GaAs(砷化鎵)是僅次于硅的一種新型化合物半導(dǎo)體材料，其性能比硅更優(yōu)越。Ga位于周期表的第ⅢA族，As位于周期表的第ⅤA族。

（1）Ga和As的最外層電子數(shù)分別是：Ga________、As________。

（2）GaAs中Ga和As的化合價分別是：Ga________價、As________價。

（3）第ⅣA族的C和Si也可以形成類似的化合物半導(dǎo)體材料，該化合物半導(dǎo)體材料的化學(xué)式可表示為________。

硅   四氟化硅    二氧化硅    硅酸鈉硅酸


解析:

由硅元素的特征性質(zhì)推斷。

練習(xí)冊系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

2010年上海世博會場館，大量的照明材料或屏幕都使用了發(fā)光二極管（LED）．目前市售LED品片，材質(zhì)基本以GaAs（砷化鎵）、AlGaInP（磷化鋁鎵銦）、lnGaN（氮化銦鎵）為主．已知鎵是鋁同族下一周期的元素．砷化鎵的晶胞結(jié)構(gòu)如圖．試回答：
（1）鎵的基態(tài)原子的電子排布式是
[Ar]3d104s24p1
[Ar]3d104s24p1
．
（2）砷化鎵晶胞中所包含的砷原子（白色球）個數(shù)為
4
4
，與同一個鎵原子相連的砷原子成的空間構(gòu)型為
正四面體
正四面體
．
（3）N、P、As處于同一主族，其氫化物沸點由高到低的順序是
NH3＞AsH3＞PH3
NH3＞AsH3＞PH3
． （用氫化物分子式表示）
（4）砷化鎵可由（CH3）3Ga和AsH3在700℃時制得．（CH3）3Ga中鎵原子的雜化方式為
sp2
sp2
．
（5）比較二者的第一電離能：As
＞
＞
Ga（填“＜”、“＞”或“=”）．
（6）下列說法正確的是
BCD
BCD
（填字母）．
A．砷化鎵晶胞結(jié)構(gòu)與NaCl相同B．GaP與GaAs互為等電子體
C．電負性：As＞Ga       D．砷化鎵晶體中含有配位鍵．

查看答案和解析>>

科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

GaAs(砷化鎵)是僅次于硅的一種新型化合物半導(dǎo)體材料，其性能比硅更優(yōu)越。Ga位于周期表的第ⅢA族，As位于周期表的第ⅤA族。

（1）Ga和As的最外層電子數(shù)分別是：Ga________、As________。

（2）GaAs中Ga和As的化合價分別是：Ga________價、As________價。

（3）第ⅣA族的C和Si也可以形成類似的化合物半導(dǎo)體材料，該化合物半導(dǎo)體材料的化學(xué)式可表示為________。

查看答案和解析>>

科目：高中化學(xué) 來源：2012-2013學(xué)年河南省鄭州市第四中學(xué)高二下學(xué)期期中考試化學(xué)試卷（帶解析） 題型：填空題

2010年上海世博會場館，大量的照明材料或屏幕都使用了發(fā)光二極管(LED)。目前市售LED晶片，材質(zhì)基本以GaAs(砷化鎵)、AlGaInP(磷化鋁鎵銦)、InGaN(氮化銦鎵)為主。砷化鎵的晶胞結(jié)構(gòu)如圖。試回答：

(1)鎵的基態(tài)原子的電子排布式是_______。
(2)砷化鎵晶胞中所包含的砷原子(白色球)個數(shù)為______，與同一個鎵原子相連的砷原子構(gòu)成的空間構(gòu)型為______。
(3)下列說法正確的是_________(填字母)。
A.砷化鎵晶胞結(jié)構(gòu)與NaCl相同
B.第一電離能：As<Ga
C.電負性：As>Ga
D.GaP與GaAs互為等電子體
(4)N、P、As處于同一主族，其氫化物沸點由高到低的順序是_________。
(5)砷化鎵可由(CH3)3Ga和AsH3在700 ℃時制得。(CH3)3Ga中鎵原子的雜化方式為________。

查看答案和解析>>

科目：高中化學(xué) 來源：2014屆河南省鄭州市高二下學(xué)期期中考試化學(xué)試卷（解析版） 題型：填空題

2010年上海世博會場館，大量的照明材料或屏幕都使用了發(fā)光二極管(LED)。目前市售LED晶片，材質(zhì)基本以GaAs(砷化鎵)、AlGaInP(磷化鋁鎵銦)、InGaN(氮化銦鎵)為主。砷化鎵的晶胞結(jié)構(gòu)如圖。試回答：

(1)鎵的基態(tài)原子的電子排布式是_______。

(2)砷化鎵晶胞中所包含的砷原子(白色球)個數(shù)為______，與同一個鎵原子相連的砷原子構(gòu)成的空間構(gòu)型為______。

(3)下列說法正確的是_________(填字母)。

A.砷化鎵晶胞結(jié)構(gòu)與NaCl相同

B.第一電離能：As<Ga

C.電負性：As>Ga

D.GaP與GaAs互為等電子體

(4)N、P、As處于同一主族，其氫化物沸點由高到低的順序是_________。

(5)砷化鎵可由(CH3)3Ga和AsH3在700 ℃時制得。(CH3)3Ga中鎵原子的雜化方式為________。

 

查看答案和解析>>

同步練習(xí)冊答案