(18分)碳族元素包括。
(1)碳納米管有單層或多層石墨層卷曲而成,其結(jié)構(gòu)類似于石墨晶體,每個(gè)碳原子通過sp2雜化與周圍碳原子成鍵,多層碳納米管的層與層之間靠 結(jié)合在一起。
(2)干冰和晶體碘晶體結(jié)構(gòu)相似,其晶胞平均含 個(gè)分子,一個(gè)分子周圍有 個(gè)緊鄰的分子。
(3)中共用電子對(duì)偏向,中共用電子對(duì)偏向,則的電負(fù)性由大到小的順序?yàn)?u> 。
(4)用價(jià)層電子對(duì)互斥理論推斷分子中的鍵角 (填“>”“<”或“=”)。
(5)鉛、鋇、氧形成的某化合物的晶胞結(jié)構(gòu)是:處于立方晶胞頂點(diǎn),處于晶胞中心,處于晶胞棱邊中心,該化合物化學(xué)式為 ,每個(gè)與 個(gè)配位。
(6)金剛石的晶胞平均含 個(gè)碳原子;單質(zhì)Au的堆積模型名稱為 。
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:
(8分)【化學(xué)-物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)】
碳族元素包括:C、Si、 Ge、 Sn、Pb。
(1)碳納米管有單層或多層石墨層卷曲而成,其結(jié)構(gòu)類似于石墨晶體,每個(gè)碳原子通過 雜化與周圍碳原子成鍵,多層碳納米管的層與層之間靠 結(jié)合在一起。
(2)CH4中共用電子對(duì)偏向C,SiH4中共用電子對(duì)偏向H,則C、Si、H的電負(fù)性由大到小的順序?yàn)?u> 。
(3)用價(jià)層電子對(duì)互斥理論推斷SnBr2分子中Sn—Br的鍵角 120°(填“>”“<”或“=”)。
(4)鉛、鋇、氧形成的某化合物的晶胞結(jié)構(gòu)是:Pb4+處于立方晶胞頂點(diǎn),Ba2+處于晶胞中心,O2-處于晶胞棱邊中心,該化合物化學(xué)式為 ,每個(gè)Ba2+與 個(gè)O2-配位。
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科目:高中化學(xué) 來源:2012屆遼寧省高二下學(xué)期期末考試化學(xué)試卷 題型:填空題
(18分)碳族元素包括。
(1)碳納米管有單層或多層石墨層卷曲而成,其結(jié)構(gòu)類似于石墨晶體,每個(gè)碳原子通過sp2雜化與周圍碳原子成鍵,多層碳納米管的層與層之間靠 結(jié)合在一起。
(2)干冰和晶體碘晶體結(jié)構(gòu)相似,其晶胞平均含 個(gè)分子,一個(gè)分子周圍有 個(gè)緊鄰的分子。
(3)中共用電子對(duì)偏向,中共用電子對(duì)偏向,則的電負(fù)性由大到小的順序?yàn)?u> 。
(4)用價(jià)層電子對(duì)互斥理論推斷分子中的鍵角 (填“>”“<”或“=”)。
(5)鉛、鋇、氧形成的某化合物的晶胞結(jié)構(gòu)是:處于立方晶胞頂點(diǎn),處于晶胞中心,處于晶胞棱邊中心,該化合物化學(xué)式為 ,每個(gè)與 個(gè)配位。
(6)金剛石的晶胞平均含 個(gè)碳原子;單質(zhì)Au的堆積模型名稱為 。
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:
碳族元素包括。
(1)碳納米管有單層或多層石墨層卷曲而成,其結(jié)構(gòu)類似于石墨晶體,每個(gè)碳原子通過sp2雜化與周圍碳原子成鍵,多層碳納米管的層與層之間靠 結(jié)合在一起。
(2)干冰和晶體碘晶體結(jié)構(gòu)相似,其晶胞平均含 個(gè)分子,一個(gè)分子周圍有 個(gè)緊鄰的分子。
(3)中共用電子對(duì)偏向,中共用電子對(duì)偏向,則的電負(fù)性由大到小的順序?yàn)?u> 。
(4)用價(jià)層電子對(duì)互斥理論推斷分子中的鍵角 (填“>”“<”或“=”)。
(5)鉛、鋇、氧形成的某化合物的晶胞結(jié)構(gòu)是:處于立方晶胞頂點(diǎn),處于晶胞中心,處于晶胞棱邊中心,該化合物化學(xué)式為 ,每個(gè)與 個(gè)配位。
(6)金剛石的晶胞平均含 個(gè)碳原子;單質(zhì)Au的堆積模型名稱為 。
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