Question

第三周期元素X，它的原子核外最外層實(shí)現(xiàn)8電子穩(wěn)定結(jié)構(gòu)所需的電子數(shù)小于次外層和最內(nèi)層的電子數(shù)之差，且等于最內(nèi)層電子數(shù)的整數(shù)倍．下列說(shuō)法正確的是（　　）

A．X元素最高價(jià)氧化物對(duì)應(yīng)的水化物一定是強(qiáng)酸

B．X元素的氫化物的化學(xué)式一定為H2X

C．X元素在常溫下穩(wěn)定存在的氧化物一定能與燒堿反應(yīng)

D．X的單質(zhì)一定不是良好的半導(dǎo)體材料

Answer 1

第三周期元素X，有3個(gè)電子層，次外層和最內(nèi)層的電子數(shù)之差為8-2=6，它的原子核外最外層實(shí)現(xiàn)8電子穩(wěn)定結(jié)構(gòu)所需的電子數(shù)小于6，且等于最內(nèi)層電子數(shù)的整數(shù)倍，則X元素原子核外最外層實(shí)現(xiàn)8電子穩(wěn)定結(jié)構(gòu)所需的電子數(shù)為2或4，若為2，則X為硫元素，符合題意；若為4，則X為硅元素，符合題意．
A、Si元素最高價(jià)氧化物對(duì)應(yīng)的水化物是硅酸，酸性比碳酸弱，屬于弱酸，故A錯(cuò)誤；
B、Si元素的氫化物的化學(xué)式為SiH₄等，具有和烴類(lèi)似的物質(zhì)，故B錯(cuò)誤；
C、Si元素在常溫下穩(wěn)定存在的氧化物為二氧化硅，二氧化硅能與燒堿反應(yīng)生成硅酸鈉，三氧化硫、二氧化硫都能與燒堿反應(yīng)，故C正確；
D、硅單質(zhì)是良好的半導(dǎo)體材料，故D錯(cuò)誤．
故選：C．