Question

A、B、C、D為原子序數(shù)依次增大的前四周期元素，元素A原子最外層電子數(shù)比內(nèi)層多3個(gè)，元素B基態(tài)原子核外有2個(gè)未成對(duì)電子，元素C的最高價(jià)和最低價(jià)代數(shù)和等于0，元素D位于周期表ⅥB族。

⑴判斷離子AB2－離子的空間構(gòu)型為 。

⑵元素A、C形成的化合物熔點(diǎn)很高，但比B、C形成的化合物熔點(diǎn)低，其原因是 。

⑶在A的氫化物（A2H4）分子中，A原子軌道的雜化類型是 。

⑷元素B與D形成的一種化合物廣泛應(yīng)用于錄音磁帶上，其晶胞如圖所示。

該化合物的化學(xué)式為 。

⑸向D的氯化物DCl3溶液中滴加氨水可形成配合物[D(NH3)3(H2O)Cl2]Cl。

①離子D3+的外圍電子排布式為 。

②1 mol該配合物中含配位鍵的數(shù)目為 。

 

Answer 1

⑴V形 ⑵兩種化合物均為原子晶體，Si—O鍵鍵能大于Si—N鍵

⑶sp3 ⑷CrO2 ⑸①3d3 ②6NA（每空2分，共12分）

【解析】

試題分析：根據(jù)信息確定A為氮元素、B為氧元素、C為硅元素、D為鉻元素。

⑴NO2-中心原子形成2個(gè)σ鍵，孤對(duì)電子對(duì)數(shù)＝，故其空間構(gòu)型為V型或角型。

⑵N、O分別與Si形成的化合物均為原子晶體，由于Si—O鍵鍵能大于Si—N鍵，故O、Si形成的化合物熔點(diǎn)較高。

⑶在N2H4中，每個(gè)氮原子除了形成3個(gè)σ鍵外還有1個(gè)孤對(duì)電子，故N原子軌道的雜化類型為sp3。

⑷在該晶胞中含有Cr原子數(shù)：個(gè)，含有O原子數(shù)：個(gè)，則該化合物的化學(xué)式為CrO2。

⑸①Cr的基態(tài)電子排布式為[Ar]3d54s1，則Cr3+的外圍電子排布式為3d3。

②該配合物分子中所含配位鍵數(shù)目為3+1+2＝6個(gè)，則1 mol該配合物中含配位鍵的數(shù)目為6NA。

考點(diǎn)：考查物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)（微粒的空間構(gòu)型、晶體熔沸點(diǎn)比較、中心原子的雜化類型、晶胞化學(xué)式的計(jì)算、外圍電子排布式的書(shū)寫、配位鍵等）。