請(qǐng)回答以下問題:
(1)第四周期的某主族元素,其第一至五電離能數(shù)據(jù)如下圖1所示,則該元素對(duì)應(yīng)原子的M層電子排布式為   
(2)如下圖2所示,每條折線表示周期表ⅣA-ⅦA中的某一族元素氫化物的沸點(diǎn)變化。每個(gè)小黑點(diǎn)代表一種氫化物,其中a點(diǎn)代表的是   .簡(jiǎn)述你的判斷依據(jù)   
(3)CO2在高溫高壓下所形成的晶體其晶胞如下圖3所示.該晶體的類型屬于   (選填“分子”“原子”“離子”或“金屬”)晶體,該晶體中碳原子軌道的雜化類型為   。

(4)在離子晶體中正、負(fù)離子間力求盡可能多的接觸,以降低體系的能量,使晶體穩(wěn)定存在。已知Na+半徑是Cl-的a倍,Cs+半徑是Cl-的b倍,請(qǐng)回顧課本上NaCl和CsCl的晶胞,其晶胞邊長(zhǎng)比為   
(5)Fe的一種晶體如甲、乙所示,若按甲虛線方向切乙得到的A-D圖中正確的是   .鐵原子的配位數(shù)是   ,假設(shè)鐵原子的半徑是r cm,該晶體的密度是p g/cm3,則鐵的相對(duì)原子質(zhì)量為     (設(shè)阿伏加德羅常數(shù)的值為NA)。
(1)3s23p6(2分)
(2)SiH4 (1分);在ⅣA~ⅦA中的氫化物里,NH3、H2O、HF因分子間存在氫鍵,故沸點(diǎn)高于同主族相鄰元素氫化物的沸點(diǎn),只有ⅣA族元素氫化物不存在反,F(xiàn)象;組成與結(jié)構(gòu)相似,相對(duì)分子量越大,分子間作用力越大,沸點(diǎn)越高,a點(diǎn)所在折線對(duì)應(yīng)的是氣態(tài)氫化物SiH4(2分)
(3)原子(1分) ; sp3雜化(2分)
(4)(1+b):(1+a) (2分)
(5)A (2分);   8 (1分);          (2分)

試題分析:(1)該元素第三電離能遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于第二電離能,說明該元素的原子價(jià)電子數(shù)為2,為Ca,M層電子排布式為:3s23p6
(2)在ⅣA~ⅦA中的氫化物里,NH3、H2O、HF因分子間存在氫鍵,故沸點(diǎn)高于同主族相鄰元素氫化物的沸點(diǎn),只有ⅣA族元素氫化物不存在反常現(xiàn)象,第ⅣA族形成的氫化物分之間為范德華力,組成與結(jié)構(gòu)相似,相對(duì)分子量越大,范德華力越大,沸點(diǎn)越高,所以a點(diǎn)所在折線對(duì)應(yīng)的是氣態(tài)氫化物SiH4
(3)由CO2在高溫高壓下所形成的晶體圖可以看出,其晶體結(jié)構(gòu)為空間物質(zhì)結(jié)構(gòu),每個(gè)C原子周圍通過共價(jià)鍵連接4個(gè)O原子,所以該晶體為原子晶體,碳原子軌道的雜化類型為sp3雜化。
(4)設(shè)Cl?半徑為r,則Na+半徑為ar,Cs+半徑為br,NaCl晶胞邊長(zhǎng)為x,因?yàn)镹aCl晶胞為面心立方結(jié)構(gòu),所以2x2=(2r+2ar)2,得r= (1+a)r;CsCl晶胞為體心李立方結(jié)構(gòu),所以y2+2y2=(2r+2br)2,可得y=2/(1+b)r,x:y=(1+b):(1+a)
(5)甲中Fe位于頂點(diǎn)和體心,乙由8個(gè)甲組成,按甲虛線方向切乙形成的縱截面邊長(zhǎng)不相等,則排除B、D,由于每個(gè)小晶胞中的體心含有1個(gè)Fe原子,則應(yīng)為A;由圖甲可以看出,位于體心的鐵原子周圍距離最近的鐵原子有8個(gè),所以鐵原子的配位數(shù)是8;設(shè)圖甲晶胞的邊長(zhǎng)為acm,則a2+2 a2=(4r)2,得a=4/3r ,圖甲晶胞的體積V=a3=64/9r3,根據(jù)均攤發(fā)可知甲中晶胞含F(xiàn)e原子:8×1/8+1=2,設(shè)Fe的相對(duì)原子質(zhì)量為M,則64/9r3?ρ="2M/" NA,M=
練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目:高中化學(xué) 來源:不詳 題型:填空題

已知X、Y和Z三種元素的原子序數(shù)之和等于42。X元素原子的4p軌道上有3個(gè)未成對(duì)電子,Y元素原子的最外層2p軌道上有2個(gè)未成對(duì)電子。X跟Y可形成化合物X2Y3,Z元素可以形成負(fù)一價(jià)離子。請(qǐng)回答下列問題:
(1)X元素原子基態(tài)時(shí)的電子排布式為       ,該元素的符號(hào)是       。
(2)Y元素原子的電子排布圖為       ,元素X與Y的電負(fù)性比較:X       Y(填“>”或“<”)。
(3)X與Z可形成化合物XZ3,該化合物的空間構(gòu)型為       。
(4)由元素X與鎵元素組成的化合物A為第三代半導(dǎo)體。已知化合物A的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示。(黑球位于立方體內(nèi),白球位于立方體頂點(diǎn)和面心)

請(qǐng)寫出化合物A的化學(xué)式       ;化合物A可由(CH3)3Ga和AsH3在700 ℃下反應(yīng)制得,反應(yīng)的化學(xué)方程式為                   。
(5)已知(CH3)3Ga為非極性分子,則其中鎵原子的雜化方式為           

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科目:高中化學(xué) 來源:不詳 題型:填空題

[物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)]碳是形成化合物種類最多的元素。
(1)CH2=CH—C≡N是制備腈綸的原料,其分子中σ鍵和π鍵的個(gè)數(shù)之比為________(填最簡(jiǎn)整數(shù)比),寫出該分子中所有碳原子的雜化方式:________________。
(2)乙醇(CH3CH2OH)和二甲醚(CH3OCH3)的分子式均為C2H6O,但CH3CH2OH的沸點(diǎn)高于CH3OCH3的沸點(diǎn),其原因是_______________________________。
(3)某元素位于第四周期Ⅷ族,其基態(tài)原子的未成對(duì)電子數(shù)與基態(tài)碳原子的未成對(duì)電子數(shù)相同,則其基態(tài)原子的價(jià)層電子排布式為________________。
(4)碳化硅的結(jié)構(gòu)與金剛石類似,其硬度僅次于金剛石,具有較強(qiáng)的耐磨性能。如圖所示為碳化硅的晶胞(其中為碳原子,為硅原子)。每個(gè)碳原子周圍與其距離最近的硅原子有________個(gè)。設(shè)晶胞邊長(zhǎng)為a cm,密度為b g·cm-3,則阿伏加德羅常數(shù)可表示為________(用含a、b的式子表示)。

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科目:高中化學(xué) 來源:不詳 題型:填空題

VIA族的氧、硫、硒(Se)、碲(Te)等元素在化合物中常表現(xiàn)出多種氧化態(tài),含VIA族元素的化合物在研究和生產(chǎn)中有許多重要用途。請(qǐng)回答下列問題:
(1)S單質(zhì)的常見形式為S8,其環(huán)狀結(jié)構(gòu)如下圖所示,S原子采用的軌道雜化方式是______;

(2)原子的第一電離能是指氣態(tài)電中性基態(tài)原子失去一個(gè)電子轉(zhuǎn)化為氣態(tài)基態(tài)正離子所需要的最低能量,O、S、Se原子的第一電離能由大到小的順序?yàn)開_____;
(3)Se原子序數(shù)為______,其核外M層電子的排布式為______;
(4)H2Se的酸性比H2S__________(填“強(qiáng)”或“弱”)。氣態(tài)SeO3分子的立體構(gòu)型為______平面三角形,SO32離子的立體構(gòu)型為______三角錐形;
(5)H2SeO3的K1和K2分別為2.7×10-3和2.5×10-8,H2SeO4第一步幾乎完全電離,K2為1.2×10-2,請(qǐng)根據(jù)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的關(guān)系解釋:
①H2SeO3和H2SeO4第一步電離程度大于第二步電離的原因:                   ;第一步電離后生成的負(fù)離子較難再進(jìn)一步電離出帶正電荷的氫離子;
②H2SeO4比H2SeO3酸性強(qiáng)的原因:______;
(6)ZnS在熒光體、光導(dǎo)體材料、涂料、顏料等行業(yè)中應(yīng)用廣泛。立方ZnS晶體結(jié)構(gòu)如圖所示,其晶胞邊長(zhǎng)為540.0 pm,密度為____________(列式并計(jì)算),a位置S2離子與b位置Zn2離子之間的距離為___________________pm(列式表示)。

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科目:高中化學(xué) 來源:不詳 題型:填空題

向盛有硫酸銅水溶液的試管里加入氨水,首先形成藍(lán)色沉淀,繼續(xù)加氨水,沉淀溶解,得到深藍(lán)色的透明溶液;若加入極性較小的溶劑(如乙醇),將析出深藍(lán)色的晶體。
(一)在化學(xué)實(shí)驗(yàn)和科學(xué)研究中,水是一種最常用的溶劑。水是生命之源,它與我們的生活密切相關(guān)。
(1)寫出H2O的空間構(gòu)型________。
(2)水分子在特定條件下容易得到一個(gè)H+,形成水合氫離子(H3O+)。下列對(duì)上述過程的描述不合理的是          。
A.氧原子的雜化類型發(fā)生了改變B.微粒的形狀發(fā)生了改變
C.微粒的化學(xué)性質(zhì)發(fā)生了改變D.微粒中的鍵角發(fā)生了改變
(3)下列是鈉、碘、金剛石、干冰、氯化鈉晶體的晶胞示意圖(未按順序排序)。與冰的晶體類型相同的是          (請(qǐng)用相應(yīng)的編號(hào)填寫)。

(二)膽礬晶體是配制波爾多液的主要原料,波爾多液是一種保護(hù)性殺菌劑,廣泛應(yīng)用于樹木、果樹和花卉上。
(4)寫出銅原子價(jià)電子層的電子排布式          ,與銅同一周期的副族元素的基態(tài)原子中最外層電子數(shù)與銅原子相同的元素是          (填元素符號(hào))。
(5)實(shí)驗(yàn)時(shí)形成的深藍(lán)色溶液中的陽(yáng)離子內(nèi)存在的全部化學(xué)鍵類型有    ____      。
(6)實(shí)驗(yàn)過程中加入C2H5OH后可觀察到析出深藍(lán)色[Cu(NH3)4]SO4·H2O晶體。實(shí)驗(yàn)中所加C2H5OH的作用是         ____________ 

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科目:高中化學(xué) 來源:不詳 題型:填空題

A、B、C、D、E五種短周期元素,F(xiàn)為第四周期過渡元素,核電荷數(shù)依次增加。
元素
有關(guān)性質(zhì)及結(jié)構(gòu)信息
A
A的一種原子內(nèi)無中子
B
B原子的電子填充了4個(gè)原子軌道
C
C22—離子與電負(fù)性最大的元素的單質(zhì)互為等電子體
D
D是短周期金屬性最強(qiáng)的元素
E
C與E同族
F
外圍電子排布式為nd2n(n+1)s(n-1)
 
(1)E2-基態(tài)核外電子排布式           ,D單質(zhì)的晶胞為體心立方,其配位數(shù)是           ,C的氫化物在同族元素中沸點(diǎn)反常,其原因是              。
(2)由A、B兩種元素組成的非極性分子有多種,其中乙是一個(gè)分子含4個(gè)原子的的分子,乙的結(jié)構(gòu)式是           。已知1g乙完全燃燒熱為46.16 kJ,乙燃燒熱的熱化學(xué)反應(yīng)方程式是                   
(3)甲是由A、B、C三種元素組成的相對(duì)分子質(zhì)量最小的物質(zhì)。甲的中心原子的雜化方式是             。由甲中的兩種元素組成,且與甲的電子數(shù)相等的物質(zhì)的分子式是        ,該物質(zhì)與C的單質(zhì)在K2CO3溶液中形成燃料電池的負(fù)極反應(yīng)式為        。
(4)分別由A、C、D、E四種元素中的3種組成的兩種物質(zhì)丙和丁在溶液中反應(yīng)生成氣體和沉淀,該化學(xué)方程式是                                   。
(5)C與D形成一種物質(zhì)戊,將過量戊加入過量F與稀硫酸反應(yīng)后的溶液,得到紅褐色沉淀和氣體,發(fā)生反應(yīng)的離子方程式是                               。

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科目:高中化學(xué) 來源:不詳 題型:填空題

鋰—磷酸氧銅電池正極的活性物質(zhì)是Cu4O(PO4)2,可通過下列反應(yīng)制備:
2Na3PO4+4CuSO4+2NH3·H2O=Cu4O(PO4)2↓+3Na2SO4+(NH4)2SO4+H2O
(1)寫出基態(tài)Cu2+的核外電子排布式:          。與Cu同周期的元素中,與銅原子最外層電子數(shù)相等的元素還有               (填元素符號(hào)),上述方程式中涉及到的N、O元素第一電離能由小到大的順序?yàn)?u>                                 。
(2)PO43的空間構(gòu)型是                。
(3)與NH3互為等電子體的分子、離子有             、            (各舉一例)。
(4)氨基乙酸銅的分子結(jié)構(gòu)如圖,碳原子的雜化方式為            

(5)在硫酸銅溶液中加入過量KCN,生成配合物[Cu(CN)4]2,則1 mol CN中含有的π鍵的數(shù)目為      。
(6)Cu元素與H元素可形成一種紅色化合物,其晶體結(jié)構(gòu)單元如圖所示。則該化合物的化學(xué)式為               。

(7)銅晶體為面心立方最密堆積,銅的原子半徑為127.8pm,列式計(jì)算晶體銅的密度               。

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科目:高中化學(xué) 來源:不詳 題型:填空題

氫能的存儲(chǔ)是氫能應(yīng)用的主要瓶頸,目前所采用或正在研究的主要儲(chǔ)氫材料有:配位氫化物、富氫載體化合物、碳質(zhì)材料、金屬氫化物等。
(1)Ti(BH42是一種過渡元素硼氫化物儲(chǔ)氫材料。
①Ti2+基態(tài)的電子排布式可表示為           。
②BH4的空間構(gòu)型是        (用文字描述)。
(2)液氨是富氫物質(zhì),是氫能的理想載體,利用N2+3H22NH3實(shí)現(xiàn)儲(chǔ)氫和輸氫。下列說法正確的是       (多項(xiàng)選擇)。
a.NH3分子中N原子采用sp3雜化
b.相同壓強(qiáng)時(shí),NH3沸點(diǎn)比PH3
c.[Cu(NH3)4]2+離子中,N原子是配位原子
d.CN的電子式為:
(3)2008年,Yoon等人發(fā)現(xiàn)Ca與C60生成的Ca32C60能大量吸附H2分子。

①C60晶體易溶于苯、CS2,說明C60        分子(選填:“極性”、“非極性”);
②1mol C60分子中,含有σ鍵數(shù)目為         。
(4)MgH2是金屬氫化物儲(chǔ)氫材料,其晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示,已知該晶體的密度ag·cm-3,則晶胞的體積為   cm3[用a、NA表示阿伏加德羅常數(shù)]。

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科目:高中化學(xué) 來源:不詳 題型:推斷題

已知A、D、E、G、L、M是核電荷數(shù)依次增大的6種短周期主族元素,其中A的原子序數(shù)與周期序數(shù)相等,D、G、L、M基態(tài)原子的最外能層均有2個(gè)未成對(duì)電子。R+核外有28個(gè)電子。請(qǐng)回答下列問題:(答題時(shí),A、D、E、G、L、M、R用所對(duì)應(yīng)的元素符號(hào)表示)
(1)E、G、M的第一電離能由大到小的順序?yàn)?               。
(2)下圖是由Q、R、G三種元素組成的一種高溫超導(dǎo)體的晶胞結(jié)構(gòu),其中R為+2價(jià),G為-2價(jià);鶓B(tài)R2+的核外電子排布式為              ;Q的化合價(jià)為               價(jià)。

(3)1 mol晶體L中含有δ鍵的數(shù)目為          。
(4)G與M可形成MG3與MG2,MG3分子的空間構(gòu)型是           ,MG2中M原子的雜化方式是   
(5)在(EA4)2R(MG4)2中存在的化學(xué)鍵除極性鍵外,還有         (填字母)。 
a.離子鍵    b. 氫鍵    c.配位鍵    d.金屬鍵 

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