Question

(15分)
Ⅰ. 砷化鎵為第三代半導體，以其為材料制造的燈泡壽命長.耗能少。已知砷化鎵的晶胞結構如圖所示。請回答下列問題：

（1）下列說法正確的是__________（填序號）

A．砷化鎵晶胞結構與NaCl相同	B．第一電離能 As>Ga
C．電負性 As>Ga	D．原子半徑 As>Ga

（2）砷化鎵可由（CH₃）₃Ga和AsH₃在700℃下反應制得，反應的方程式為__________；
（3）AsH₃空間形狀為___________；已知（CH₃）₃Ga為非極性分子，則其中鎵原子的雜化方式為____________；
Ⅱ.金屬銅的導電性僅次于銀，居金屬中的第二位，大量用于電氣工業(yè)。
（4）請解釋金屬銅能導電的原因                     ， Cu²⁺的核外電子排布式為__________________________。
（5）在硫酸銅溶液中通入過量的氨氣，小心蒸發(fā)，最終得到深藍色的[Cu（NH₃）₄]SO₄晶體,晶體中含有的化學鍵除普通共價鍵外，還有        和        。

Answer 1

（15分）
（1）BC （2分）
（2）（CH₃）₃Ga + AsH₃ GaAs + 3CH₄ （3分）
（3）三角錐. （2分）  sp² （2分）
（4）銅是金屬晶體，由金屬陽離子和自由電子構成，自由電子在外加電場的作用下可發(fā)生定向移動（2分）    ［Ar］3d⁹或1s²2s²2p⁶3s²3p⁶3d ⁹ （2分）
（5）離子鍵，（1分）  配位鍵 （1分）

略