Question

10．高純度單晶硅是典型的無機(jī)非金屬材料，又稱“半導(dǎo)體”材料，它的發(fā)現(xiàn)和使用曾引起計(jì)算機(jī)的一場“革命”．這種材料可以按下列方法制備：
SiO₂$→_{高溫}^{①C}$Si（粗）$→_{300℃}^{②HCl}$SiHCl₃$→_{1000-1100℃}^{③過量H_{2}}$Si（純）下列說法正確的是（　�。�

• A． 步驟①的化學(xué)方程式為SiO₂+C$\frac{\underline{\;高溫\;}}{\;}$Si+CO₂↑
• B． 步驟①②③中每生成或反應(yīng)1 mol Si，轉(zhuǎn)移4 mol 電子
• C． 二氧化硅能與氫氟酸反應(yīng)，也能與氫氧化鈉溶液反應(yīng)，屬于兩性氧化物
• D． SiHCl₃（沸點(diǎn)33.0℃）中含有少量的SiCl₄（沸點(diǎn)67.6℃），通過蒸餾（或分餾）可提純SiHCl₃

Answer 1

分析 A、二氧化硅高溫下與C反應(yīng)生成CO氣體；
B、氧化還原反應(yīng)得失電子守恒判斷即可；
C、二氧化硅既能與氫氟酸反應(yīng)，又能與燒堿反應(yīng)，但它是酸性氧化物；
D、由沸點(diǎn)可知，為相差30℃以上的兩種液體．

解答 解：A、二氧化硅高溫下與C反應(yīng)生成CO氣體，即步驟①的化學(xué)方程式為：SiO₂+2C$\frac{\underline{\;高溫\;}}{\;}$Si+2CO↑，故A錯(cuò)誤；
B、步驟①中Si的化合價(jià)降低4，轉(zhuǎn)移電子數(shù)為4mol，步驟②中生成SiHCl₃，化合價(jià)升高2，步驟③中每生成1mol Si，轉(zhuǎn)移2mol電子，故B錯(cuò)誤；
C、二氧化硅既能與氫氟酸反應(yīng)，又能與燒堿反應(yīng)，但二氧化硅和HF反應(yīng)生成四氟化硅而不是鹽，所以它是酸性氧化物而不是兩性氧化物，故C錯(cuò)誤；
D、沸點(diǎn)相差30℃以上的兩種液體可以采用蒸餾的方法分離，故D正確，
故選D．

點(diǎn)評(píng) 本題是一道有關(guān)硅的無機(jī)推斷題，考查的知識(shí)點(diǎn)范圍較廣，涉及氧化還原反應(yīng)原理應(yīng)用、蒸餾等，可以根據(jù)已有知識(shí)進(jìn)行．