Question

10．有A、B、C、D、E依次五種短周期元素，它們的核電荷數(shù)按C、A、B、D、E的順序依次增大．C、D都能分別與A按原子個數(shù)比為1：1或2：1形成化合物．CB可與EA₂反應(yīng)生成C₂A和氣態(tài)物質(zhì)EB₄．E的M層電子數(shù)是K層電子數(shù)的2倍．
（1）寫出五種元素的名稱   B：氧；E：硅．
（2）寫出電子式  D₂A₂；   EB₄．
（3）比較EA₂與EB₄的熔點高低（填化學式）SiO₂＞SiF₄
（4）寫出D單質(zhì)與CuSO₄溶液反應(yīng)的離子方程式2Na+Cu²⁺+2H₂O═2Na⁺+Cu（OH）₂↓+H₂↑．
（5）EB₄是由極性鍵形成的非極性分子（填“極性”或“非極性”，上同）．

Answer 1

分析 E的M層電子數(shù)是K層電子數(shù)的2倍，則E應(yīng)為Si；C、D都能分別與A按原子個數(shù)比為1：1或2：1形成化合物，且A、B、C、D、E五種短周期元素，它們的核電荷數(shù)按C、A、B、D、E的順序依次增大，故C為H，D為Na，A為O；EA₂為SiO₂，CB可與SiO₂反應(yīng)生成C₂A（H₂O）和氣態(tài)物質(zhì)SiB₄，氣態(tài)SiB₄為SiF₄，則B為F，據(jù)此進行解答．

解答 解：E的M層電子數(shù)是K層電子數(shù)的2倍，則E應(yīng)為Si；C、D都能分別與A按原子個數(shù)比為1：1或2：1形成化合物，且A、B、C、D、E五種短周期元素，它們的核電荷數(shù)按C、A、B、D、E的順序依次增大，故C為H，D為Na，A為O；EA₂為SiO₂，CB可與SiO₂反應(yīng)生成C₂A（H₂O）和氣態(tài)物質(zhì)SiB₄，氣態(tài)SiB₄為SiF₄，則B為F，
（1）根據(jù)分析可知B為氟，E為硅，
故答案為：氧；硅；
（2）D₂A₂為Na₂O₂，Na₂O₂是鈉離子和過氧根離子構(gòu)成的離子化合物，鈉離子失電子形成陽離子，過氧根離子得到電子形成陰離子，電子式為；EB₄為SiF₄，SiF₄ 屬于共價化合物，分子中氟原子與四個硅原子之間形成4對共用電子對，電子式為，
故答案為：；；
（3）SiO₂為原子晶體，SiF₄為分子晶體，則熔點：SiO₂＞SiF₄，
故答案為：SiO₂＞SiF₄；
（4）D為Na，Na與硫酸銅反應(yīng)原理為：鈉與水反應(yīng)生成氫氧化鈉和氫氣，氫氧化鈉與硫酸銅生成氫氧化銅沉淀，單質(zhì)、沉淀不能拆，故總反應(yīng)的離子反應(yīng)方程式為：2Na+Cu²⁺+2H₂O═2Na⁺+Cu（OH）₂↓+H₂↑，
故答案為：2Na+Cu²⁺+2H₂O═2Na⁺+Cu（OH）₂↓+H₂↑；
（5）EB₄為SiF₄，SiF₄是由Si-F極性共價鍵構(gòu)成的非極性分子，
故答案為：極性；非極性．

點評 本題考查了位置結(jié)構(gòu)與性質(zhì)關(guān)系的應(yīng)用，題目難度中等，推斷元素為解答關(guān)鍵，注意掌握常見化學用語的書寫原則，（4）為易錯點，注意那與硫酸銅溶液的反應(yīng)原理，試題知識點較多，充分考查學生的分析、理解能力及靈活應(yīng)用能力．