物質(zhì) | NaF | NaCl | NaBr | NaI | SiF4 | SiCl4 | SiBr4 | SiI4 |
熔點(diǎn)/℃ | 995 | 801 | 755 | 651 | -90.2 | -70.4 | 5.2 | 120.5 |
物質(zhì) | NaCl | KCl | RbCl | CsCl | SiCl4 | GeCl4 | SnCl4 | PbCl4 |
熔點(diǎn)/℃ | 801 | 776 | 715 | 646 | -70.4 | -49.5 | -36.2 | -15.0 |
(1)鈉的鹵化物及堿金屬的氯化物的熔點(diǎn)與_______有關(guān),隨_______增大,_______減小,故熔點(diǎn)依次降低;
(2)硅的鹵化物及硅、鍺、錫、鉛的氯化物的熔點(diǎn)與_______有關(guān),隨著_______增大,則_______增大,故熔點(diǎn)依次升高;
(3)鈉的鹵化物的熔點(diǎn)比相應(yīng)硅的鹵化物熔點(diǎn)高得多,這與_______有關(guān),因?yàn)開______,故前者熔點(diǎn)遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于后者。
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:
參考下表中數(shù)據(jù),回答有關(guān)問題:
物質(zhì) | NaF | NaCl | NaBr | NaI | SiF4 | SiCl4 | SiBr4 | SiI4 |
熔點(diǎn)/℃ | 995 | 801 | 755 | 651 | -90.2 | -70.4 | 5.2 | 120.5 |
物質(zhì) | NaCl | KCl | RbCl | CsCl | SiCl4 | GeCl4 | SnCl4 | PbCl4 |
熔點(diǎn)/℃ | 801 | 776 | 715 | 646 | -70.4 | -49.5 | -36.2 | -15.0 |
(1)鈉的鹵化物及堿金屬的氯化物的熔點(diǎn)與_______有關(guān),隨_______增大,_______減小,故熔點(diǎn)依次降低;
(2)硅的鹵化物及硅、鍺、錫、鉛的氯化物的熔點(diǎn)與_______有關(guān),隨著_______增大,則_______增大,故熔點(diǎn)依次升高;
(3)鈉的鹵化物的熔點(diǎn)比相應(yīng)硅的鹵化物熔點(diǎn)高得多,這與_______有關(guān),因?yàn)開______,故前者熔點(diǎn)遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于后者。
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科目:高中化學(xué) 來源:同步題 題型:填空題
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:
參考下表中數(shù)據(jù),回答有關(guān)問題:
(1)鈉的鹵化物及堿金屬的氯化物的熔點(diǎn)與___________有關(guān),隨___________增大,___________減小,故熔點(diǎn)依次降低。
(2)硅的鹵化物及硅、鍺、錫、鉛的氯化物的熔點(diǎn)與_________有關(guān),隨著_________增大,___________增強(qiáng),故熔點(diǎn)依次升高。
(3)鈉的鹵化物的熔點(diǎn)比相應(yīng)的硅的鹵化物的熔點(diǎn)高得多,這與_________有關(guān),因?yàn)開__________________________________,故前者熔點(diǎn)遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于后者。
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:
參考下表中數(shù)據(jù),回答有關(guān)問題
物質(zhì) | NaF | NaCl | NaBr | NaI | SiF4 | SiCl4 | SiBr4 | SiI4 |
熔點(diǎn)/℃ | 995 | 801 | 755 | 651 | -90.2 | -70. 4 | 5.2 | 120.5 |
物質(zhì) | NaCl | KCl | RbCl | CsCl | SiCl4 | GeCl4 | SnCl4 | PbCl4 |
熔點(diǎn)/℃ | 801 | 776 | 715 | 646 | -70.4 | -49.5 | -36.2 | -15.0 |
(1)鈉的鹵化物及堿金屬的氯化物的熔點(diǎn)與__________有關(guān);
(2)硅的鹵化物及硅、鍺、錫、鉛的氯化物的熔點(diǎn)與____________有關(guān);
(3)鈉的鹵化物的熔點(diǎn)比相應(yīng)硅的鹵化物熔點(diǎn)高的多,這與__________有關(guān)。
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