考點(diǎn):晶胞的計(jì)算,元素周期律的作用,原子核外電子排布,原子軌道雜化方式及雜化類型判斷,不同晶體的結(jié)構(gòu)微粒及微粒間作用力的區(qū)別
專題:原子組成與結(jié)構(gòu)專題,化學(xué)鍵與晶體結(jié)構(gòu)
分析:(1)B原子核外有5個(gè)電子,根據(jù)構(gòu)造原理書寫其基態(tài)原子核外電子排布式;根據(jù)價(jià)層電子對互斥理論確定B原子的雜化類型;
(2)分子晶體的熔沸點(diǎn)較低;
(3)①A.根據(jù)價(jià)層電子對互斥理論確定原子雜化類型;
B.同一周期中,元素的第一電離能隨著原子序數(shù)的增大而呈增大趨勢,但第VA族元素大于其相鄰元素;
C.同一周期中,元素的電負(fù)性隨著原子序數(shù)的增大而增大;
D.根據(jù)最后填入的電子判斷其所屬區(qū)名稱;
②根據(jù)反應(yīng)物、生成物和反應(yīng)條件書寫方程式;
(4)利用均攤法確定其化學(xué)式,結(jié)合ρ=
計(jì)算.
解答:
解:(1)B原子核外有5個(gè)電子,根據(jù)構(gòu)造原理知基態(tài)B原子核外電子排布式為1S
22S
22P
1,在BF
3分子中中心原子B的價(jià)層電子對個(gè)數(shù)=3且不含孤電子對,所以B原子的軌道雜化方式為sp
2,故答案為:1s
22s
22p
1;sp
2;
(2)分子晶體的熔沸點(diǎn)較低,根據(jù)氯化鋁的熔沸點(diǎn)知,氯化鋁屬于分子晶體,故答案為:分子;
(3)①A.砷化鎵中Ga原子的價(jià)層電子對個(gè)數(shù)是4且含有一個(gè)孤電子對,所以晶胞結(jié)構(gòu)中Ga原子的軌道雜化方式為sp
3,故A正確;
B.As和Ga屬于同一周期元素,且As屬于第VA族元素,所以第一電離能:As>Ga,故B錯(cuò)誤;
C.電負(fù)性:As>Ga,故C錯(cuò)誤;
D.砷和鎵最后填入的電子都是p電子,所以都屬于p區(qū)元素,故D正確;
故選AD;
②砷化鎵是將(CH
3)
3Ga和AsH
3用MOCVD方法制備得到,該反應(yīng)在700℃進(jìn)行,所以其方程式為(CH
3)
3Ga+AsH
3 GaAs+3CH
4,
故答案為:(CH
3)
3Ga+AsH
3 GaAs+3CH
4;
(4)該晶胞中鈉離子個(gè)數(shù)=5+12×
=8,Tl離子個(gè)數(shù)=4+8×
+6×=8,所以該晶胞中鈉離子和鉈離子個(gè)數(shù)為8:8=1:1,所以其化學(xué)式為NaTl;
體內(nèi)小立方體中黑色球與白色球之間距離最近,小立方體上面處于對角線的兩個(gè)白色球之間的距離=
a pm,1個(gè)白色球與周圍4個(gè)白色球形成正四面體,中心到頂角距離為
a pm,中心原子到面的距離等于到頂點(diǎn)距離的
,所以頂點(diǎn)到面的距離=
apm,正四面體兩個(gè)頂點(diǎn)上鉈原子的距離=2
apm=
apm,晶胞對角線的距離=
apm,晶胞的棱長=
apm,
該晶胞的體積=(
apm)
3,ρ=
g/cm
3=
g/cm
3,
故答案為:
.
點(diǎn)評:本題考查了晶胞的計(jì)算、晶體類型的判斷、化學(xué)式的判斷、原子雜化方式的判斷等知識(shí)點(diǎn),根據(jù)均攤法確定化學(xué)式、根據(jù)價(jià)層電子對互斥理論確定原子雜化方式,結(jié)合元素周期律來分析解答,難點(diǎn)是晶胞密度的計(jì)算,注意,Na、Tl最近距離為a,不是指晶胞表面Na、Tl原子之間的距離,為易錯(cuò)點(diǎn).