有關(guān)晶體的下列說法正確的是(    )

A.晶體中分子間作用力越大，分子越穩(wěn)定

B.原子晶體中共價(jià)鍵越強(qiáng)，熔點(diǎn)越高

C.冰融化時(shí)水分子中共價(jià)鍵發(fā)生斷裂

D.氯化鈉熔化時(shí)離子鍵未被破壞

解析：分子的穩(wěn)定性和形成的共價(jià)鍵有關(guān)，與分子間作用力無關(guān)，A項(xiàng)錯(cuò)誤。不同的晶體熔化克服不同的作用力，冰融化時(shí)破壞分子間作用力，氯化鈉熔化時(shí)破壞離子鍵，C、D兩項(xiàng)均不正確。

答案：B

練習(xí)冊系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

有關(guān)晶體的下列說法中不正確的是（　�。�
A、在NaCl晶體中，距Na+最近的Cl-形成正八面體B、在NaCl晶體中，每個(gè)晶胞平均占有4個(gè)Na+C、在CsCl晶體中，每個(gè)晶胞平均占有8個(gè)Cs+D、銅晶體為面心立方堆積，銅原子的配位數(shù)（距離一個(gè)銅原子最近的其它銅原子的個(gè)數(shù)）為12

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科目：高中化學(xué) 來源：2012-2013學(xué)年福建省廈門六中高二上學(xué)期期中考試化學(xué)試卷（帶解析） 題型：單選題

有關(guān)晶體的下列說法中不正確的是(　　)

A．在NaCl晶體中，距Na＋最近的Cl－形成正八面體
B．在NaCl晶體中，每個(gè)晶胞平均占有4個(gè)Na＋
C．在CsCl晶體中，每個(gè)晶胞平均占有8個(gè)Cs＋
D．銅晶體為面心立方堆積，銅原子的配位數(shù)（距離一個(gè)銅原子最近的其它銅原子的個(gè)數(shù)）為12

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科目：高中化學(xué) 來源：2014屆福建省高二上學(xué)期期中考試化學(xué)試卷（解析版） 題型：選擇題

有關(guān)晶體的下列說法中不正確的是(　　)

A．在NaCl晶體中，距Na＋最近的Cl－形成正八面體

B．在NaCl晶體中，每個(gè)晶胞平均占有4個(gè)Na＋

C．在CsCl晶體中，每個(gè)晶胞平均占有8個(gè)Cs＋

D．銅晶體為面心立方堆積，銅原子的配位數(shù)（距離一個(gè)銅原子最近的其它銅原子的個(gè)數(shù)）為12

 

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：單選題

有關(guān)晶體的下列說法中不正確的是


  1. A.
    在NaCl晶體中，距Na+最近的Cl-形成正八面體
  2. B.
    在NaCl晶體中，每個(gè)晶胞平均占有4個(gè)Na+
  3. C.
    在CsCl晶體中，每個(gè)晶胞平均占有8個(gè)Cs+
  4. D.
    銅晶體為面心立方堆積，銅原子的配位數(shù)（距離一個(gè)銅原子最近的其它銅原子的個(gè)數(shù)）為12

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

有關(guān)晶體的下列說法中不正確的是(　　)

A．在NaCl晶體中，距Na＋最近的Cl－形成正八面體

B．在NaCl晶體中，每個(gè)晶胞平均占有4個(gè)Na＋

C．在CsCl晶體中，每個(gè)晶胞平均占有8個(gè)Cs＋

D．銅晶體為面心立方堆積，銅原子的配位數(shù)（距離一個(gè)銅原子最近的其它銅原子的個(gè)數(shù)）為12

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