Question

已知A、B、C、D、E、F都是周期表中前四周期的元素，它們的核電荷數(shù)A＜B＜C＜D＜E＜F．其中B、D、F原子最外電子層的P能級（軌道）上的電子處于半滿狀態(tài)．通常情況下，A的一種氧化物分子為非極性分子，其晶胞結構如圖所示．E的電負性在該周期中最大．鎵（Ga）與元素B形成的一種化合物是繼以C單質(zhì)為代表的第一代半導體材料和GaF為代表的第二代半導體材料之后，在近10年迅速發(fā)展起來的第三代新型半導體材料．
試回答下列問題：（答題時，A、B、C、D、E、F用所對應的元素符號表示）
（1）基態(tài)Ga原子的核外電子排布式為

 

．
（2）A、B、C的第一電離能由大到小的順序為

 

．
（3）B元素的單質(zhì)分子中有

 

個π鍵．
（4）上述A的氧化物分子中心原子采取

 

雜化，其晶胞中微粒間的作用力為

 

．
（5）FH3沸點與比BH₃

 

（填“高”或“低”），原因是

 

．
（6）固體CrE₃?6H₂O溶于水可能有幾種不同組成的配離子，實驗將含0.2665gCrE₃?6H₂O的溶液通過H-離子交換樹脂（只交換配陽離子），交換出的酸用0.125mol/L的氫氧化鈉溶液8.00mL中和．已知配離子配位數(shù)為6，則該配離子是

 

．

Answer 1

分析：A、B、C、D、E、F都是周期表中前四周期的元素，它們的核電荷數(shù)A＜B＜C＜D＜E＜F，其中B、D、F原子最外電子層的p能級（軌道）上的電子處于半滿狀態(tài)，外圍電子排布為ns²np³，處于ⅤA族，則B為N元素，D為P元素，F(xiàn)為As元素；A的一種氧化物分子為非極性分子，由晶胞結構可知為二氧化碳分子，則A為C元素；以C單質(zhì)為代表的第一代半導體材料，則C為Si；E的電負性在該周期中最大，處于第三周期，則E為Cl元素，據(jù)此解答．

解答：解：A、B、C、D、E、F都是周期表中前四周期的元素，它們的核電荷數(shù)A＜B＜C＜D＜E＜F，其中B、D、F原子最外電子層的p能級（軌道）上的電子處于半滿狀態(tài)，外圍電子排布為ns²np³，處于ⅤA族，則B為N元素，D為P元素，F(xiàn)為As元素；A的一種氧化物分子為非極性分子，由晶胞結構可知為二氧化碳分子，則A為C元素；以C單質(zhì)為代表的第一代半導體材料，則C為Si；E的電負性在該周期中最大，處于第三周期，則E為Cl元素，
（1）Ga為31號元素，基態(tài)Ga原子的核外電子排布式為1s²2s²2p⁶3s²3p⁶3d¹⁰4s²4p¹，
故答案為：1s²2s²2p⁶3s²3p⁶3d¹⁰4s²4p¹；
（2）同周期自左而右第一電離能呈增大趨勢，同主族自上而下第一電離能降低，則第一電離能為N＞C＞Si，
故答案為：N＞C＞Si；
（3）氮氣的結構為N≡N，含2個π鍵，
故答案為：2；     
（4）A的氧化物分子為CO₂，為直線結構，則中心C原子采取sp雜化，其晶胞中微粒間的作用力為范德華力，
故答案為：sp；范德華力；
（5）NH₃分子間能形成氫鍵，AsH₃分子間不能形成氫鍵，則其沸點與NH₃相比低，
故答案為：低；NH₃分子間能形成氫鍵，AsH₃分子間不能形成氫鍵；
（6）0.2665gCrCl₃?6H₂O的物質(zhì)的量為0.2665g÷266.5g/mol=0.001mol，交換出的酸用0.125mol/L的氫氧化鈉溶液8.00mL中和，則H⁺的物質(zhì)的量為0.125mol/L×0.008L=0.001mol，即可以得到0.001molHCl，故1mol配合物中含有1mol外界Cl^-，1mol配離子含有2mol配體Cl^-，配離子配位數(shù)為6，故1mol配離子還含有4mol配體H₂O，則該配離子是[Cr（H₂O）₄Cl₂]⁺，
故答案為：[Cr（H₂O）₄Cl₂]⁺．

點評：本題考查位置結構性質(zhì)關系應用，屬于物質(zhì)結構與性質(zhì)的綜合題目，推斷元素是解題關鍵，注意從原子的核外電子排布特點以及元素的特殊性質(zhì)為突破口解答，（6）為易錯點、難點，注意對配離子的理解，難度中等．