I、氨氣是一種重要化合物，在工農(nóng)業(yè)生產(chǎn)、生活中有著重要應用。

        （1）下圖燒瓶中盛有Na2O2固體，分液漏斗中盛有濃氨水，利用圖示儀器裝置（加熱及夾持固定裝置均已略去）進行氨的催化氧化實驗。請根據(jù)下列要求回答問題：

①請選擇實驗裝置，按氣流方向從左到右連接順序是（填字母）（  ）→（  ）→（  ）→E；

       ②試管B中的反應方程式為                      ；

II、①分別將氯氣和二氧化硫通入品紅溶液中，可觀察到紅色都褪去，該過程中分別體現(xiàn)了氯氣的           性、二氧化硫的           性。

②一定條件下，向碘水中通入足量氯氣，完全反應后再滴加淀粉溶液無明顯現(xiàn)象。若原有10.0mL 1.0mo1·的碘水，反應中共轉(zhuǎn)移了0.1mo1電子，則該反應的離子方程式為：

                                                   。

         III、為了探究NO做催化劑參與的硫酸型酸雨的形成，在燒瓶中充入含有少量NO的SO2氣體，慢慢通入O2，該過程中發(fā)生反應化學方程式為                 、                           ，再噴射適量蒸餾水即得硫酸型酸雨 。

I.   ①  A D B （2分） 

②  4NH3+5O2==4NO+6H2O（條件：催化劑，高溫）；（2分） 

II.  ①氧化性（1分）、漂白性（1分） 

② 5Cl2+I2+6H2O==12H++2IO3-+10Cl- （2分）   

  III.  2NO+O2=2NO2（2分）  

 NO2+SO2=NO+SO3（2分）

練習冊系列答案
相關習題

科目：高中化學 來源： 題型：

（15分）

氮化硅（Si3N4）是一種優(yōu)良的高溫結構陶瓷，在工業(yè)生產(chǎn)和科技領域有重要用途．

I.工業(yè)上有多種方法來制備氮化硅，常見的方法有：

方法一  直接氮化法：在1300℃-1400℃時，高純粉狀硅與純氮氣化合，其反應方程式為            .

方法二  化學氣相沉積法：在高溫條件下利用四氯化硅氣體、純氮氣、氫氣反應生成氮化硅和HCl，與方法一相比，用此法制得的氮化硅純度較高，其原因是           .

方法三  Si(NH2)4熱分解法：先用四氯化硅與氨氣反應生成Si(NH2)4和一種氣體（填分子式）      ；然后使Si(NH2)4受熱分解，分解后的另一種產(chǎn)物的分子式為          ．

II.工業(yè)上制取高純硅和四氯化硅的生產(chǎn)流程如下：

已知：X、高純硅、原料B的主要成分都可與Z反應，Y與X在光照或點燃條件下可反應，Z的焰色呈黃色．

（1）寫出焦炭與原料B中的主要成分反應的化學方程式：                       ．

（2）上述生產(chǎn)流程中電解A的水溶液的化學方程式：                       ．

 

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科目：高中化學 來源：2012-2013學年河南省原名校高三下學期第二次聯(lián)考理綜化學試卷（解析版） 題型：填空題

氮化硅（ Si3N4）是一種優(yōu)良的高溫結構陶瓷，在工業(yè)生產(chǎn)和科技領域有重要用途．

I．工業(yè)上有多種方法來制備氮化硅，常見的方法有：

方法一：直接氮化法：在1300℃－1400℃時，高純粉狀硅與純氮氣化合，其反應方程式為

                                                                   。

方法二：化學氣相沉積法：在高溫條件下利用四氯化硅氣體、純氮氣、氫氣反應生成氮化硅和HC1，與方法一相比，用此法制得的氮化硅純度較高，其原因是                   ．

方法三：Si（NH2）4熱分解法：先用四氯化硅與氨氣反應生成Si（NH2）4和一種氣體（填分子式）________；然后使Si（NH2）4受熱分解，分解后的另一種產(chǎn)物的分子式為               。

II．工業(yè)上制取高純硅和四氯化硅的生產(chǎn)流程如下：

已知：X、高純硅、原料B的主要成分都可與Z反應，Y與X在光照或點燃條件下可反應，Z的焰色呈黃色．

（1）原料B的主要成分是（寫名稱）                                  。

（2）寫出焦炭與原料B中的主要成分反應的化學方程式：                            。

（3）上述生產(chǎn)流程中電解A的水溶液時，陽極材料能否用Cu                （填“能”或“不能”），寫出Cu為陽極電解A的水溶液開始一段時間陰陽極的電極方程式：

陽極：                             ；陰極：                            。

 

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科目：高中化學 來源：2012-2013學年河南省原名校高三下學期第二次聯(lián)考理綜化學試卷（解析版） 題型：填空題

氮及其化合物與我們的吃、穿、住、行、健康等都有著密切的聯(lián)系，也是高中化學學習中重要的一部分。請回答下列問題：

I．（1）現(xiàn)有一支15mL的試管，充滿NO倒置于水槽中，向試管中緩緩通入一定量氧氣，當試管內(nèi)液面穩(wěn)定時，剩余氣體3mL。則通入氧氣的體積可能為                         。

（2）一定條件下，某密閉容器中發(fā)生反應：4NH3（g）+5O2（g）      4NO（g）+6H2O（g）。

起始濃度（ mol/L）

C(NH3)

C(O2)

C(NO)

C(H2O)

甲

1

2

0

0

乙

4

8

0

0

丙

0.2

x

y

z

 

①恒溫恒容下，平衡時NH3的轉(zhuǎn)化率甲        乙。（填“＞”、“=”、或“＜”）

②恒溫恒容下，若要使丙與甲平衡時各組分濃度相同，則x=        ，y=      ，z=       ．

（3）向容積相同、溫度分別為T1和T2的兩個密閉容器中分別充入等量NO2，發(fā)生反應：2NO2（g）N2O4（g）△H<0。恒溫恒容下反應相同時間后，分別測定體系中NO2的百分含量分別為a1和a2；已知T1< T2，則a1_          a2。

A．大于        B．小于         C．等于         D．以上都有可能

（4）2．24L（標準狀況）氨氣被200 mL l mol/L HNO3溶液吸收后，反應后溶液中的離子濃度關系是                                                   。

Ⅱ．三氟化氮（NF3）是一種新型的電子材料，它在潮濕的空氣中與水蒸氣能發(fā)生氧化還原反應，其生成物有HF、 NO、 HNO3。根據(jù)要求回答下列問題：

（1）寫出該反應的化學方程式：                                                。反應過程中，氧化劑和還原劑物質(zhì)的量之比為                                   。

（2）若反應中生成0．2mol HNO3，轉(zhuǎn)移的電子數(shù)目為                               。

 

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科目：高中化學 來源：2010-2011學年遼寧省高三第四次模擬考試（理綜）化學部分 題型：填空題

（15分）

氮化硅（Si3N4）是一種優(yōu)良的高溫結構陶瓷，在工業(yè)生產(chǎn)和科技領域有重要用途．

I.工業(yè)上有多種方法來制備氮化硅，常見的方法有：

方法一  直接氮化法：在1300℃-1400℃時，高純粉狀硅與純氮氣化合，其反應方程式為             .

方法二  化學氣相沉積法：在高溫條件下利用四氯化硅氣體、純氮氣、氫氣反應生成氮化硅和HCl，與方法一相比，用此法制得的氮化硅純度較高，其原因是           .

方法三  Si(NH2)4熱分解法：先用四氯化硅與氨氣反應生成Si(NH2)4和一種氣體（填分子式）      ；然后使Si(NH2)4受熱分解，分解后的另一種產(chǎn)物的分子式為           ．

II.工業(yè)上制取高純硅和四氯化硅的生產(chǎn)流程如下：

已知：X、高純硅、原料B的主要成分都可與Z反應，Y與X在光照或點燃條件下可反應，Z的焰色呈黃色．

（1）寫出焦炭與原料B中的主要成分反應的化學方程式：                        ．

（2）上述生產(chǎn)流程中電解A的水溶液的化學方程式：                        ．

 

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科目：高中化學 來源：2010-2011學年安徽知名省高三第一次聯(lián)合統(tǒng)考（理綜）化學部分 題型：填空題

氮化硅（Si3N4）是一種優(yōu)良的高溫結構陶瓷，在工業(yè)生產(chǎn)和科技領域有重要用途。

I．工業(yè)上有多種方法來制備氮氦化硅，常見的方法有：

方法一  直接氦化法：在1300~1400℃時，高純粉狀硅與純氦氣化合，其反應方程式為

                                                                           

方法二  化學氣相沉積法：在高溫條件下利用四氯化硅氣體、純氦氣、氫氣反應生成氦化硅和HCl，與方法一相比，用此法制得的氦化硅純度較高，其原因是             。

方法三  Si（NH­2）4熱分解法：先用四氯化硅與氨氣反應生成Si（NH­2）4和一種氣體

          （填分子式）；然后使Si（NH2）4受熱分解，分解后的另一種產(chǎn)物的分子式為              。

II．（1）氨化硅抗腐蝕能力很強，但易被氫氟酸腐蝕，氨化硅與氫氟酸反應生成四氟化硅和一種銨鹽，此鹽中存在的化學鍵類型有                  。

   （2）已知：25℃，101kPa條件下的熱化學方程式：

        3Si（s）+2N2（g）==Si3N4（s）   △H=—750.2kJ/mol

        Si（s）+2Cl2（g）==SiCl4（g）   △H=—609.6kJ/mol

        H2（g）+Cl2（g）==HCl（g） △H=—92.3kJ/mol

        請寫出四氯化硅氣體與氮氣、氫氣反應的熱化學方程式：

                                                                             。

III．工業(yè)上制取高純硅和四氯化硅的生產(chǎn)流程如下：

 

    已知：X，高純硅、原料B的主要成分都可與Z反應，Y與X在光照或點燃條件下可反應，Z的焰色呈黃色。

   （1）原料B的主要成分是               。

   （2）寫出焦炭與原料B中的主要成分反應的化學方程式：                  。

   （3）上述生產(chǎn)流程中電解A的水溶液時，陽極材料能否用Cu？   （填“能”或“不能”）。

        寫出Cu為陽極電解A的水溶液開始一段時間陰陽極的電極方程式：

        陽極：                      ；陰極：                    。

 

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