現(xiàn)有四種短周期元素的原子半徑及主要化合價數(shù)據(jù)如下表所示：
元素
甲
乙
丙
丁
原子半徑/nm
0.186
0.102
0.152
0.074
主要化合價
＋1
＋6、－2
＋1
－2
 
下列敘述不正確的是
A．甲單質的熔點比丙單質的熔點高
B．甲單質可用電解其鹽溶液的方法冶煉而得
C．常溫下，丁的兩種氫化物均為液體
D．乙的簡單離子是四種元素各自形成的簡單離子中半徑最大的
AB

試題分析：甲和丙的主要化合價是＋1價，屬于第IA族元素。乙和丁的主要化合價是－2價，則位于第ⅥA族。同主族自上而下原子半徑逐漸增大，同周期自左向右原子半徑逐漸減小，所以甲是Na，乙是S，丙是Li，丁是O。A、Na和Li都是金屬晶體，金屬晶體的離子半徑越小，金屬鍵越強，晶體的熔點越高。鈉離子半徑大于鋰離子半徑，因此Li的熔點高于鈉的熔點，A不正確；鈉是活潑的金屬，應該通過電解熔融的氯化鈉冶煉，電解氯化鈉溶液生成氫氧化鈉、氫氣和氯氣，B不正確；C、氧元素的兩種氫化物水和雙氧水，在常溫下均是液體，C正確；D、硫離子核外電子層數(shù)是3層，電子層數(shù)最多，因此離子半徑最大。核外電子排布相同的微粒，其離子半徑隨原子序數(shù)的增大而減小，因此微粒半徑大小順序是S2－＞O2－＞Na＋＞Li＋，D正確，答案選AB。
練習冊系列答案
相關習題

科目：高中化學 來源：不詳 題型：單選題

第三周期主族元素R，它的原子最外電子層上達到飽和所需電子數(shù)小于次外層和最內層電子數(shù)之差，但等于最內層電子數(shù)的正整數(shù)倍。下列說法正確的是(   )
A．常溫下，能穩(wěn)定存在的R的氧化物都能與燒堿溶液反應
B．在常溫下，R的氣態(tài)氫化物都能在空氣中穩(wěn)定存在
C．在固態(tài)時，R的單質都不與NaOH溶液反應
D．R的最高價氧化物對應的水化物都是強酸

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科目：高中化學 來源：不詳 題型：單選題

門捷列夫制作元素周期表時，許多元素尚未發(fā)現(xiàn)，他在鋁的下面留了空位給“類鋁”，并對“類鋁”的性質進行了預測， “類鋁”與后來發(fā)現(xiàn)的鎵的性質一致，從而驗證了元素周期表的正確性。下列有關鎵的性質的描述中錯誤的是
A．鎵的金屬性比鋁弱B．鎵的常見化合價為＋3
C．鎵的原子半徑比鋁大D．鎵的原子結構示意圖為

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科目：高中化學 來源：不詳 題型：單選題

短周期元素A、B、C、D的原子序數(shù)依次增大，A原子在元素周期表中原子半徑最小，B原子最外層電子數(shù)是電子層數(shù)的3倍，D與B屬于同一主族，CA2是一種儲氫材料。下列敘述正確的是
A.原子B、C、D半徑的大小順序：D>C>B
B.元素B的單質與化合物A2D反應能生成D的單質
C.工業(yè)上利用鋁熱反應可制得單質C
D.一定條件下，過量的B單質與D單質直接生成BD3

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科目：高中化學 來源：不詳 題型：單選題

已知第三周期元素M，其原子最外層達到飽和時所需的電子數(shù)小于次外層與最內層電子數(shù)之差，且等于最內層電子數(shù)的正整數(shù)倍。下列關于元素M的說法一定錯誤的是
A．M元素存在同素異形體
B．M元素為非金屬元素
C．M的最高價氧化物對應的水化物都是強酸
D．常溫下，能穩(wěn)定存在的M的氧化物都是酸性氧化物

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科目：高中化學 來源：不詳 題型：單選題

不能通過化學反應實現(xiàn)的是
A．生成一種新離子B．生成一種新分子
C．生成一種新原子D．生成一種新物質

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科目：高中化學 來源：不詳 題型：填空題

硅及其化合物廣泛應用于太陽能的利用、光導纖維及硅橡膠的制備等。
純凈的硅是從自然界中的石英礦石（主要成分為SiO2）中提取的。高溫下制取純硅有如下反應（方法1）：
①SiO2(s)+2C(s)Si(s)+2CO(g)
②Si(s)+2Cl2(g)SiCl4(g)  
③SiCl4(g)+2H2(g) →Si(s)+4HCl(g)
完成下列填空：
（1）硅原子核外有        種不同能級的電子，最外層的p電子有      種自旋方向。
（2）硅與碳同主族，單質的還原性：碳      硅（填寫“同于”、“強于”或“弱于”）。反應①之所以能進行的原因是                                               。
（3）反應②生成的化合物的電子式為             ；該分子為         分子（填寫“極性”或“非極性”）。
（4）某溫度下，反應②在容積為V升的密閉容器中進行，達到平衡時Cl2的濃度為a mol/L。然后迅速縮小容器容積到0.5V升，t秒后重新達到平衡，Cl2的濃度為b mol/L。則：a     b（填寫“大于”、“等于”或“小于”）。
（5）在t秒內，反應②中v(SiCl4)=                    （用含a、b的代數(shù)式表示）。
（6）工業(yè)上還可以通過如下反應制取純硅（方法2）：
④Si(粗) ＋3HCl(g)SiHCl3(l)＋H2(g) + Q（Q＞0）
⑤SiHCl3(g)＋H2(g)Si(純)＋3HCl(g)
提高反應⑤中Si(純)的產(chǎn)率，可采取的措施有：                         （選填2條）。

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科目：高中化學 來源：不詳 題型：填空題

A、B、C、D、E、 F是周期表中短周期的六種元素，有關性質或結構信息如下表：
元素
有關性質或結構信息
A
雷雨天大氣中會有A的一種單質生成
B
B離子與A離子電子數(shù)相同，且是所在周期中單核離子半徑最小的
C
C與B同周期，且是所在周期中原子半徑最大的（稀有氣體除外）
D
D是制造黑火藥的一種成分，也可用于殺菌消毒
E
 E與D同周期，且在該周期中原子半徑最小
F
F的氫化物和最高價氧化物的水化物反應生成一種離子化合物
 
（1）A與C以原子個數(shù)比為1：1形成的化合物的電子式為       ，將0．6 mol該化合物投入到100 mL 3 mol/L BE3溶液中的離子方程式為         ，          。
（2）F的氫化物是由      （極性或非極性）鍵形成的        （極性或非極性）分子，寫出實驗室制備該氫化物的化學方程式           。
（3）下圖可用于實驗證明D、E的非金屬性的強弱。
① 溶液a和b分別為       ，       （寫化學式）。
②溶液a與固體a反應的離子方程式為       。
③非金屬性D         E（填大于或小于），請從原子結構的角度解釋原因                   。

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科目：高中化學 來源：不詳 題型：單選題

基態(tài)硅原子的電子排布圖正確的是

A                   B                C               D

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