周期表中前四周期中的六種元素A、B、C、D、E、F原子序數(shù)依次增大,已知A原子2p軌道有3個未成對電子;化合物B2E的晶體為離子晶體,E原子核外的M層中只有兩對成對電子;C元素是地殼中含量最高的金屬元素;D單質的晶體熔點在同周期形成的單質中是最高的;F2+核外各電子層電子均已充滿。
根據(jù)以上信息回答下列問題:
(1)寫出D原子核外電子排布式:____________________________________________。
(2)A、B、C、D的第一電離能由小到大的順序為________________________________(用元素符號表示)。
(3)B的氯化物的熔點比D的氯化物的熔點________(填“高”或“低”);理由是_______________________________________________________。
(4)E的最高價氧化物分子的空間構型是________,是________(填“極性”或“非極性”)分子。
(5)E、F形成的某種化合物有如圖所示的晶體結構:該化合物化學式為________;E原子配位數(shù)為________________________________________________。
(1)1s22s22p63s23p2 (2)Na<Al<Si<N
(3)高 NaCl是離子晶體,SiCl4是分子晶體
(4)平面正三角形 非極性 (5)ZnS 4
【解析】根據(jù)信息提示可知,元素A的原子核外電子排布為1s22s22p3,故A為N;E元素原子核外電子排布為1s22s22p63s23p4,故E為S;由C元素在地殼中的含量可知,C為Al;根據(jù)B2E為離子晶體,且B元素原子序數(shù)介于7與13之間,故B為Na;根據(jù)D單質的熔點特點可知,D為Si;F為Zn。(1)Si為第14號元素,核外電子排布式為1s22s22p63s23p2。(2)同周期元素第一電離能從左到右呈現(xiàn)逐漸增大的趨勢,故第一電離能:Na<Al<Si<P,同主族元素從上到下則呈現(xiàn)逐漸減小的趨勢,故第一電離能:P<N,因此第一電離能:Na<Al<Si<N。(3)NaCl為離子晶體,而SiCl4為分子晶體,故熔點:NaCl>SiCl4。(4)SO3分子的空間構型為平面正三角形,SO3具有很好的對稱性,是非極性分子。(5)S原子居于晶胞的8個頂點和6個面心,故一個晶胞中含有的S原子數(shù)為8×1/8+6×1/2=4,Zn原子居于晶胞內部,Zn原子個數(shù)為4,故該化合物的化學式為ZnS;分析該晶胞結構可知,S原子的配位數(shù)為4。
科目:高中化學 來源: 題型:
元素 | 相關信息 |
A | 原子核外L層電子數(shù)是K層的2倍 |
B | 其一種單質被稱為地球生物的“保護傘” |
C | 原子的第一電離能在第三周期中最小 |
D | 基態(tài)原子最外層電子排布為(n+1)sn(n+1)p(n+2) |
E | 可形成多種氧化物,其中一種為具有磁性的黑色晶體 |
查看答案和解析>>
科目:高中化學 來源: 題型:閱讀理解
+ 4 |
查看答案和解析>>
科目:高中化學 來源: 題型:
查看答案和解析>>
科目:高中化學 來源:2012-2013學年安徽省合肥市高三第一次教學質量檢測化學試卷(解析版) 題型:填空題
A、B、C、D、E是元素周期表中前四周期中五種常見元素,其相關信息如下表:
元素 相關信息
A 原子核外L層電子數(shù)是K層的2倍
B 其一種單質被稱為地球生物的“保護傘”
C 原子的第一電離能在第三周期中最小
D 基態(tài)原子最外層電子排布為(n+1)sn (n+1)p(n+2)
E 可形成多種氧化物,其中一種為具有磁性的黑色晶體
請回答下列問題:
(1)C在元素周期表中位于第 周期、第 族;E的基態(tài)原子核外電子排布式是
(2)B、C、D的簡單離子半徑由大到小的順序為(用化學符號表示,下同) ,B、D的簡單氣態(tài)氫化物中穩(wěn)定性較大的是
(3)B、C的單質按物質的量比1:2形成的化合物中化學鍵的類型為 ;該化合物屬于 晶體。
(4)E的黑色磁性晶體發(fā)生鋁熱反應的化學方程式是
(5)處理含AO、DO2煙道氣污染的一種方法是將其在催化劑作用下轉化為單質D。
已知:2AO(g)+ O2(g) =2AO2(g) ΔH=-566.0 kJ•mol-1
D(s)+ O2(g) = DO2(g) ΔH=-296.0 kJ•mol-1
此反應的熱化學方程式是 。
查看答案和解析>>
湖北省互聯(lián)網(wǎng)違法和不良信息舉報平臺 | 網(wǎng)上有害信息舉報專區(qū) | 電信詐騙舉報專區(qū) | 涉歷史虛無主義有害信息舉報專區(qū) | 涉企侵權舉報專區(qū)
違法和不良信息舉報電話:027-86699610 舉報郵箱:58377363@163.com