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如圖為某反應的焓變示意圖，下列有關該反應的說法中正確的是( )

A．ΔH>0

B．X能量一定高于M

C．該反應一定不必加熱就可以發(fā)生

D．該反應為放熱反應

練習冊系列答案
相關習題

科目：高中化學 來源：2016-2017學年湖北省十堰市高一上9月月考化學試卷（解析版） 題型：填空題

按要求填空：

（1）除去下列物質中所混有的少量雜質，寫出有關的反應方程式。

①Fe2O3中混有少量SiO2 ；

② NO中混有NO2 。

（2）為什么不能用加熱NH4Cl固體的方式制取氨氣（用化學方程式表示）： 。

（3）將1.92g Cu投入到100mL某濃度的硝酸溶液中，觀察到產生紅棕色氣體，隨著反應的進行，氣體顏色逐漸變淺。銅完全反應完后，共收集到1.12L氣體（標準狀況下測定），則此時參與反應且未被還原的硝酸物質的量為 ；所產生的氣體中NO2的體積分數為 。

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科目：高中化學 來源：2016-2017學年河南省南陽市宛東五校高一上第一次聯(lián)考化學試卷（解析版） 題型：選擇題

下列關于氯氣及含氯化合物的說法中，正確的是（ ）

A．液氯是氯氣的水溶液，它能使干燥的有色布條褪色

B．氯氣和NaOH溶液反應可制備消毒液

C．氯氣可用于自來水的殺菌消毒，是因為氯氣的毒性

D．新制飽和氯水在光照下有氣泡產生，其主要成分是氯氣

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科目：高中化學 來源：2016-2017學年河南省南陽市宛東五校高二上第一次聯(lián)考化學試卷（解析版） 題型：填空題

鋼鐵很容易生銹而被腐蝕，每年因腐蝕而損失的鋼鐵占世界鋼鐵年產量的四分之一。

請回答鋼鐵在腐蝕、防護過程中的有關問題。

（1）下列哪些裝置不能防止鐵棒被腐蝕________________；

（2）實際生產可在鐵件的表面鍍銅防止鐵被腐蝕.裝置示意圖如圖.請回答：

①B電極對應的金屬是________(寫元素名稱)，

A電極的電極反應式是___________________。

②鍍層破損后，鍍銅鐵比鍍鋅鐵更容易被腐蝕，請簡要說明原因_____________________。

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科目：高中化學 來源：2016-2017學年河南省南陽市宛東五校高二上第一次聯(lián)考化學試卷（解析版） 題型：選擇題

下列說法或表示方法正確的是( )

A．若將等量的硫蒸氣和硫固體分別完全燃燒，后者放出熱量多

B．由“C(石墨)===C(金剛石) ΔH＝1.9 kJ·mol”可知，金剛石比石墨穩(wěn)定

C．在101 kPa時，2 g H2 完全燃燒生成液態(tài)水，放出285.8 kJ熱量，氫氣燃燒的熱化學方程式表示為：2H2(g)＋O2(g)===2H2O(l) ΔH＝－285.8 kJ/mol

D．在稀溶液中：H＋＋OH－===H2O ΔH＝－57.3 kJ·mol ，若將含1 mol H2SO4與含2 mol NaOH的溶液混合，放出的熱量等于114.6 kJ

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科目：高中化學 來源：2016-2017學年河南省南陽市宛東五校高二上第一次聯(lián)考化學試卷（解析版） 題型：選擇題

廢電池的污染現已引起人們的廣泛重視，廢電池中對環(huán)境形成污染的主要物質是( )

A．石墨 B．二氧化錳 C．汞 D．鋅

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科目：高中化學 來源：2016-2017學年河北省高一上學期第一次月考化學試卷（解析版） 題型：選擇題

下列各組中的兩種氣體的分子數一定相同的是

A．質量相等但密度不等的N2和C2H4 B．體積相同的N2和C2H4

C．等溫、等體積的N2和O2 D．等壓、等體積N2和CO2

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科目：高中化學 來源：2016-2017學年河北省高二上學期第一次月考化學試卷（解析版） 題型：選擇題

如圖所示，X為單質硅，Y為金屬鐵，a為NaOH溶液，組裝成一個原電池，下列說法正確的是( )

A．X為負極，電極反應式為Si－4e－===Si4＋

B．X為正極，電極反應式為4H2O＋4e－===4OH－＋2H2↑

C．X為負極，電極反應式為Si＋6OH－－4e－===SiO＋3H2O

D．Y為負極，電極反應式為Fe－2e－===Fe2＋

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科目：高中化學 來源：2017屆江西省高三上學期第一次段考化學卷（解析版） 題型：實驗題

下面是改良西門子法生產多晶硅的工藝流程。

（1）用惰性電極電解飽和食鹽水，寫出常溫下X與Z反應的化學方程式 。

（2）在合成SiHCl3的過程中，還會有生成副產物SiCl4。已知兩物質的沸點分別為57.6℃和31.8℃，則提純SiHCl3的方法是 。

（3）SiHCl3提純后用H2還原：SiHCl3(g)+H2(g) Si(s)+3HCl(g)。不同溫度及不同時，反應物X的平衡轉化率關系如圖圖20-1所示。

X是 （填“H2”或“SiHCl3”）。

②上述反應的平衡常數K（1150℃） K（950℃）（填“＞”、“＜”或“=”）。

（4）SiH4（硅烷）法生產高純多晶硅是非常優(yōu)異的方法。用粗硅作原料，熔融鹽電解法制取硅烷原理如圖20-2所示，電解時陽極的電極反應式為 。

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