C+H2O
 高溫 
.
 
CO+H2
(4)氫氣在氧氣中燃燒生成水,故答案為:2H2+O2
 點燃 
.
 
2H2O.
點評:本題考查了元素化合物的推斷,難度不大,會根據(jù)題中所給信息確定“題眼”,再結(jié)合反應現(xiàn)象推斷元素化合物.
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已知CO和H2的混合氣體稱為水煤氣,可由碳(C)與水蒸氣(H2O)在高溫下反應生成.如下圖:

已知:單質(zhì)E可作為半導體材料,化合物F是有毒的氧化物,C為液態(tài).據(jù)此,請?zhí)羁眨?br/>(1)氧化物A是______
(2)化合物F是______
(3)反應①的化學方程式是______
(4)反應②的化學方程式是______
(5)反應③的化學方程式是______.

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已知:單質(zhì)E可作為半導體材料,化合物F是有毒的氧化物,C為液態(tài).據(jù)此,請?zhí)羁眨?br>(1)氧化物A是______
(2)化合物F是______
(3)反應①的化學方程式是______
(4)反應②的化學方程式是______
(5)反應③的化學方程式是______.

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已知CO和H2的混合氣體稱為水煤氣,可由碳(C)與水蒸氣(H2O)在高溫下反應生成.如下圖:

已知:單質(zhì)E可作為半導體材料,化合物F是有毒的氧化物,C為液態(tài).據(jù)此,請?zhí)羁眨?br />(1)氧化物A是______
(2)化合物F是______
(3)反應①的化學方程式是______ 2CO+Si

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已知CO和H2的混合氣體稱為水煤氣,可由碳(C )與水蒸氣(H2O)在高溫下反應生成。如下圖
已知:單質(zhì)E可作為半導體材料,化合物F是有毒的氧化物,C為液態(tài)。據(jù)此,請?zhí)羁眨?BR>(1)氧化物A是___________
(2)化合物F是___________
(3)反應①的化學方程式是______________________
(4)反應②的化學方程式是______________________
(5)反應③的化學方程式是______________________

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