Question

下面關(guān)于SiO₂晶體網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的敘述正確的是（　�。�

A．存在四面體結(jié)構(gòu)單元，O處于中心，Si處于4個(gè)頂角

B．最小的環(huán)上，有3個(gè)Si原子和3個(gè)O原子

C．最小的環(huán)上，Si和O原子數(shù)之比為1：2

D．最小的環(huán)上，有6個(gè)Si原子和6個(gè)O原子

Answer 1

分析：根據(jù)二氧化硅晶體中結(jié)構(gòu)單元判斷硅、氧原子的位置關(guān)系，二氧化硅的最小環(huán)上含有6的氧原子和6個(gè)硅原子，據(jù)此分析解答．

解答：解：A、二氧化硅晶體中存在四面體結(jié)構(gòu)單元，每個(gè)硅原子能構(gòu)成四個(gè)共價(jià)鍵，每個(gè)氧原子能形成2個(gè)共價(jià)鍵，Si處于中心，O處于4個(gè)頂角，故A錯(cuò)誤；
B、最小的環(huán)上，有6個(gè)Si原子和6個(gè)O原子，故B錯(cuò)誤；
C、最小的環(huán)上，有6個(gè)Si原子和6個(gè)O原子，所以最小的環(huán)上硅氧原子數(shù)之比為1：1，故C錯(cuò)誤；
D、最小的環(huán)上，有6個(gè)Si原子和6個(gè)O原子，Si處于中心，O處于4個(gè)頂角，故D正確．
故選D．

點(diǎn)評(píng)：本題考查了二氧化硅的結(jié)構(gòu)單元，難度不大，注意教材中基礎(chǔ)知識(shí)的掌握．