科目: 來(lái)源:不詳 題型:單選題
A.每個(gè)Si原子周?chē)Y(jié)合2個(gè)O原子 | B.SiO2是其分子式 |
C.1molSiO2含2molSi?O鍵 | D.最小的環(huán)上,有6個(gè)Si原子和6個(gè)O原子 |
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科目: 來(lái)源:不詳 題型:填空題
A.0 mol | B.0.1mol | C.0.125mol | D.大于0.125mol |
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科目: 來(lái)源:不詳 題型:填空題
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科目: 來(lái)源:不詳 題型:填空題
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科目: 來(lái)源:不詳 題型:單選題
A.非金屬氧化物一定是酸酐 | B.酸酐一定是非金屬氧化物 |
C.晶體中一定存在化學(xué)鍵 | D.堿性氧化物一定是金屬氧化物 |
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科目: 來(lái)源:不詳 題型:填空題
元素 | o | P | |
電離能/kJ·mol-1 | I1 | 717 | 759 |
I2 | 1509 | 1561 | |
I3 | 3248 | 2957 |
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科目: 來(lái)源:不詳 題型:填空題
A.氙的含量比較豐富 | B.氙的相對(duì)原子質(zhì)量大 |
C.氙原子半徑大,電離能小 | D.氙原子半徑小,電負(fù)性大 |
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科目: 來(lái)源:不詳 題型:單選題
A.C3N4和Sl3N4晶體中N的化合價(jià)為+3價(jià) |
B.C3N4和Si3N4晶體中含有共價(jià)鍵 |
C.C3N4晶體的硬度比Si3N4晶體的硬度小 |
D.C3N4和Si3N4晶體均為分子晶體 |
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科目: 來(lái)源:不詳 題型:單選題
A.晶體熔點(diǎn)達(dá)2500℃ | B.晶體不導(dǎo)電,溶于水導(dǎo)電 |
C.晶體不導(dǎo)電,熔融能導(dǎo)電 | D.溫度越高,溶解度越大 |
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