Question

下列物質(zhì)的熔沸點(diǎn)高低順序中，正確的是（　�。�

A．金剛石>晶體硅>二氧化硅>碳化硅

B．Cl₂>CBr₄>CCl₄>CH₄

C．MgO>H₂O>O₂>N₂

D．金剛石>生鐵>純鐵>鈉

 

Answer 1

【答案】

BC

【解析】

試題分析：晶體熔沸點(diǎn)高低比較的一般規(guī)律是：原子晶體，熔沸點(diǎn)大小和共價(jià)鍵的強(qiáng)弱有關(guān)系；金屬晶體中，形成金屬鍵的金屬陽離子半徑越小，電荷數(shù)越多，金屬鍵越強(qiáng)，熔沸點(diǎn)越高；分子晶體中形成分子晶體的分子間作用力越大，熔沸點(diǎn)越高；離子晶體中形成離子鍵的離子半徑越小，電荷數(shù)越多，離子鍵越強(qiáng)，熔沸點(diǎn)越高。A中應(yīng)該是金剛石>二氧化硅>碳化硅>晶體硅，D中應(yīng)該是金剛石>純鐵>生鐵>鈉，答案選BC。

考點(diǎn)：考查晶體熔沸點(diǎn)高低的判斷

點(diǎn)評(píng)：該題是高考中的常見題型和考點(diǎn)之一，屬于中等難度的的試題。試題基礎(chǔ)性強(qiáng)，側(cè)重考查學(xué)生分析問題、解決問題的能力，有助于培養(yǎng)學(xué)生的發(fā)散思維能力。該題的關(guān)鍵是準(zhǔn)確判斷出影響晶體熔沸點(diǎn)高低的元素。