【題目】有X、Y、Z、Q、T五種元素，X原子的M層p軌道有2個(gè)未成對(duì)電子，Y原子的外圍電子構(gòu)型為3d64s2，Z原子的L電子層的p能級(jí)上有一空軌道，Q原子的L電子層的p能級(jí)上只有1對(duì)成對(duì)電子，T原子的M電子層上p軌道半充滿。試回答下列問題：

(1)X的元素符號(hào)__________，Y的元素符號(hào)________。

(2)Z元素原子的電子排布式_______，Q元素原子的電子排布圖__________，T元素原子的電子排布圖_______________________________。

(3)Y的單質(zhì)在Q的單質(zhì)中燃燒的化學(xué)方程式：_________________________。

【答案】Si或S Fe 1s22s22p2 3Fe＋2O2Fe3O4

【解析】

有五種元素X、Y、Z、Q、T元素為主族元素，X原子的M層p軌道有2個(gè)未成對(duì)電子，核外電子排布為1s22s22p63s23p4或1s22s22p63s23p2，故X為S或Si元素；Y原子的特征電子構(gòu)型為3d64s2，則Y為Fe；Z原子的L電子層的p能級(jí)上有一個(gè)空軌道，核外電子排布為1s22s22p2，則Z為C元素；Q原子的L電子層的p能級(jí)上只有一對(duì)成對(duì)電子，核外電子排布為1s22s22p4，故Q為O元素；T原子的M電子層上p軌道半充滿，核外電子排布為1s22s22p63s23p3，則T為P元素，據(jù)此解答。

（1）由分析可知，X為S或Si元素，Y為Fe，故答案為：Si或S，F(xiàn)e。

（2）Z為C元素，核電荷數(shù)為6，電子排布式為1s22s22p2；Q為O元素，核電荷數(shù)為8，氧原子的核外電子排布圖為；T為P元素，核電荷數(shù)為15，磷原子的核外電子排布圖為；故答案為：1s22s22p2，，。

（3）Y的單質(zhì)在Q的單質(zhì)中燃燒是鐵在純氧中燃燒生成四氧化三鐵，反應(yīng)的化學(xué)方程式為：3Fe＋2O2Fe3O4，故答案為：3Fe＋2O2Fe3O4。

練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

【題目】可逆反應(yīng)：3A(g)3B(？)+C(？)△H＞0，隨著溫度升高，氣體平均相對(duì)分子質(zhì)量有變小趨勢(shì)，則下列判斷正確的是( )

A. B和C可能都是固體 B. 若C為固體，則B一定是氣體

C. B和C一定都是氣體 D. B和C不可能都是氣體

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

【題目】下列圖示與對(duì)應(yīng)的敘述相符的是(　　)

A. 表示H2與O2發(fā)生反應(yīng)過程中的能量變化，則H2O(g)═H2(g)+1/2O2(g)的△H＝﹣241.8 kJmol﹣1

B. 表示A、B兩物質(zhì)的溶解度隨溫度變化情況，將T1 K時(shí)A、B的飽和溶液分別升溫至T2 K時(shí)，溶質(zhì)的質(zhì)量分?jǐn)?shù)B＞A

C. 表示鎂條放入鹽酸中生成氫氣速率隨時(shí)間的變化，0﹣t1反應(yīng)速率加快的原因可能是該反應(yīng)為放熱反應(yīng)

D. 表示常溫下稀釋pH相同的氫氟酸與鹽酸時(shí)溶液pH與加入水體積的關(guān)系，則氫氟酸為弱酸，且a點(diǎn)Kw的數(shù)值比b點(diǎn)的大

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

【題目】氟喹諾酮是人工合成的抗菌藥，其中間體G的合成路線如下：

(1)G中的含氧官能團(tuán)為_____和_____(填名稱)。

(2)由C→D的反應(yīng)類型是_____。

(3)化合物X(分子式為C3H7N)的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)式為_____。

(4)B和乙醇反應(yīng)的產(chǎn)物為H(C8H6FCl2NO2)，寫出滿足下列條件的H的一種同分異構(gòu)體的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)式：_____。

Ⅰ．是一種α﹣氨基酸；

Ⅱ．分子中有4種不同化學(xué)環(huán)境的氫，且分子中含有一個(gè)苯環(huán)。

(5)根據(jù)已有知識(shí)并結(jié)合相關(guān)信息，寫出以和ClMgCH(COOC2H5)2為原料制備的合成路線流程圖(無機(jī)試劑任用，合成路線流程圖示例見本題題干)_____。

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【題目】苯甲酸甲酯在NaBH4、ZnCl2等作用下可轉(zhuǎn)化為醇，其中NaBH4轉(zhuǎn)化為H3BO3：

(1)Zn2+基態(tài)核外電子排布式為_____。

(2)苯甲醇()中碳原子的雜化軌道類型為_____。

(3)1mol苯甲酸甲酯()分子中含有σ鍵的數(shù)目為_____mol。

(4)與BH4﹣互為等電子體的陽離子為_____(填化學(xué)式)，BH4﹣離子的空間構(gòu)型為(用文字描述)_____。

(5)硼酸是一種層狀結(jié)構(gòu)白色晶體，層內(nèi)的H3BO3分子通過氫鍵相連(如圖所示)。1molH3BO3晶體中有_____mol氫鍵。

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

【題目】參照反應(yīng)Br+H2 HBr+H的反應(yīng)歷程示意圖，下列敘述中正確的是

A. 該反應(yīng)的反應(yīng)熱△H=E2﹣E1

B. 正反應(yīng)為吸熱反應(yīng)

C. 吸熱反應(yīng)一定要加熱后才能發(fā)生

D. 升高溫度可增大正反應(yīng)速率，降低逆反應(yīng)速率

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

【題目】氮的氧化物(NOx)是大氣主要污染物，有效去除大氣中的NOx是環(huán)境保護(hù)的重要課題。

（1）N2O又稱笑氣，有輕微的麻醉作用，N2O在一定條件下可分解為N2、O2�；卮鹣铝袉栴}：

已知：①N2(g)+O2(g)=2NO(g) △H1=+180.5kJmol-1

②2NO(g)+O2(g)=2NO2(g) △H2=-114.14kJmol-1

③3NO(g)=N2O(g)+NO2(g) △H3=-115.52kJmol-1

則反應(yīng)2N2O(g)=2N2(g)+O2(g) △H=_______ kJmol-1

（2）汽車尾氣中的NO和CO可在催化劑作用下生成無污染的氣體而除去。在密閉容器中充入10molCO和8molNO發(fā)生反應(yīng),測(cè)得平衡時(shí)NO的體積分?jǐn)?shù)與溫度、壓強(qiáng)的關(guān)系如下圖

①已知T2>T1，則反應(yīng)2NO(g)+2CO(g)2N2(g)+2CO2(g)，△H___0（填“>”“=”或“<”）

②該反應(yīng)達(dá)到平衡后，為同時(shí)提高反應(yīng)速率和NO的轉(zhuǎn)化率，可采取的措施有____(填字母序號(hào))

a．改用高效催化劑 b．縮小容器的體積 c．增加CO的濃度 d．升高溫度

③壓強(qiáng)為10MPa、溫度為T1下，若反應(yīng)進(jìn)行到20min達(dá)到平衡狀態(tài)，此時(shí)容器的體積為4L，則用N2的濃度變化表示的平均反應(yīng)速率v（N2)=____，該溫度下用分壓表示的平衡常數(shù)Kp= ___MPa-1(分壓=總壓×物質(zhì)的量分?jǐn)?shù))。

④在D點(diǎn)，對(duì)反應(yīng)容器升溫的同時(shí)擴(kuò)大體積至體系壓強(qiáng)減小，重新達(dá)到的平衡狀態(tài)可能是圖中A~G點(diǎn)中____點(diǎn)。

（3）在有氧條件下，新型催化劑M能催化NH3與NOx反應(yīng)生成N2，將一定比例的O2、NH3和NOx的混合氣體勻速通入裝有催化劑M的反應(yīng)器中反應(yīng)，反應(yīng)相同時(shí)間，NOx的去除率隨反應(yīng)溫度的變化曲線如圖所示。

①在50℃~150℃范圍內(nèi)隨溫度升高，NOx的去除率迅速上升的原因是____。

②當(dāng)反應(yīng)溫度高于380℃時(shí)，NOx的去除率迅速下降的原因可能是___。

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

【題目】中國(guó)航空航天事業(yè)飛速發(fā)展，銀銅合金廣泛用于航空工業(yè)。從銀銅合金切割廢料中回收銀并制備銅化工產(chǎn)品的工藝如下：

注：A1(OH)3和Cu(OH)2分解溫度分別為450℃和80℃

(1)在電解精煉銀時(shí)，陽極材料為___________。

(2)加快渣料(含少量銀)溶于稀H2SO4速率的措施為___________(寫出兩種)。

(3)濾渣A與稀HNO3反應(yīng)，產(chǎn)生的氣體在空氣中迅速變?yōu)榧t棕色，濾渣A與稀HNO3反應(yīng)的離子方程式為______________________。

(4)過濾操作需要的玻璃儀器除燒杯外還有___________。

(5)固體混合物B的組成為___________；在生成固體B的過程中，需控制NaOH的加入量，若NaOH過量，則因過量引起的反應(yīng)的離子方程式為___________。

(6)煅燒階段通入惰性氣體的原因___________。

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

【題目】砷化鎵(GaAs)是優(yōu)良的半導(dǎo)體材料，可用于制作微型激光器或太陽能電池的材料等。

試回答下列問題

(1)寫出基態(tài)As原子的核外電子排布式_______。

(2)根據(jù)元素周期律，原子半徑Ga _____As(填“＞”或“<”下同)，第一電離能Ga _____As

(3)AsCl5分子的立體構(gòu)型為___________，其中As的雜化軌道類型為_______。

(4)GaF3的熔點(diǎn)高于1000℃，GaCl3的熔點(diǎn)為79℃，其原因是________。

(5)GaAs的熔點(diǎn)為1238℃，其晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示。該晶體的類型為_______，與As以_____鍵鍵合。已知阿伏加德羅常數(shù)為NA，晶胞參數(shù)＝lnm，此晶體的密度為_____ g·cm—3(寫出計(jì)算式)。

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